【課題】有機ＥＬデバイスを作製する際、大型の成膜対象物の表面に分布が均一な成膜を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】真空槽２内に設けられたプラズマＣＶＤ装置３と蒸着重合装置４とを備える。プラズマＣＶＤ装置３のプラズマ放出器１０は、原料ガス供給源３Ｂから原料ガスがそれぞれ供給され互いの雰囲気が隔離されたガス分岐ユニット６１〜６４と、ガス分岐ユニット６１〜６４において拡散された原料ガスのプラズマを形成するプラズマ形成室５１とを有する。蒸着重合装置４の蒸気放出器１１０は、原料モノマー供給源４Ｂから原料モノマーの蒸気がそれぞれ供給され互いの雰囲気が隔離された複数の蒸気分岐ユニット１０１Ａ、１０１Ｂと、蒸気分岐ユニット１０１Ａ、１０１Ｂにおいて拡散された複数の原料モノマーの蒸気を混合する蒸気混合室１５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜効率を低下させることなく、成膜動作の停止状態における加熱室を真空排気するための消費エネルギーを低減したインライン成膜装置を提供する。
【解決手段】基板を導入および又は導出する移載室２，５、導入した基板を加熱する加熱室３、基板上に成膜を生成する成膜処理室４の各処理室を直列に配列し、基板を各処理室に順次移動させて成膜動作を行う成膜装置１であり、移載室、加熱室、および成膜処理室は、各室を個別に真空排気する真空排気機構を備える。加熱室が備える真空排気機構は、成膜装置の成膜動作の実行状態において連続駆動し、成膜動作の停止状態において断続駆動する。成膜動作の停止状態で真空排気機構を断続駆動することによって、真空排気機構を常時駆動する場合と比較して加熱室を真空排気するための消費エネルギーを低減する。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の処理装置の構成要素を小型化することで製造コストを更に低減できる物品の処理方法を提供する。
【解決手段】第１成膜ユニットで第３群のペットボトルＰＢにＤＬＣを成膜処理している間に、第２成膜ユニットにおいてＤＬＣが成膜された第２群のペットボトルＰＢを搬送路に排出し、かつ、後続の第４群のペットボトルＰＢを第２成膜ユニットに供給する第１処理ステップと、第２成膜ユニットにおいて第４群のペットボトルＰＢにＤＬＣを成膜処理している間に、第１成膜ユニットにおいてＤＬＣが成膜された第３群のペットボトルＰＢを搬送路に排出し、かつ、後続の第５群のペットボトルＰＢを第１成膜ユニットに供給する第２処理ステップと、を交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハのオリフラ近傍の成膜の膜厚が、他の領域と比較して低減することを抑制する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、第１のオリフラ２０４が設けられた第１のウェハ２０２および第２のオリフラ２１４が設けられた第２のウェハ２１２を搬送する搬送部１０２と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の上面および第２のウェハ２１２の上面（疑似ウェハ２００の上面）に原料ガスを供給する第１の供給部と、搬送部１０２に設けられており、第１のウェハ２０２の下面および第２のウェハ２１２の下面（疑似ウェハ２００の下面）に、原料ガスのウェハの下面への回り込みを防止するガスを供給する第２の供給部と、第１のウェハ２０２および第２のウェハ２１２の搬送部１０２上の配置位置を制御する制御部と、を備え、制御部は、上面視において、第１のオリフラ２０４を形成するために第１のウェハ２０２が切り欠かれた切欠領域の内側に、第２のウェハ２１２を配置する。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の処理装置の構成要素を小型化することで製造コストを更に低減できる物品の処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物であるペットボトルＰＢが搬送機構４０で搬送が開始される位置を位置Ｓ、第１反転移載装置７０で移載される位置を位置Ｅ、位置Ｓから第１成膜ユニット５１に対応する位置Ｐ１までペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ１１、位置Ｓから第２成膜ユニット５２に対応する位置Ｐ２までペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ２１、位置Ｐ１から位置ＥまでペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ１２、位置Ｐ２から位置ＥまでペットボトルＰＢが搬送される距離をＬ２２、とすると、Ｌ１１＝Ｌ２２及びＬ１２＝Ｌ２１を満足する。そして、第１成膜ユニット５１においてＤＬＣ成膜処理を行う第１処理ステップと、第２成膜ユニット５２においてＤＬＣ成膜処理を行う第２処理ステップと、を交互に繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、見た目に美しい金色の外観を有するコーティングされたガラス製品を提供することである。
