【課題】表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器６０内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器６０内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】装置全体を小型化可能として、多層の成膜を形成できる原子層堆積法成膜装置における回転ドラムおよび原子層堆積法成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置を、処理ドラム１００に被成膜基板を所定角巻き付け連続的または断続的に搬送しながら、被成膜基板の内面に成膜する構成として、装置全体を小型化した。そして、処理ドラムに成膜源が設けられた回転ドラムを回転させることにより、多層の成膜を容易に形成できるようにした。 （もっと読む）

【課題】ホットウォールチャンバからの熱によってシール部材が加熱されても，高い真空度を保持したいチャンバ内への大気の侵入を防止し，そのチャンバ内の真空圧力を保持できるようにする。
【解決手段】ホットウォールチャンバであるプロセスチャンバ２００Ｂと，それより高い真空度を保持することが要求されるトランスファチャンバ３００との間のゲートバルブ装置は，トランスファチャンバの側壁と筐体の側壁との間は，そのトランスファチャンバとの基板搬出入口を第１シール部材３３０Ａとその外側の第２シール部材３３０Ｂにより囲んで２重シール構造とし，これらシール部材間の隙間を筐体の内部空間に連通する少なくとも１つの連通孔４０８を筐体の側壁に設け，トランスファチャンバとの基板搬出入口を，筐体内を昇降自在な弁体４１０によって開閉するようにした。 （もっと読む）

【課題】基板の温度が１００℃以下の低温環境下において、基板上にシリコン窒化膜を適切に成膜し、当該シリコン窒化膜の膜特性を向上させる。
【解決手段】ガラス基板Ｇ上にアノード層２０、発光層２１、カソード層２２、シリコン窒化膜２３を順次成膜して、有機ＥＬデバイスＡを製造する。シリコン窒化膜２３は、プラズマ成膜装置の処理容器内にシランガス、窒素ガス及び水素ガスを含む処理ガスを供給し、処理容器内の基板の温度を１００℃以下に維持し、且つ処理容器内の圧力を２０Ｐａ〜６０Ｐａに維持した状態で、処理ガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマ処理を行って成膜される。 （もっと読む）

【課題】成膜に寄与するガスを効率よく使用することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部が設けられた処理室と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、前記基板支持部の下方に設けられ前記処理室内のガスを排気するガス排気部と、前記基板支持部の端部に設けられ、前記基板支持部の上方で生成される励起された処理ガスを前記基板支持部の下方への流れを抑制し、前記処理ガスを失活させるガス流抑制流路と、少なくとも前記基板支持部の基板載置面より下方の前記処理室の内壁に設けられた保護部材と、を有する基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】同一のフォークにより基板及びスペーサ部材のいずれをも支持可能であるとともに、収納容器に収容されている基板及びスペーサ部材の間隔を小さくすることができる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】裏面同士が対向する２枚の基板がスペーサ部材を介して積層されてなる積層体を上下方向に複数保持する基板保持部に対して、積層体を搬送する基板搬送装置において、基板保持部との間で積層体を受け渡す第１のフォーク５３と、第１のフォーク５３の上方に、基板及びスペーサ部材を収容する収容部に進退可能かつ上下反転可能に設けられ、収容部と第１のフォーク５３との間で基板又はスペーサ部材を受け渡す第２のフォーク５４と、第２のフォーク５４の一方の面５４ａ側に設けられ、基板を上掴みする第１の掴み機構６１と、第２のフォーク５４の一方の面５４ａと同一面側に設けられ、スペーサ部材を上掴みする第２の掴み機構６２とを有する。 （もっと読む）

【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】クリーンルーム内でプロセス処理の結果判定や障害調査を確実に且つ迅速に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発生機構と、ガス供給機構とを備えるプロセスモジュールと、ウェハ搬送機構を備えるフロントエンドモジュールとで構成された基板処理装置において、コントローラ１００は、基板を処理する際において発生される温度、ガス流量、圧力、周波数、ＲＦパワーを少なくとも一つ含む情報を収集する収集手段１０４と、収集した情報を演算する演算手段１０４と、収集した情報及び演算した結果の少なくとも一方を蓄積する蓄積手段１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板支持体のために耐久性があり、かつ、寸法的に正確な支持体アームを提供する。
【解決手段】基板支持組立体１００であって、基板のためのポケット１２４を画し、複数のアパーチャ１２２を画すプラットフォーム１２０と、複数の上方延伸アーム１１４を有し、前記アーム１１４のそれぞれは、前記アパーチャ１２２の対応する一つに位置合わせされ、貫通して可動である基板キャリア１１０と、複数のスリーブ１３０が、対応する前記アーム１１４の各々に固定され、前記アーム１１４の各々が、中央に位置するハブ１０４に接続され、前記スリーブ１３０の各々が、前記ハブ１０４に向いている第１の側と、前記ハブ１０４から離れるように向いている第２の側と、前記第１の側に隣接する棚と前記第２の側に隣接する上方延伸部分を有する頂部端とを有し、前記棚は、前記第１の側に向かって傾斜している。 （もっと読む）

