アモルファス炭素材料を堆積するための方法が提供される。一態様では、本発明は、処理チャンバに基板を位置決めするステップと、該処理チャンバに処理ガスを導入するステップであって、該処理ガスがキャリアガス、水素および１つ以上の前駆体化合物を含むステップと、二重周波数ＲＦ源から電力を印加することによって該処理ガスのプラズマを生成するステップと、該基板上にアモルファス炭素層を堆積するステップとを含む基板処理方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、天井（２）と基板（４）を載せるための垂直に反対側の加熱された床（３）を有する反応チャンバー（１）中の少なくとも１の特に結晶基板の上に、特に結晶層を堆積するための装置に関するものである。垂直に重ねられたガス入口域（６、７）を形成するガス入口部材（５）は、少なくとも１の第一および１の第二ガス状出発物質を分離して導入し、前記出発物質は、キャリヤガスとともに前記反応チャンバー（１）を通過して水平方向に流れる。前記ガスの流れは、前記ガス入口部材（５）に直接隣接した入口域（ＥＺ）で均質化し、前記出発物質は少なくとも一部分解され、前記入口域（EZ）に隣接した成長域（GZ）中の基板（４）上に堆積される分解物を生成し、ガスの流れは連続的に使い尽くされる。前記入口域（EZ）の水平方向の広がりを減少させるためには、ガス入口部材（５）の追加ガス入口域（８）は、２つの出発物質のうちの一方に必須である。
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本発明は、酸化ハフニウム層および酸窒化ハフニウム層用の前駆体としての高濃度の少なくとも１種のハフニウムアルコキシド溶液の使用に関するものである。本発明は特には、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法用の酸化ハフニウム層および酸窒化ハフニウム層を製造するための濃度３０〜９０重量％の少なくとも１種のハフニウムアルコキシドの溶液の使用に関するものである。さらに本発明は、コーティング対象物上での酸化ハフニウム層および酸窒化ハフニウム層の製造方法、ならびに３０〜９０重量％の少なくとも１種のハフニウムアルコキシドを含むハフニウムアルコキシド溶液に関するものである。本発明の別の実施形態では、前記化合物において、ハフニウムをジルコニウムに置き換える。 （もっと読む）

処理領域と、基板支持体と、ガス分配システムと、ガス混合領域と、フェースプレートに固定されたアダプタリングを所望の温度に加熱するように配置された加熱素子と、温度制御排気システムとを備えた装置。また、ビス(第三級ブチルアミノ)シランを蒸発させ、ビス(第三級ブチルアミノ)シランとアンモニアを処理チャンバへ流し、アダプタリングと少なくとも２つのブロッカープレーで画成された追加の混合領域を有する２つの反応種を合わせ、アダプタリングを加熱し、ビス(第三級ブチルアミノ)シランをガス分配プレートを通って処理領域に流す方法と装置。 （もっと読む）

高いガスバリア性能を持ち、環境耐久性に優れ、かつ曲げてもそのバリア性能が劣化しない透明ハイバリアフィルムが生産性良く提供される。基材の製造方法として、支持体上に少なくとも有機層および無機層を有する基材の製造方法において、前記無機層が、大気圧又はその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し前記放電空間に高周波電界を印加し前記ガスを励起し基材を励起した前記ガスに晒すことで形成され、前記高周波電界は、第１の高周波電界および第２の高周波電界を重畳したものであり、前記第１の高周波電界の周波数ω１より前記第２の高周波電界の周波数ω２が高く、前記第１の高周波電界の強さＶ_１、前記第２の高周波電界の強さＶ_２と放電開始電界の強さＩＶとがＶ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２またはＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上であることを特徴とする基材の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、ＩＶＢ族、ＶＢ族、又はＶＩＢ族の少なくとも１つの元素を含む第一中間層と、前記第一中間層の上に堆積した、ダイヤモンド様ナノコンポジット組成物を含む第二中間層と、前記第二中間層の上に堆積したダイヤモンド様炭素層とを備えた積層構造物に関する。本発明は、更に、そのような積層構造物で被覆された基材を高剪断用途及び／又は高衝撃用途に使用することに関するとともに、そのような積層構造物で基材を被覆する方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、薄い膜厚でも高い表面凹凸を有する透明導電膜を有する透明基体を提供する。本発明の製造方法は、透明基体上に金属化合物、酸化原料および塩化水素を含有する原料ガスを供給し、熱分解酸化法によって透明基体上に結晶性金属酸化物を主成分とする透明導電膜を形成する工程を含み、上記工程が、原料ガスにおける金属化合物に対する塩化水素のモル比が０．５〜５である第１工程と、上記モル比が２〜１０であって第１工程における上記モル比より大きい第２工程とを、この順に含む。本発明によれば、透明導電膜の厚さが３００ｎｍ〜７５０ｎｍで、ヘイズ率が１５％以上である透明導電膜付き透明基体を提供できる。
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【課題】電界効果デバイスのゲート材料を提供すること。
【解決手段】電界効果デバイスのゲート材料として用いられるＴａおよびＮの化合物であって、さらに別の元素を含む可能性があり、約２０ｍΩｃｍより小さな比抵抗を有し、約０．９より大きなＮ対Ｔａの元素比を有する化合物が開示される。そのような化合物の代表的な実施態様であるＴａＳｉＮは、誘電体層および高ｋ誘電体層を含むＳｉＯ_２上の一般的なＣＭＯＳプロセス温度で安定であり、ｎ型Ｓｉの仕事関数に近い仕事関数を有する。第３アミルイミドトリス（ジメチルアミド）Ｔａ（ＴＡＩＭＡＴＡ）などのアルキルイミドトリス（ジアルキルアミド）Ｔａ化学種をＴａ前駆体として用いる化学的気相堆積方法によって、金属性Ｔａ−Ｎ化合物を堆積する。この堆積は共形であり、これらのＴａ−Ｎ金属化合物のＣＭＯＳプロセスフローへの融通の利く導入を可能にする。ＴａＮまたはＴａＳｉＮを用いて加工されたデバイスは、ほぼ理想的な特性を示す。 （もっと読む）

