【課題】突発故障時においてＣＶＤ装置を停止させることなく運用可能であって、基体を運搬する移動装置が休むことなく効率的に稼働する生産効率のよいＣＶＤ装置及びＣＶＤ方法を提供することである。
【解決手段】ＣＶＤ法によって基体に成膜する成膜室を備えた成膜チャンバーと、基体を仮置きする基体仮置き装置とをそれぞれ複数台備えて一群の成膜グループを構成し、当該成膜グループに属する成膜チャンバーと基体仮置き装置との間で基体の受渡しを行うグループ付移動装置を有し、前記成膜グループとグループ付移動装置の組み合わせを複数組備え、それぞれのグループ付移動装置が他の成膜グループに属する成膜チャンバー又は基体仮置き装置と相互に基体の受渡しを行うことのできるＣＶＤ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板保持具を用い、移載及び回収位置が反応炉直下ではなかった場合でも基板の保持状態を確認でき、一方の基板保持具にて異常を検知した場合に該一方の基板保持具から正常な基板を回収すると共に、他方の基板保持具からも同様に正常な基板を回収できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板７を保持する複数の基板保持具２１a、２１bと、基板７に所定の処理を行う反応炉１１と、前記基板保持具２１a、２１bに対して基板７の移載と回収を行う基板移載機４１と、前記基板保持具２１a、２１bを識別する識別手段と、基板７の保持状態を検知する検知部と、前記基板移載機４１を制御する制御部とを具備し、該検知部が基板７の異常を検知した際には、前記制御部は検知した基板７の保持状態、前記識別手段による識別結果に基づき、基板７を前記基板移載機４１により回収する。 （もっと読む）

【課題】生産性や製造コスト面に優れ、かつ、高スループットを実現することができるとともに、薄膜太陽電池としての変換効率の低下を防ぐことができる薄膜太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】成膜室１１と、仕込・取出室と、基板脱着室と、基板を被成膜面が重力方向と略並行を成すように保持するキャリアと、を備え、仕込・取出室と成膜室との間で、複数のキャリアが並列に搬入・搬出可能に構成され、成膜室で、複数のキャリアに保持された複数の基板に同時に成膜を行うことができる薄膜太陽電池製造装置であって、成膜室内に付着している副生成物に対して窒素ガスを噴射可能な複数の窒素ガス噴射機構１７０を有する供給管１５１と、供給管に窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１５８と、が設けられ、窒素ガス噴射機構には、供給管に対して回転しながら窒素ガスを噴射する噴射口が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板保持手段に保持された基板の処理が終了し、他の基板保持手段に搬送される基板を待つ時間に消費される電力を少なくすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板を収納する基板収納手段と、基板を保持する複数の基板保持手段１３と、前記基板収納手段から前記基板保持手段１３に基板を搬送する基板移載手段１５と、前記基板保持手段１３に保持された基板を処理する処理手段１１と、電源の切り替えによって前記処理手段１１の温度を制御する制御手段５２とを備え、前記処理手段１１によって前記基板保持手段１３に保持された基板の処理が終了し、前記基板移載手段１５によって他の前記基板保持手段１３に搬送される基板がない場合、前記制御手段５２は、前記基板移載手段１５によって他の前記基板保持手段１３に搬送される基板があるまで、電源を切っておく。 （もっと読む）

【課題】基板を載置するための基板載置部材を回転テーブルに着脱自在に設けることにより、前記回転テーブルにおける基板載置面の表面粗さが適切な範囲から外れた場合に容易に対応できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に設けられ、水平面に沿って回転する回転テーブル２に形成された凹部２４の内部に、基板をなすウエハＷを載置するための基板載置部材２００を着脱自在に設ける。この基板載置部材２００には、回転テーブル２の回転時に遠心力によるウエハＷの移動を規制する位置規制部２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃが設けられている。基板載置部材２００は着脱自在に設けられているので、回転テーブル２の回転時にウエハＷの移動がある場合や、クリーニングによって基板載置部材２００の表面が荒れ、表面粗さが適切な範囲から外れた場合には、基板載置部材２００を交換する。 （もっと読む）

