【課題】キャリアの数が少数であってもプロセスチャンバの稼働率の向上を図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、２つのプロセスチャンバＰＣ１，ＰＣ２と３つのロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２，ＬＬ３が交互に直列に連結されており、隣り合うプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）とロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）との間でだけ複数のキャリアを搬送する搬送装置を備えている。搬送装置によってキャリアがプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）内に位置するとき被成膜材は成膜処理され、ロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）内に位置するとき被成膜材が交換される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を保持部材に良好に固定することができるクランプ装置及び基板ホルダーを提供する。
【解決手段】ベース部４１上に支持シャフトを支点として揺動可能に設けられ、その一端側に基板Ｓに当接する当接部４６を有すると共に他端側に操作部４７を備えたクランプアーム４２と、当接部４６によって基板Ｓが押圧されるようにクランプアーム４２を付勢する付勢部材４３と、当接部４６をベース部４１から離間させた状態でクランプアーム４２の揺動を規制可能に設けられる規制部材４４と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】基板の保持状態を良好に検知することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、搬送室を中心として第１ロードロック室、第２ロードロック室、二つの処理室が配置され、搬送室は、第１のロードロック室及び第２ロードロック室と二つの処理室との間で基板を搬送する基板搬送部を有し、基板搬送部は、第１フィンガ７２ａ及び第２フィンガ７２ｂが設けられた上アーム７４を有し、第１フィンガ７２ａは、第１貫通孔８３及び第２貫通孔８４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理室に供給する液体原料を効率よく気化する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１６内にウエハ１４を搬入する工程と、処理室１６内に液体原料スプレーノズル７０より金属化合物を含む液体原料を供給しつつ液体原料スプレーノズル７０と支持台１８にバイアス電圧を印加することで、液体原料を気化させた原料ガスを帯電した状態で噴霧させてウエハ１４に供給し、ウエハ１４上に原料ガスを吸着させる工程と、処理室１６内に酸化剤を供給することで、ウエハ１４上に吸着させた原料ガスと酸化剤とを反応させて金属含有層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、ウエハ１４上に所定膜厚の金属含有膜を形成する処理を行う工程と、処理室１６内から処理済みのウエハ１４を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】優れたガスバリア性、基板の凹凸の被覆性、基板の損傷抑制、および、耐酸化性にも優れる窒化ケイ素膜を成膜してなるガスバリアフィルム、ならびに、その成膜方法および装置を提供する。
【解決手段】基板側の平均密度が、表面側の平均密度よりも低く、かつ、中央領域の平均密度が、その間であるガスバリア膜を有するガスバリアフィルム、および、プラズマＣＶＤにおいて、成膜中に、基板の搬送方向と逆方向に原料ガス流を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉソースガスと酸化種を用いて被処理体へのＳｉＯ_２膜成膜処理を繰り返し行う際に、被処理体に付着するパーティクル数を低減すること。
【解決手段】処理容器内でＳｉソースガスと酸化種とを用いて被処理体の表面にＳｉＯ_２膜を形成する成膜処理２０１を複数回繰り返し行い、これら成膜処理２０１の間に、被処理体を処理容器から搬出した状態で処理容器内を排気しつつその中の酸化を行う酸化パージ処理２０２を実施する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、容量結合型プラズマＣＶＤによって、基板に窒化珪素膜を成膜する場合において、基板を搬送する際の基板の変形を低減して、ガスバリア性に優れた窒化珪素膜を、高い生産性で製造することができる、ガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスとして、少なくともシランガスとアンモニアガスとを用い、シランガスの流量をＱ［ｓｃｃｍ］、プラズマを生成するために投入する電力をＰ［Ｗ］とした際におけるＰ／Ｑ［Ｗ／ｓｃｃｍ］が１以上で、かつ、少なくとも基板に成膜を行なう際の電極対を挟む２つの搬送手段の間で、搬送される基板にかかる張力を１００［Ｎ／ｍ］以下とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率が低い導電性膜を、速い成膜速度で形成する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する処理室と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する第１の処理ガス供給系と、第２の処理ガスを前記処理室に供給する第２の処理ガス供給系と、前記第１の処理ガス供給系及び前記第２の処理ガス供給系を制御する制御部と、を有する基板処理装置であって、前記第１の処理ガス供給系及び前記第２の処理ガス供給系の少なくともいずれか一方は、前記基板の積層方向に沿って立設する形状が異なる２本のノズルを有し、前記制御部は、前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスを成膜速度の異なるパルスで前記処理室に供給して前記基板に膜を形成する際、前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスの少なくともいずれか一方を前記形状が異なる２本のノズルからそれぞれ供給するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】反応室を開放することなく、かつ、整流板上部の空間容積を変動させることなく、整流板とウェーハの距離を近づけて成膜処理を行うことができ、生産性、膜厚均一性を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、反応室１１と、反応室１１壁面に設けられ、ウェーハｗの搬入出を行うためのゲート１６と、ガスを内部に導入するための導入口１２ｃと、ガスを整流状態で排出するための整流板１２ｄと、所定の内部容積を有するガス供給ユニット１２ａを備えるガス供給機構１２と、ガス供給ユニット１２ａを、整流板１２ｄの下面がゲート１６の位置より下方となるように移動させることが可能な上下駆動機構１３と、ガスを排出するためのガス排出機構１５と、ウェーハｗを保持するための支持部材１７と、ウェーハｗを所定の温度に加熱するためのヒータ２０ａ、２０ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質な窒化チタン膜を、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供することが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理室に基板を搬入する基板搬入工程と、前記処理室に第１の処理ガス及び第２の処理ガスを同時に供給して前記基板に所定の膜を形成する膜形成工程と、前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する除去工程と、前記除去工程の後に、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給して前記基板に形成された膜を改質する改質工程と、前記処理室から前記基板を搬出する基板搬出工程と、を有し、前記膜形成工程では、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する時間が、前記処理室に前記第１の処理ガスを供給する時間より長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池層の原料ガスの最大供給量を減少させることが可能であり、且つ生産性の高い成膜を行うことができる太陽電池の製造装置及び太陽電池の製造方法の提供。
【解決手段】移動チャンバー６と複数の成膜チャンバーとを有し、移動チャンバー６によって電池層成膜前の基板を各成膜チャンバーに搬送し、各成膜チャンバーで基板に対して少なくとも２層の太陽電池層を成膜し、電池層成膜後の基板を移動チャンバー６で所定の位置に搬送する動作を連続的に実施する太陽電池の製造装置において、成膜チャンバーの数を、第１太陽電池層の成膜に要する時間をＴ１とし、第２太陽電池層の成膜に要する時間と、移動チャンバーによる基板の搬送に要する時間、及び移動チャンバーに基板を積み降ろしするために要する時間の合計をＴ２としたときに、Ｔ１：Ｔ２≒１：Ｎ又はＴ１：Ｔ２≒Ｎ：１のＮに１を加えた数とする。 （もっと読む）

【課題】成膜室内壁を保護するライナ上にシリコン結晶が形成されるのを抑制する。
