【課題】良好な二次元電子ガス特性を有し、かつコンタクト特性の良好なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上にＧａＮにてチャネル層を形成し、チャネル層の上にＡｌＮにてスペーサ層を形成し、スペーサ層の上に、障壁層を、少なくともＩｎとＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）なる組成のIII族窒化物であって、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮを頂点とする三元状態図上において、該III族窒化物の組成に応じて定まる４つの直線にて囲まれる範囲内にあるようにする。 （もっと読む）

【課題】表面粗さの低減と摩擦性能の向上させながら微小機械システムの微小機械部品をコーティングする方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微小機械システムの微小機械部品をコーティングする方法は、（Ａ）コーティングすべき基板（４）を用意するステップと、（Ｂ）前記基板（４）を、ダイアモンドコーティング層（１）を施すステップとを有する。前記ダイアモンドコーティング層（１）は、反応容器内でＣＶＤステップにより堆積され、前記ＣＶＤステップによるダイアモンドコーティング層の（１）の堆積プロセスの間の成長プロセスの終了段階に於いて、前記反応容器内の炭素量を変化させ、前記基板（４）の表面近傍のｓｐ^２／ｓｐ^３炭素（２）結合の変化を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度が低減され、表面が平滑な窒化アルミニウム単結晶層を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板１上に、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が３０００以上７０００以下となるように原料ガスを供給し、第一の窒化アルミニウム単結晶層２を形成する第一成長工程、並びに、前記第一の窒化アルミニウム単結晶層２上に、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が３０００未満となるように原料ガスを供給し、第二の窒化アルミニウム単結晶層３を形成する第二成長工程とを含むことを特徴とする積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】サセプタ下流におけるチャンバ内表面への副生成物の付着を抑制することができるエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】内部にガス流路２が設けられてなるとともにウェーハＷを保持するサセプタ２１がガス流路２内に設けられてなるチャンバ１０と、該チャンバ１０の一端側に備えられてチャンバ内にメインガスＭを供給するガス供給口１３ｃと、チャンバ１０の他端側に備えられてチャンバ１０からメインガスＭを排出するガス排出口３０ａとを備えたエピタキシャル成長装置１であって、サセプタ２１の下流側におけるチャンバ１０の底面１０ｂとガス流路２を流通するメインガスＭとを分断するパージガス層Ｌを形成するパージガス層形成手段４０を設ける。 （もっと読む）

PECVDによる基板表面の被覆方法を提供し、当該方法は、有機ケイ素前駆体と随意にO2からなるガス状反応物質からプラズマを生成する手法からなる。当該被覆材の潤滑性、疎水性および/または遮断性は、ガス状反応物質内のO2対有機ケイ素前駆体の比率の設定により、および/またはプラズマ生成に使用する電力の設定により決定される。特に、前述方法により生成される潤滑性被覆材を提供する。前述方法により被覆される容器、および非被覆容器表面の機械的および/または化学的作用から前述の被覆容器内に含有されるまたは収受される化合物または組成物を保護するためのかかる容器の使用法も提供する。
（もっと読む）

【課題】被処理体の表面に形成されている凹部の内径や幅が小さくても、薄膜の成膜時のステップカバレジを向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器２２内へ凹部を有する絶縁層が表面に形成された被処理体Ｗを収容すると共に処理容器内へチタンを含む原料ガスと還元ガスとを供給してプラズマＣＶＤ法によりガスを反応させて被処理体に対してチタンを含む薄膜を形成する成膜方法において、反応が原料ガスの反応律速の反応状態となるように原料ガスと還元ガスの各流量を設定するように構成する。これにより、被処理体の表面に形成されている凹部の内径や幅が小さくなったり、凹部のアスペクト比が大きくなっても、薄膜の成膜時のステップカバレジを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＨＥＭＴ用エピタキシャル層の移動度を低下させることのない、電気特性の良いトランジスタ素子用エピタキシャルウェハを製造することができるトランジスタ素子用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３を形成し、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３上に、ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャル層４を形成するトランジスタ素子用エピタキシャルウェハ１の製造方法において、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３を、成長温度６００℃以上７５０℃以下、Ｖ／III比１０以上１５０以下で成長させ、ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャル層４を、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３の成長温度よりも低温で成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】合成皮革との剥離性の向上が可能であるとともにエンボス加工の賦型率を向上可能なエンボス付き離型紙の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸を有するエンボス付き離型基材１と離型基材１の表面上にＣＶＤ法により形成された剥離層２とを備えるエンボス付き離型紙の製造方法において、凹凸を、所定の温度に冷却したエンボスロール５０を熱溶融樹脂１３と接触させ、熱溶融樹脂１３を冷却固化するチルロールエンボス法により形成する。 （もっと読む）