【解決手段】 本発明は、ガラス製品上に酸化鉄コーティングを施す方法を定める。製品は、建築用グレイジングとして用いられるのが好ましい。上記方法には、コーティングが蒸着される表面を有する加熱ガラス基材を供給する過程が含まれる。コーティングされる表面に向けてかつその表面に沿って、フェロセン及びオキシダントが送り出され、フェロセン及びオキシダントはガラス基材の表面またはその付近で反応して酸化鉄コーティングを形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させる薄膜太陽電池製造システムおよび薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を一括処理する第１成膜装置２２，２３と、複数の基板を一括処理する第２成膜装置７９，８０と、第１成膜装置２２，２３および第２成膜装置７９，８０に、複数の基板を収容して搬送可能であるカセットとを備えている。カセットの基板収容枚数は、第１成膜装置２２，２３の基板処理枚数と第２成膜装置７９，８０の基板処理枚数との公倍数である。 （もっと読む）

【課題】ポッドオープナでのウエハの位置ずれを検出可能とする。
【解決手段】ポッドのドアを開閉するポッドオープナ２０のウエハ出し入れ口５０にロータリーアクチュエータ６０を設置し、ロータリーアクチュエータ６０のアーム６１にブラケット６２によってマッピング装置とウエハ位置ずれ検出装置とを設置する。ウエハ位置ずれ検出装置は複数個の限定反射形センサにより構成し、各限定反射形センサは投光部と受光部とを略同じ方向を向いてウエハに非接触に配置し、投光部からの検出光がウエハの外周面で反射し、反射光が受光部によって受光されたか否かで、ウエハの位置ずれの有無を判断するように構成する。ウエハの位置ずれを検出することで、ウエハ移載装置のツィーザがウエハに衝突する事故を未然に防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板表面へ供給される活性種の濃度を増大させ、基板処理工程の効率や生産性を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板を所定の間隔で多段に積層して収容する処理室と、該処理室内で処理ガスを基板の表面へ噴出する複数のガス噴出口が設けられ基板の積層方向に沿って延在するガスノズル２７０ａと、を備え、前記ガス噴出口から噴出する処理ガスを活性化させて基板に供給するガス活性化部２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを、前記ガスノズル２７０ａの外側に、前記処理ガスの流れが基板の外周縁に対して垂直となるように通過可能な隙間を空けながら、前記ガス噴出口を囲むように、有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成の再現性を向上させる。
【解決手段】薄膜形成装置は、第１のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第１のサセプタの表出面を覆う第２のサセプタを前記第１のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置において効率良く成膜処理を実現可能な技術が望まれている。
【解決手段】外周縁部に切り欠き部１０ＴＮ，１０ＢＮが設けられた２枚のウェハ１０Ｔ、１０Ｂを裏面同士が対向した状態でウェハ保持用の溝部に保持可能にするボート３１と、前記ボート３１を収納して前記２枚のウェハ１０Ｔ、１０Ｂのそれぞれの表面に気相成長反応により被膜を形成する反応炉とを備える。前記溝部の前記２枚のウェハを保持するそれぞれの位置は、前記ウェハの表面と平行な方向においてずれている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置に備わる真空室と装置外部との間のリークを早期に検知することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】真空室において、高真空領域の圧力判定値と低真空領域の圧力判定値との間の圧力領域に任意の圧力値（例えば１Ｐａ）を設定し、ウエハ搬送室の圧力が低真空側から高真空側へ通過する任意の圧力値を第１トリガポイントＰ１と設定し、次にウエハ搬送室の圧力が低真空側から高真空側へ通過する任意の圧力値を第２トリガポイントＰ２と設定する。第１トリガポイントＰ１と第２トリガポイントＰ２との間で、低真空側の最大圧力が低真空領域の圧力判定値に到達しているか否かの判定と高真空側の最小圧力が高真空領域の圧力判定値に到達しているか否かの判定を行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハの処理枚数が多く、また、ウエハへの膜の成膜後のウエハ良否の選別処理機能を有する常圧気相成長装置を提供する。
【解決手段】ウエハトレー１と、前記ウエハトレー１を水平方向に搬送するウエハトレー駆動装置と、ウエハ３に、原料ガスを吹き付けるガスヘッド６と、前記ウエハトレー１を加熱するヒーター７と、成膜前にウエハ上部を加熱しウエハ３の反りを矯正する機構７１と、成膜後のウエハトレー１を垂直下降方向に移動させるＤＯＷＮリフトと、成膜前のウエハトレー１を、垂直上昇方向に移動させるＵＰリフトとで構成され、前記ＤＯＷＮリフトの下端と、ＵＰリフトの下端との間に、ウエハトレー反転機構４が配置されており、ＤＯＷＮリフトから運搬された成膜後のウエハトレー１を設定した角度内で反転させて、成膜途中にて破損したウエハ３を、ウエハトレー１から脱落させる機能を有する常圧気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】第１搬送手段及び第２搬送手段の調整処理と、調整が終了した処理室へのプロセス前準備を並行して実施可能とすることで、調整処理時間の短縮を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理を施す複数の処理室５，６と、該処理室へ基板を搬送する第１搬送手段を備えた第１搬送室２と、大気圧状態で基板を搬送する第２搬送手段を備えた第２搬送室７と、第１搬送室と第２搬送室を連結する減圧可能な予備室３，４と、第１搬送手段及び第２搬送手段の駆動を制御する第１制御手段と、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段の調整処理を指示する第２制御手段とを具備し、組立時の調整処理の際に、第１搬送手段及び／又は第２搬送手段の調整処理と、処理室のプロセス前準備を並行して実施可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】成膜処理後の基板上の塵を確実に除去することができる成膜装置提供。