【課題】回転台支持部に対する回転台の位置が変わったことを検知し、載置の中止ないしその旨の警告を行なうことにより、載置の失敗を含む被処理物に対する処理の失敗および処理装置の故障などを未然に防止する。
【解決手段】被処理物を回転台に載置し処理する処理装置であって、前記被処理物を載置する載置場所を有する前記回転台と、前記回転台を支持する回転台支持部と、前記回転台支持部を回転させる回転機構と、前記回転台が備える目印の位置を測定する位置センサとを備え、前記目印の位置から前記回転台支持部に対する前記回転台の位置ずれを求め、前記位置ずれが一定以上の場合に警告または停止する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】搬送アームに付着しているコンタミを除去する基板処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームの洗浄方法であって、前記搬送アームに帯電している異物が付着している場合において、前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の各々に帯電している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧を印加する電圧印加工程を有し、前記搬送アームに付着している異物を除去することを特徴とする搬送アームの洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

流体分配マニホールドは第1プレート及び第2プレートを有する。前記第1プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第1プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第1プレートを変形可能にする厚さを有する。前記第2プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第2プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第2プレートを変形可能にする厚さを有する。少なくとも前記第1プレート及び前記第2プレートの少なくとも一部は、流体流を導く流路を画定する凹凸パターンを画定する。前記第1プレート及び前記第2プレートは1つとなって、前記長さ次元と前記幅次元のうちの少なくとも1つに沿った高さ次元において非平面形状を形成する。
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【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥のない堆積膜を低コストで形成することができる堆積膜形方法を提供する。
【解決手段】少なくとも上部又は下部に補助基体を設けた円筒状基体の表面にシリコン原子を母材とする非晶質材料からなる機能性膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、円筒状基体に補助基体を取り付けた状態で両者の表面を同一条件で連続して切削加工をおこなう工程と、前記円筒状基体に前記補助基体を取り付けた状態で機能性膜の形成をおこなう工程をおこなう。 （もっと読む）

流体分配マニホールドは、第１のプレートと第２のプレートとを備える。少なくとも第１のプレートおよび第２のプレートの少なくとも一部は、レリーフパターンを画成する。レリーフパターンによって画成される流体流配向パターンを第１のプレートおよび第２のプレートが形成するように、第１のプレートと第２のプレートとの間に金属結合剤を配設する。
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【課題】ゲートバルブを２段シール構造とする極めて簡単な構造で、ゲートバルブを介する第１処理室と第２処理室との間のリークを確実に防止する。
【解決手段】ゲート開口部が設けられた弁箱４２と、ゲート開口部を開閉する弁体４５とからなり、弁体４５を移動させて弁箱４２のゲート開口部を閉じたとき、弁箱４２のゲート開口部に沿って設けられたシール座面６４ａ（６４ｂ）に弁体４５の周端面であるシール面５１ａ（５１ｂ）が対向することによってゲート開口部が遮断される構造のゲートバルブであって、シール面５１ａ（５１ｂ）とシール座面６４ａ（６４ｂ）との間の全周にわたってシール部材が設けられ、このシール部材５３は、スライド移動方向に直交する方向の中央部が両側部よりシール面６４ａ（６４ｂ）側に凹んだ凹部に形成されことで、シール部材５３自体が２段シール構造となっている。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの発生を停止した際の気化器内における液体原料の残留を抑制し、液体原料供給経路内の洗浄を容易に行うことが可能な気化器を提供する。
【解決手段】気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔは、液体原料を気化する気化室５１ｓ，５１ｂ，５１ｔと、気化室内を加熱するヒータ６１ｓ，６１ｂ，６１ｔと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔと、噴霧ノズル内へのキャリアガス、液体原料および溶媒の供給を制御するバルブと、を有し、該バルブは噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔに直結されている。 （もっと読む）