磁界が存在する中でのプラズマ堆積プロセスにより薄膜を形成する方法。前駆体が、堆積チャンバに配送され、活性化され、プラズマを形成する。プラズマは、磁界が在る時に開始され得るか、又は、開始後に磁界に曝され得る。プラズマは、前駆体から誘導されるイオン種と中性種とを含む。磁界は、プラズマを操作して、イオン種の濃度の低減と中性種の濃度の増加に影響を与える。続いて、薄膜材料は、その結果得られる中性種濃縮堆積媒体から形成される。本方法により、欠陥濃度が低い薄膜材料を形成することができる。一実施形態では、薄膜材料は、光起電力材料であり、欠陥の抑制により、光起電力効率が高められることになる。 （もっと読む）

【課題】超純水のような比抵抗値が高い絶縁流体と接触する状態で使用される場合にも、相手部材との接触摩擦による静電気の発生，蓄積を効果的に防止することができる炭化珪素質摺動部材を提供する。
【解決手段】超純水と接触する状態で使用される炭化珪素質摺動部材Ｐ１において、少なくとも摺動面ＰＡに比抵抗値が１Ω・ｃｍ以下となるようにミラー指数表示における（２２０）面に強配向させた炭化珪素化学蒸着膜ｐａ１をコーティングする。炭化珪素化学蒸着膜ｐａ１は、その比抵抗値を１Ω・ｃｍ以下となるように、ミラー指数表示における（２２０）面に強配向させる。摺動部材Ｐ１の基体ｐｂ１は、密度が３．００ｇ／ｃｍ³ 以上であり且つ炭化珪素純度が８０％以上の炭化珪素焼結体である。炭化珪素学蒸着膜ｐａ１の厚みは１０μｍ〜２ｍｍであり且つ当該膜ｐａ１の炭化珪素純度は９９．９９％以上である。 （もっと読む）

【課題】電子移動度を向上させつつ結晶中のカーボン濃度を所望の値にすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板が配置されたチャンバ内にガス状の窒化物系化合物半導体材料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアンモニア（ＮＨ_３）とを導入してバッファ層１３を形成する際、プロパンなどのカーボンを含む炭化水素または有機化合物の材料ガスを添加剤として導入することで、バッファ層１３のカーボン濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】導電層の形成を抑制することで特性悪化を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉからなる基板上に、構成元素としてＧａを含まず、かつＧａ不純物濃度が２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下のＡｌＮ層を形成する第１工程と、前記第１工程を複数回繰り返した後、ＡｌＮ層の成長に使用した成長装置を用いて、ＡｌＮ層上に構成元素としてＧａを含む窒化物半導体からなるＧａＮ層を形成する第２工程と、を有する半導体装置の製造方法。また、第１工程と第２工程とを別の装置を用いて実施してもよい。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＧａＮ層が形成された積層体の製造時において、ＧａＮ層の形成直後から、その表面が平滑にされたIII族窒化物積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＮ層１５とＧａＮ層１６とを有し、ＡｌＧａＩｎＮ層を組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表した場合に、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である関係を満足するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、ＡｌＧａＩｎＮ層１５上にＧａＮ層１６を形成する工程を有し、ＧａＮ層を形成する工程において、ＧａＮ層の成長速度が０．２〜０．６μｍ／ｈ、III族原料に対するＶ族原料のモル比を示すＶ／III比が４０００以上である。このようにすることで、Ａｌ含有率が高いＡｌＧａＩｎＮ層１５上において、ＳＫモードではなく、疑似ＦＭモードでＧａＮ層１６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】異種基板上へＺｎＯ系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】異種基板４０上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層４２を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化ＩＩ族金属と酸素原料を用いて、ＺｎＯ系半導体層４４，４６を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性のみならず、耐酸化性および透明性にも優れるガスバリア膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｈ結合を有する原料と、Ｎ−Ｈ結合を有する原料と、窒素ガス、水素ガスおよび希ガスの少なくとも１以上とを用い、４１４ｎｍの発光強度Ａ、３３６ｎｍの発光強度Ｂ、３３７ｎｍの発光強度Ｃおよび６５６ｎｍの発光強度Ｄが、『２＜［Ｂ／Ａ］＜２０』、『Ｃ／Ｂ］』、および『０．５＜［Ｄ／Ｂ］＜５０』を満たすプラズマによるプラズマＣＶＤでガスバリア膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】単一のＳｉＣ超硬合金層、または少なくとも１つのＳｉＣ超硬合金層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆された物体、および物体を単一のＳｉＣ超硬合金層、または少なくとも１つのＳｉＣ超硬合金層を含むＳｉＣ多層構造体で被覆する方法を提供する。
【解決手段】単一のＳｉＣ層は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣから、ＳｉＣ多層構造体は、ハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣおよび非晶質ＳｉＣの混合物、またはハロゲン元素を含むナノ結晶３Ｃ−ＳｉＣおよび非晶質炭素の混合物から形成する。被覆は、Ｈ₂および／または１種もしくは複数種の不活性ガス、一般式Ｓｉ_nＸ_2n、Ｓｉ_nＸ_2n+2もしくはＳｉ_nＸ_yＨ_z（ここで、Ｘはハロゲン元素、ｎ≧２）で表される１種または複数種のハロゲン化ポリシラン、ならびに１種もしくは複数種の炭化水素を含む混合ガスを用いて、熱ＣＶＤプロセスを介して行う。 （もっと読む）