【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板７を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板７の少なくとも一方の面側から、基板７の中央部に冷媒を噴き付けて基板７の冷却を行う第１基板冷却工程と、該第１基板冷却工程を経た基板７をアンロード室から搬出した後に、基板７の一方の面の反対側から、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第１基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第２基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するキャリアのクリーニングを行わなわずとも、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗがキャリア２１からヒータ（アノードユニット）９０に移載された後、キャリアは成膜室１１から搬出される。基板をヒータに渡した後のキャリアは、成膜中は、仕込・取出室内で待機すればよい。この後、成膜室と仕込・取出室とを隔てるドアバルブを閉状態にする。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いて分解温度の高い成膜ガスを安定に分解し、成膜を行うことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】内部が減圧空間とされる処理容器と、前記減圧空間に成膜ガスを供給するガス供給手段と、カーボンを主成分とする材料により構成さるとともに、前記減圧空間に設置されて被処理基板を保持する基板保持部と、前記処理容器の外側に設置される、前記基板保持部を誘導加熱するコイルと、前記基板保持部を覆うと共に、前記処理容器から離間させて設置される断熱材と、を有し、前記減圧空間は、前記成膜ガスが供給される成膜ガス供給空間と、前記基板保持部と前記処理容器との間に画成される断熱空間とに分離され、前記断熱空間に冷却媒体が介在されるように構成されていることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、弧状の銅管３からなるコイルが、石英ブロック４の周囲に配置され、弧状の銅管３の弧が途切れた部分にプラズマ噴出口８が設けられる。筒状チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅管３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】真空チャンバ１には、高周波電源に電気的に接続可能な複数のコネクタと、これらコネクタに接続可能な複数本の電極棒を有するアレイアンテナユニット３０と、が設けられている。この真空チャンバ１には、真空状態を維持したまま接続可能なアンテナ搬送チャンバ２００がゲートバルブ２０１を介して接続可能となっている。アレイアンテナユニット３０は、アンテナ搬送体７０Ａに保持されて真空チャンバ１からアンテナ搬送チャンバ２００に搬出され、また、新たなアレイアンテナユニット３０を保持したアンテナ搬送体７０Ｂが、アンテナ搬送チャンバ２００から真空チャンバ１内に搬入される。 （もっと読む）

【課題】透明樹脂基材へ確実に非晶質炭素膜等を成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】互いに対向配置された保持電極１と印加電極２との間に、炭化水素系ガスを含む原料ガスＧｏを供給し、大気圧雰囲気下において、必要に応じて保持電極１と印加電極２との間に直流バイアス電圧を発生させながら印加電極２に交流電圧を印加して、保持電極１に保持された基材Ｗと印加電極２との間でグロー放電プラズマを発生させることで、基材Ｗの表面に非晶質炭素膜等を成膜する成膜方法であって、基材Ｗが透明樹脂であり、該基材Ｗの熱変形温度未満の温度範囲で成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制し、装置内に収納する基板を増加することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は基板処理装置本体とポッドを搬送する搬送機構２２を備え、基板処理装置本体にポッドを搬入出する搬入出部と、基板処理装置本体内においてウエハを収容するポッドを移送するポッド移送装置と、この搬入出部とポッド移送装置とを離間させるようにして設けられ、基板処理装置本体内に搬入されたポッドを収納するバッファ棚とを有し、搬送機構２２はポッド移送装置に向けて伸縮する伸縮部２０２と、伸縮部２０２の伸縮動作に伴って伸縮部２０２の伸縮する長さよりも大きくなるようにポッドを移動させる移動部２１０・２２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する複数の処理室と、前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に基板を搬送する際の衝撃を低減する。
【解決手段】駆動モータ２０の出力軸に接続された駆動ピニオン２１を真空チャンバ１内に備え、駆動ピニオン２１を、基板搬送体６０に設けられたラック６４に噛合させて回転させることにより、基板搬送体６０を真空チャンバ１内に搬入するアレイアンテナ式プラズマＣＶＤ装置において、駆動モータ２０を真空用ダイレクトドライブモータで構成し、駆動ピニオン２１を所定の位相に停止させる。 （もっと読む）

【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、この一対の支柱７５ａ、７５ｂに懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する一対の延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。調整部材７８は、電極棒５１、５２の長手方向に降下して、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理室内部の部材の表面に形成される膜の膜剥がれが抑制されたプラズマプロセス装置を得ること。
【解決手段】処理室１と、処理室１内で被処理基板３を載置する第１電極４と、処理室１内で第１電極４と平行に向かい合う第２電極２と、第１電極４と第２電極２との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給手段８と、処理室１内の排気および調圧を行う排気手段と、前記処理空間に電力を供給して前記処理ガスのプラズマを発生させるための電圧を第２電極２に供給する電源７と、を備え、第１電極４は、被処理基板３を載置する側の面において、載置領域を除いた領域の少なくとも一部に掘り込み部４ａを備える。 （もっと読む）