【課題】ウェハの均一な温度分布を実現するのに有効なサセプタと、スリップの発生を低減しつつ、均一な膜厚の膜を成膜することのできる成膜装置とを提供する。
【解決手段】サセプタ１０２は、シリコンウェハ１０１の外周部を支持するリング状の第１のサセプタ部１０２ａと、第１のサセプタ部１０２ａの外周部に接して設けられ、第１のサセプタ部１０２ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部１０２ｂとを有する。第２のサセプタ部１０２ｂは、シリコンウェハ１０１が第１のサセプタ部１０２ａに支持された状態でシリコンウェハ１０１との間に所定の間隔Ｈの隙間２０１が形成されるように配置されるとともに、第１のサセプタ部１０２ａとの間にも隙間２０１に連続し且つ所定の間隔Ｈと実質的に等しい間隔Ｈ’の隙間２０２が形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の不純物による汚染を防止するために基板の搬送環境を整える。
【解決手段】基板を予備室１から搬送室３を介して処理室２に搬送する工程と、処理室内で基板を処理する工程と、処理済基板を処理室２から搬送室３を介して予備室１に搬送する工程とを有し、基板を搬送する各工程では、基板の存在する室に連通する室の全てに対して、不活性ガスを供給しつつそれぞれの室に接続された排気系の全てより真空ポンプを用いて排気する。 （もっと読む）

【課題】未処理のままのウェーハが存在するか否を確実に検出でき、また空処理等の不規則な処理にも対応することができ、従って未処理のウェーハを次工程へ送ってしまう等の損失を防止できるウェーハの処理システム及び処理システム並びにエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハの処理システムを提供する。
【解決手段】少なくとも、ウェーハの処理装置のロードロック室内に配したカセットに複数枚のウェーハを収納し、前記カセットから前記ウェーハを処理室に順次搬送して、該搬送した前記ウェーハに枚葉式で所定の処理を施すウェーハの処理方法において、前記カセットに移載装置によって前記ウェーハを投入する際に、前記ウェーハの投入枚数Ｎ１を計数する一方、前記カセットから前記処理室へウェーハを搬送した回数Ｎ２を計数し、前記Ｎ１と前記Ｎ２が一致するか否かを判定することを特徴とするウェーハの処理方法。 （もっと読む）

【課題】被搬送物を搬送先にまで高精度に搬送することができる搬送装置および搬送方法を提供する。
【解決手段】基板トレイ搬送装置は、基板３を載せた基板トレイ１７を搬送アーム２６によって把持し、載置台５まで搬送する。搬送アーム２６の先端部には、反射型光ファイバーセンサー２５を有している。搬送アーム２６は縁に到達する直前に減速する。その際、センサー２５は載置台５の縁を検出する。搬送アーム２６が減速しているので、センサー２５による縁位置の検出は安定化する。制御装置３７は、センサー２５による縁位置の検出結果に基づき、載置台５の縁から載置台５の中心までの距離と、基板トレイ１７からセンサー２５までの距離とを加えた距離だけ、載置台５の縁から搬送アーム２６を移動させるように、第一の移動機構２８を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板処理に関するプログラムの編集画面において、編集画面の編集部分を、コンピュータ上のツールで変換することなく編集の内容を一目で理解できるようにする。
【解決手段】 基板処理に関するプログラムの編集画面を表示する表示手段と、編集画面に表示される各種キーの操作をキーログとして収集するキーログ収集入力手段と、キーにより編集された編集画面をキーログに関連付けて記憶手段に保存するキーログ保存手段と、記憶手段に保存された編集手段とキーにより編集された部分の画面表示形式を、区別可能に変更する表示形式変更手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、長期間にわたって、基材フィルムと無機酸化物蒸着膜との間の高い密着性、及びそれに基く高いガスバリア性を維持することができる透明蒸着フィルム、並びにそれを使用した積層体を提供すること。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、耐プラズマ保護層を設け、その上に、プラズマ化学気相成長法により無機酸化物蒸着膜を設けた透明蒸着フィルムであって、該耐プラズマ保護層が、特定の粒子径のアルミナゾルを特定量含む上記透明蒸着フィルムとする。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスに必要な寸法を減少し専有床面積を減少する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を移載する基板移載装置が配置された移載室と、該移載室の背面に配設され、基板を待機させる待機室と、前記待機室の上方に配設され基板を処理する処理室とを備えており、前記基板移載装置は、前記移載室内の幅方向一方側に配置され、前記移載室内の前記幅方向他方側には、前記移載室の雰囲気を清浄するクリーンユニットが配置され、前記幅方向他方側の前記移載室の正面または背面には、開口部と該開口部を開閉する開閉手段とが、前記基板移載装置よりも前記クリーンユニットに近くなるに従って前記移載室の空間が漸次小さくなるように配置されている。 （もっと読む）