【課題】経時変化に伴う劣化が少ない膜を気相化学成長によって高速で形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】互いに異なる原料ガスが供給され、該供給された原料ガスをそれぞれ異なる分解手法によって選択的に分解することにより、膜の形成に寄与する成膜前駆体をそれぞれ生成させる複数の分解室１０，２０と、前記複数の分解室がそれぞれ独立して連結されており、内部に基板が配置される成膜室３０と、を備え、前記複数の分解室でそれぞれ生成した前記成膜前駆体を含むガスを前記成膜室の内部に配置された基板４０にそれぞれ供給することにより、該基板の表面に膜を形成することを特徴とする成膜装置１。好ましくは、ＳｉＨ_４を含む第１の原料ガスと、ＮＨ_３を含む第２の原料ガスをそれぞれ供給して窒化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な表面モフォロジ及び良好なキャリア濃度を提供できる、窒化ガリウム系半導体膜を含むエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮウエハの主面は、エリア（ｂ）〜エリア（ｅ）を含む。エリア（ｂ）は、オフ角ゼロの付近における六角錐状のモフォロジを示す。エリア（ｃ）は、＜１−１００＞方向に０．２度以上１．０度以下及び＜１−２１０＞方向に−０．３度以上＋０．３度以下のオフ角の範囲における、非常に平坦な表面モフォロジを示す。エリア（ｄ）は、合成オフ角１．０度以下であってエリア（ｂ）及びエリア（ｃ）に挟まれたエリアにおける、線状の表面モフォロジを示す。エリア（ｅ）は、合成オフ角１．０度を超えるエリアにおける点状の表面モフォロジを示す。 （もっと読む）

【課題】ケイ素を含む誘電体膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】ここに記載されるのは、低いウェットエッチ耐性、６．０以下の誘電率、及び／又は高温急速熱アニールプロセス耐性、といった特性のうちの少なくとも１つを示す、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、炭化ケイ素及びこれらの組み合わせなどの、とは言えこれらに限定はされない、ケイ素を含む誘電体膜を形成する方法である。同様にここに開示されるのは、例えば半導体ウェーハなどの処理すべき対象物上に誘電体膜又は被覆を形成するための方法である。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体製造装置から排出される排ガスを処理する装置や工程を簡略化する。
【解決手段】排ガス処理装置１０は、複数の半導体製造装置２０から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置１０であって、複数の半導体製造装置２０から排出されるそれぞれの排ガスを集めて混合し収容するガス収容部４０と、ガス収容部４０で混合された混合ガスを希釈ガスで希釈する希釈部５０と、混合ガスを除害する除害部５２と、を備える。 （もっと読む）