【解決手段】チャンバ１の頂部には、プロセスガス２５の供給部４が、内部には、半導体基板６を載置する回転式のサセプタ７と、チャンバ１の内壁を被覆する筒状のライナ２とがそれぞれ設けられている。ライナ２は、サセプタ７の配置される胴部３２と、供給部４の側にあって胴部３０より断面積の小さい頭部３１と、胴部３０と頭部３１をつなぐ段部３２とを有する。サセプタ７には、サセプタ本体３６上にドーナツ状円板３８が設けられており、ドーナツ状円板３８によりライナ２の段部３２の周囲をカバーしながら、プロセスガス２５を供給部４からチャンバ１内に流下させて、下方に配置されたサセプタ７上の半導体基板６に結晶膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を成膜する際に生じるポリシランを含む副生成物を、非成膜時に迅速かつ簡便に処理することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置は、ＣＶＤ法を用いて、真空中で基板Ｗにシリコン膜を成膜する成膜室１１と、前記成膜室内にオゾン含有ガスを導入可能な第一オゾン含有ガス供給手段１８０と、を少なくとも備え、シリコン膜の成膜を終了した状態にある前記成膜室内に前記オゾン含有ガスを導入することにより、前記シリコン膜の成膜中に生成したポリシランを含む副生成物を酸化させること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理管からボートを搬出する初期段階で発生する蓋の振動を抑制する。
【解決手段】基板を載置するボートと、ボートを収納する処理管と、ボートが載置され処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、蓋を昇降させる昇降機構と、昇降機構を駆動するモータと、処理管の下端面と蓋との間を密封する密封部材と、処理管の下端面もしくは蓋の表面から密封部材を引き離す時に生じる蓋の変形の回復期に基板がボート内の載置位置に留まるようにモータのトルクを制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

−プロセス空間雰囲気圧のプロセス空間雰囲気を用意することと、−プロセス空間雰囲気圧とは異なる外部雰囲気圧の外部雰囲気を用意することと、−外部雰囲気がプロセス空間雰囲気に開口連通する通路であって、外部雰囲気とプロセス空間雰囲気との間での基板の交換が可能である通路を設けることと、−この通路の少なくとも一部を通って延在する交換用流体の流れを生じさせるように、少なくとも１つの交換用流体注入点において交換用流体を通路に注入することと、を含む方法であって、この流れの方向は、−外部雰囲気圧がプロセス空間雰囲気圧より大きい場合は、外部に向かい、−外部雰囲気圧がプロセス空間雰囲気圧より小さい場合は、プロセス空間に向かう、方法。 （もっと読む）

【課題】低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜に隣接して設けられた金属膜と、を有し、金属膜は、第１の金属膜と第２の金属膜との積層構造を有しており、第１の金属膜は第２の金属膜よりも耐酸化性が高い物質で構成され、第２の金属膜は４．８ｅＶよりも高い仕事関数を有する第１の金属膜とは異なる物質で構成され、第１の金属膜は第２の金属膜と絶縁膜との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の面内温度を均一にする。
【解決手段】被加熱体Ｗが搬出入される開口部６を有するチャンバ５と、前記チャンバ内に設けられ、被加熱体を加熱するためのヒータ１０と、前記チャンバ内に設けられ、前記被加熱体を保持するための保持機構１１と、前記ヒータからの熱を前記被加熱体に向けて反射するためのリフレクタ１４と、を備え、前記リフレクタは、前記ヒータを挟んで前記被加熱体とは反対側に配置され、前記リフレクタにおける前記開口部に近接する位置の面積を他の位置に比べて拡大した。 （もっと読む）

【課題】被覆工程中の下地温度の均一性を向上することによって、下地全体にわたるプラズマ被覆性能の改善された一貫性を提供する。
【解決手段】下地がプラズマ・アーク被覆システムを通って進む際に前記下地を加熱するための装置であって、二次元配列された複数の第１の熱源にして、該第１の熱源配列の前で下地に熱を供給する、複数の第１の熱源と、下地のための所定の温度プロファイルに従って前記下地の表面の局部区域を加熱するために、各第１の熱源の動作を制御する制御装置とを含む、加熱装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、成膜レートの低下を改善することができ、組成比を適切に調整することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理室内に第１の処理ガスを供給して基板上に第１の処理ガスを吸着させる工程と、処理室内をパージする工程と、処理室内に第２の処理ガスと第３の処理ガスとを同時に供給して基板上に吸着している第１の処理ガスと反応させる工程と、処理室内をパージする工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返すことにより、基板上に所定膜厚の薄膜を形成し、その際、基板の温度と処理室内の圧力を、各処理ガスが自己分解しない程度の処理温度と処理圧力であって、第２の処理ガスと第３の処理ガスとが互いに反応せず、第２の処理ガスと第３の処理ガスのそれぞれが第１の処理ガスと反応するような処理温度および処理圧力に設定するようにした。 （もっと読む）