連続補給ＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウエハを搬送する、ウエハ搬送機構を含む。堆積チャンバは、ウエハ搬送機構によって搬送される間、ウエハを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源と、を含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
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本発明は、一般に、ＬＥＤ構造を形成する装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、水素化物気相エピタキシャル（ＨＶＰＥ）プロセスまたは有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）プロセスによって第１の処理チャンバ内で基板上に第１の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第１の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の処理チャンバ内で第１の層を覆って第２の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第２の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の層を覆って第３の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第３の層を形成するステップとを含む、窒化化合物構造を製作する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】対向面部材及び／またはサセプタ上面カバーの取外しの際にこれらに付着した生成物の落下によって悪影響を受けることのない気相成長装置を提供する。
【解決手段】チャンバー本体３と、チャンバー蓋５と、チャンバー本体内に設置されて基板が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備えた気相成長装置であって、対向面部材１３を保持して昇降可能に構成された対向面部材昇降機構１４と、対向面部材昇降機構１４に保持された対向面部材１３の下方に移動して平面視でサセプタ１１を覆うように配置される搬送板１６を有すると共に搬送板１６に対向面部材１３を載置して搬送する搬送装置とを備え、対向面部材昇降機構１４は対向面部材１３の保持と保持解除を行うことができる保持部を備える。 （もっと読む）

一実施形態では、シャワーヘッドを備えた有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバの処理領域内のサセプタ上に１枚または複数の基板を設置するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ中へとシャワーヘッドを通して第１のガリウム含有前駆物質および第１の窒素含有前駆物質を流すことによって、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いて基板の上方に窒化ガリウム層を堆積するステップと、大気に１枚または複数の基板を曝すことなくＭＯＣＶＤチャンバから１枚または複数の基板を取り除くステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するために、処理チャンバ中へと塩素ガスを流すステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するステップの後で、ＭＯＣＶＤチャンバ中へと１枚または複数の基板を搬送するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いてＧａＮ層の上方にＩｎＧａＮ層を堆積するステップとを備えた、化合物窒化物半導体デバイスを製造するための方法を提供する。
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【課題】結晶成長中において基板の形状を計測し、かつ原料ガスの流れの乱れを少なくすることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＭＯＣＶＤ装置は、原料ガス３８ａを供給して基板３３の被処理面に結晶を成長させ、基板３３の被処理面に面した壁に、基板３３の被処理面の中央部を望み得る窓３０ｃを有する反応室３０と、反応室３０に設けられ、基板３３を載置して回転（移動）させるための回転台（移動台）３１と、回転台３１によって回転する基板３３の被処理面に、窓３０ｃを介してレーザー光４０ａを垂直に照射するとともに、被処理面から反射したレーザー光４０ｂを、窓３０ｃを介して受光して、ドップラー効果を利用して基板３３の回転速度を計測するための第１の速度計測手段４０と、第１の速度計測手段４０による計測結果を処理して基板３３の形状情報を出力するための処理手段４１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置と、効率的な成膜方法とを提供する。
【解決手段】有機金属気相成長法により、成膜室内に載置される基板Ｗに成膜処理を行う成膜装置１は、成膜室を３以上備え、第１の成膜室２と第２の成膜室１０２と第３の成膜室２０２は、互いに独立に、少なくとも原料ガスの組成と、原料ガスの流量と、室内の温度と、室内の圧力とが制御され、それぞれが異なる膜を基板Ｗ上に形成するよう構成されている。成膜室２、１０２、２０２の外部には、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 トレイを用いることなく基板の温度分布の均一化を図りながら当該基板を搬送することができる基板加熱搬送装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る基板加熱搬送装置１０は、加熱源２０と、この加熱源２０上に載置される均熱板４０と、を具備する。加熱源２０には、複数の貫通孔２２，２２，…が設けられており、均熱板４０にも、同様の貫通孔４２，４２，…が設けられている。さらに、加熱源２０には、均熱板４０と同素材の補完ブロック５０，５０，…が設けられている。この補完ブロック５０，５０，…と均熱板４０の各貫通孔４２，４２，…とが嵌合しているときに、加熱源２０の熱が均熱板４０を介してガラス基板１００に伝えられる。そして、均熱板４０の各貫通孔４２，４２，…が加熱源２０の各貫通孔２２，２２，…上にあるときに、ローラ３０，３０，…によってガラス基板１００が搬送される。 （もっと読む）