【課題】高温下で行われる為に十分な断熱構造が構築されたＳｉＣエピタキシャル膜成膜装置を提供する。
【解決手段】所定の間隔で配列された複数枚の基板１４を処理する処理室と、前記基板の配列領域下部に設けられ、複数枚の断熱部材で構成された処理室下部断熱部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給系と、前記ガス供給系が前記処理室内に処理ガスを供給し、前記基板上に炭化珪素膜を成膜するよう制御するコントローラと、を備える基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体の搬送方法を提供すること。
【解決手段】 複数のロードロック室４１ａ、４１ｂを、被処理体Ｗを複数収容可能に構成し、ロードロック室４１ａ、４１ｂに、処理前の第１の被処理体を搬入し、搬送装置３３を用いて複数の処理室３２ａ、３２ｂから搬送室３１に対し、処理済の第２の被処理体を同時に搬出し、搬送室３１からロードロック室４１ａ、４１ｂに対し、処理済の第２の被処理体を同時に搬入し、搬送装置３３を用いてロードロック室４１ａ、４１ｂから搬送室３１に対し、処理前の第１の被処理体を同時に搬出し、搬送室３１から処理室３２ａ、３２ｂに対し、処理前の第１の被処理体を同時に搬入する。 （もっと読む）

【課題】速やかな基板搬送を可能とし、スループットの向上に資するプロセスモジュール、これを含む基板処理装置、およびこれらにおける基板搬送方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプロセスモジュール１５は、基板Ｗが載置され、載置された当該基板Ｗに対して基板処理が行われる載置部１５Ｓと、外部の基板搬送装置１６に対して基板受け渡しが行われる第１の位置と前記載置部１５Ｓの上方の第２の位置とにそれぞれ独立に位置することができ、それぞれ基板を保持可能な複数の基板保持具１５Ｕ，１５Ｍ，１５Ｄを含む基板搬送機構１５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ロール電極の内部を流通する冷却液が、ロール電極を構成する部材どうしの接合面を通してロール電極の外面へ漏れ出たとしても、処理の安定性が損なわれるのを防止するプラズマ表面処理装置の提供。
【解決手段】ロール電極１の円筒部２０の端壁部３０Ｌを構成する複数の部材３１Ｌ，３３Ｌどうしの接合面５４Ｌが、冷却液路６０に達して内側接合線５５Ｌを形成し、かつ端壁部３０Ｌの外面に達して外側接合線５６Ｌを形成している。端壁部３０Ｌの外面における、放電面２１ａとの境界１ｂと外側接合線５６Ｌとの間に、端壁部３０Ｌの周方向に沿って延びる溝４１Ｌを形成する。 （もっと読む）

【課題】アンロード処理の実行中にロード処理の開始要求がなされた場合であっても、ロード処理を速やかに開始させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室に連通する真空搬送室に連通し雰囲気可変に構成された予備室と、複数の予備室に連通する大気搬送室と、大気搬送室に接続され複数枚の基板を収納する基板収納部を載置する収納容器載置部と、基板収納部と予備室内との間で基板を搬送する大気搬送部と、少なくとも大気搬送部による搬送動作を制御する制御部と、を備え、制御部は、予備室内から基板収納部への基板を搬出するアンロード処理の実行中に、基板収納部から予備室内への基板を搬入するロード処理の開始要求を受け付けたら、アンロード処理の実行を中断させ、ロード処理の実行を優先的に開始させるように大気搬送部を制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面処理量を微小にする
【解決手段】拡散室画成部３０の拡散室３３を漏出口３５を介して処理空間１０ａに連ねる。好ましくは、隔壁１５で拡散室３３を処理空間１０ａから隔て、かつ隔壁１５に漏出口３５を設ける。処理ガスの導入路２９の導入口２５を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、漏出口３５を、ガス導入方向２５に沿ってまっすぐ下流側の位置Ｐからずらし、より好ましくは、隔壁１５と交差する内壁１７の一箇所が上記位置Ｐになるようにする。す。排気路４９の排気口４１を拡散室３３内に開口させる。好ましくは、排気口４１を拡散室３３における漏出口３５の側とは反対側に設ける。 （もっと読む）

【課題】導電膜もしくは絶縁膜を効率的に除去する半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する第１の工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第２の工程と、処理室内から処理後の基板を搬出する第３の工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第４の工程と、を１サイクルとして複数サイクル繰り返した後、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室内に付着した堆積物を除去する第５の工程と、を有する。 （もっと読む）