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置(1)は、トレイ(16)上に載置された基板(17)に薄膜を形成する成膜処理室(12)と、成膜処理済みの基板(17)が載置されたトレイ(16)を搬送する搬送装置(14,15)と、搬送移動しているトレイ(16)の基板載置面に向けてエアを噴出して、トレイ(16)および該トレイ(16)に載置された基板(17)に付着する塵を吹き飛ばすブロア(22A,22B)と、吹き飛ばされた塵をエアとともに吸引するノズル(25)とを備える。ブロア(22A,22B)は、搬送方向下流側に斜めにエアを噴出する噴出口と、搬送方向上流側に斜めにエアを噴出する噴出口とを備え、ノズル(25)にはこれらの噴出口の間に配置されて基板載置面に対向する吸入口が設けられている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池基板の自然酸化膜除去処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する方法であって、処理用ガス供給装置から第１処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第１周波数の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に窒素イオンを含むプラズマを発生させ、この窒素イオンによって太陽電池基板の酸化膜を除去する除去工程と、処理用ガス供給装置から第２処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第２周波数（＞第１周波数）の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させ、このプラズマによって太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜する成膜工程とを連続して行う。 （もっと読む）

【課題】多数のウエハを同時に成膜処理しても、ウエハ内及びウエハ間で膜厚がばらつくことのない有機金属気相成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る有機金属気相成長装置は、反応容器１と、この反応容器１内に配置されたサセプタ保持台３、このサセプタ保持台３の上面に配置された複数のサセプタ４、サセプタ保持台３の下部に配置された抵抗発熱体５、反応容器１内に原料ガスを導入するガス導入部１１及び１５、反応容器１内のガスを排気するための排気路２０を備えている。サセプタ４の上面にはウエハ１００が載置される。反応容器１は下部反応容器２ａと蓋２ｂからなり、蓋２ｂの下面には複数のサセプタ４を互いに隔離する隔離部材９が取り付けられている。各サセプタ４と隔離部材９とから反応空間１０が形成される。ガス導入部１１及び１５は分岐導入管１３，１７を有しており、原料ガスは各反応空間１０に導入される。 （もっと読む）

【課題】装置振動等による基板の位置ずれを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板搬送用の搬送ロボット３０が配置された搬送チャンバ２０と、搬送チャンバ２０の周囲にスリットバルブ７０を介して接続されたプロセスチャンバ１０と、を備える。プロセスチャンバ１０は、載置台１１を備え、載置台１１からリフトピン１２に基板Ｗを移載することで搬送ロボット３０への基板Ｗの受け渡しが可能になっている。リフトピン１２を制御する移載制御部１３は、搬送ロボット３０が該当プロセスチャンバ１０への基板の搬送動作を開始した後に、リフトピン１２へ基板Ｗを移載させる。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の被処理体を搬送する第１の搬送装置３４が配置された搬送室３１と、搬送室３１の周囲に設けられ、複数の被処理体に処理を施す処理室３２と、搬送室３１と処理室３２との間に設けられ、第１の搬送装置３４が搬送してきた複数の被処理体を搬送装置３４から移載して処理室３２に搬送する第２の搬送装置３７が配置された移載室３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマＰを生成する。このプラズマＰを用いて被処理物Ｗの表面に膜原料を付着させて成膜するための成膜装置Ａに関する。膜原料を含有する成膜ガスＣＧを流通させるための第１流路５。プラズマ生成ガスＰＧを流通させるための第２流路９。前記プラズマ生成ガスＣＧに電界Ｅを印加してプラズマＰを生成するための電極３。前記第１流路５と前記第２流路９とを合流させる合流部１４とを備える。前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入方向と、前記合流部１４での前記プラズマＰの流通方向とが略平行となるように前記第１流路５が前記第２流路９内に形成される。 （もっと読む）