【課題】装置の外径サイズを一定寸法以下に維持しつつ、生産効率及びコストパフォーマンスの高い真空装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能なチャンバ３０と、第１及び第２トレイを、チャンバ３０の上部の第１及び第２の領域の直下に、交互に移動させるように回転する円盤状の回転機構３１とを備え、第１の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１のいずれかが仕切ることにより、第１の領域がなす密閉領域を処理室２０として定義し、第２の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより、第２の領域がなす密閉領域をロードロック室１０として定義し、チャンバ３０の内部において、第１及び第２トレイ１１，２１をロードロック室１０と処理室２０との間を交互に搬送し、回転機構３１の載置面で規定される領域のサイズに応じて第１及び第２トレイ１１，２１のそれぞれが複数の被処理基板１０１，２０１を配列する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送系を高温環境、ダスト環境から隔離でき、それらの環境に起因するトラブルを回避可能な真空装置を提供する。
【解決手段】第１及び第２の凸部を上部に有し、真空排気可能なチャンバ１と、複数の被処理基板１０ａ〜１０ｃ，２０ａ〜２０ｃをそれぞれ載置し加熱する第１及び第２のサセプタ１１，２１を搬送する搬送部８とを備え、第１の凸部がなす領域の直下を第１及び第２のサセプタ１１，２１のいずれかが仕切り第１の凸部に処理室４を定義し、第２の凸部がなす領域の直下を、第１及び第２のサセプタ１１，２１の他のいずれかが仕切り第２の凸部にロードロック室７を定義し、第１及び第２のサセプタ１１，２１をロードロック室７と処理室４との間を交互に搬送する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオード（ＬＤ）などのデバイスを製造するための基板の前処理のための装置および方法に関する。本発明の一実施形態は、酸化アルミニウム含有基板の面をアンモニア（ＮＨ_３）およびハロゲンガスを含む前処理ガス混合物に暴露することにより酸化アルミニウム含有基板を前処理することを含む。
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【課題】基板処理室のクリーニング処理を行う間も搬送装置に仕事をさせることで、搬送装置が本来有するスループットを発揮させ、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる基板交換方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理室と、ロードロック室と、２つの搬送部材により基板を基板処理室及びロードロック室に搬入出可能な搬送装置とを備えた基板処理装置において、第１の基板処理室で処理する基板の交換を行う際、第１の基板Ｗ１を第１の搬送部材により第１の基板処理室から搬出する第１の搬出工程Ｓ１を行った後、第２の基板Ｗ３を第２の搬送部材により第１の基板処理室へ搬入する第１の搬入工程Ｓ４を行う前に、第２の基板Ｗ３を第２の搬送部材により第１のロードロック室から搬出する第２の搬出工程Ｓ２と、第１の基板Ｗ１を第１の搬送部材により第１のロードロック室へ搬入する第２の搬入工程Ｓ３とを行う。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ低コストの構成で、基材上への均一なガス供給を可能にして高質の表面処理を実現する。
【解決手段】基材１２を特定方向に搬送しながら、その表面に向けて表面処理用ガスを供給することにより、基材１２の表面処理を行う。具体的には、円筒状外周面を有して当該外周面が基材１２の表面に隙間２３をおいて対向し、基材１２の搬送方向と略直交する方向の軸を中心に回転する回転体２４と、回転体２４を当該回転体２４が基材１２の表面に対向する部位を残して覆う覆い部材１４と、この覆い部材１４が基材１２の表面に対向する面と当該基材１２の表面との間に電界を形成する手段とを備える。覆い部材１４内に供給された表面処理用ガスが回転体２４の回転に伴いその外周面に巻き込まれて隙間２３に導かれかつこの隙間２３から電界形成領域に供給されてプラズマを生じさせるように、回転体２４及び覆い部材１４が配置される。 （もっと読む）

【課題】内周側仕切板（基板対向面部）の取り外しを容易にすると共に基板取り出しの効率化を図り、作業性に優れた気相成長装置の提供。
【解決手段】気相成長装置１は、チャンバー本体３と、チャンバー本体３に設けられてチャンバー本体３を開閉するチャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、対向面部材１３をサセプタ１１に載置された基板９に対向配置される基板対向面部３７と、基板対向面部３７の周縁部を支持する基板対向面部支持部３９を備えて構成すると共に、対向面部材１３に設けられて該対向面部材１３をチャンバー本体３側に載置する脚部３１と、チャンバー蓋５に設けられて対向面部材１３に対して係脱自在でかつ対向面部材１３を保持できる係合保持機構１５とを備える。 （もっと読む）