超臨界流体を用いて前駆体を反応室中へ流入させる方法を提供する。いくつかの態様ではＡＬＤ処理中に超臨界流体を用いて少なくとも１種の前駆体を反応室中へ流入させ、また特定の態様においてＡＬＤ処理中に超臨界流体を用いて複数の前駆体を反応室中へ流入させる。本発明を用いて、例えば金属酸化物、金属窒化物及び金属から成る材料等の金属含有材料を含めた種々材料を製造する。反応室中への金属含有前駆体の流入に用いられる超臨界流体を用いて金属酸化物を製造し、次いで前駆体を用いて基板表面上へ金属含有層を形成させる。次いで金損含有層を酸素と反応させて前記層中の金属の少なくとも一部を金属酸化物へ変換させる。

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【課題】 金属−カルボニルプリカーサから金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 熱化学気相成長（ＴＣＶＤ）プロセスによって半導体基板上に金属層を堆積させる方法を提供する。ＴＣＶＤプロセスは、金属層を堆積させるように金属−カルボニルプリカーサを含む希釈したプロセスガスの大流量を利用する。本発明の１つの実施形態では、金属−カルボニルプリカーサは、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、およびＲｕ_３（ＣＯ）_１２の少なくとも１つから選ばれることができる。本発明の別の実施形態では、約４１０℃の基板温度および約２００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力で、Ｗ（ＣＯ）_６プリカーサを含むプロセスガスよりＷ層を堆積させる方法は、提供される。 （もっと読む）

エピタキシャル層を基板（３）上に成長させるための回転ディスク式反応器（１）において、ディスクの回転軸から異なる半径方向距離にある基板に向かうガスが、実質的に同一の速度を有する。軸から離れたディスクの部分（１０ａ）に向かうガスは、軸に近いディスクの部分（１０ｄ）に向かうガスよりも、高濃度の反応ガス（４）を含むとよく、これによって、軸（１４）から異なる距離にある基板表面の部分は、単位面積当りにつき、実質的に同一量の反応ガス（４）を受ける。所望の流れパターンが反応器内において達成され、基板へのエピタキシャル層の均一な堆積と成長を可能にする。

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酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で６０％以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。 （もっと読む）

４．０ ＧＰａを超える圧で焼なましされ１５００度Ｃを超える温度に加熱されるマイクロ波プラズマ化学蒸着により成長した、１２０ ＧＰａより大きい硬さ(hardness)を有する単結晶ダイヤモンド。硬い単結晶ダイヤモンドを製造する方法は、単結晶ダイヤモンドを成長させ、１２０ ＧＰａを超える硬さを有するように４．０ ＧＰａを超える圧および１５００度Ｃを超える温度で単結晶ダイヤモンドを焼なましすることを含む。
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本発明はリンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法を含む。一実施において、リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法は堆積チャンバー中で基板の位置決めをすることを含む。第1及び第2気相反応物をリンでドープした二酸化ケイ素含有層を該基板上に堆積するために有効な条件下で交互の且つ時間を置いたパルスで複数の堆積サイクルで該チャンバー中の該基板へ導入する。該第1及び第2気相反応物の一つはRがヒドロカルビルであるPO(OR)₃であり、そして該第1及び第2気相反応物の他の反応物はRがヒドロカルビルであるSi(OR)₃OHである。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）カクテルを原料としてＣＶＤ法でＣｕ膜を形成するとき、熱安定性を良くし、核発生が良好に誘起され、低温であっても低抵抗でマイクロボイドが発生しにくくする。
【解決手段】Ｃｕ−ＣＶＤプロセス用原料はＣｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）に対してｔｍｖｓとＨｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏを添加して作られる液体原料であり、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）に対するｔｍｖｓの添加割合が１〜１０ｗｔ％の範囲に含まれ、触媒であるＨｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏの添加割合が０．１〜０．０１ｗｔ％の範囲に含まれる。好ましくはｔｍｖｓの添加割合が５ｗｔ％であり、Ｈｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏの添加割合が０．０４ｗｔ％である。 （もっと読む）

グロー放電を用いて、基体上にプラズマ重合された付着を生成させる方法を記載する。グロー放電は電極と対電極との間に発生させる。バランスガス及びテトラアルキルオルトシリケートの混合物がグロー放電を通って基体上に流れ、基体上に、光学的に透明な被膜として、被膜を付着させるか、又は表面改質を生じさせる。この、好ましくは大気圧又はその近傍で実施する方法は光学的に透明で、粉末を含まないか又は事実上粉末を含まない被膜を生成するように設計することができる。
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コロナ放電によって支持体上にプラズマ重合堆積を生成する方法を記載する。コロナ放電は電極と支持体を支持する対電極との間に発生される。バランスガスと作動ガスとの混合物は、電極を速やかに貫流し、コロナ放電によってプラズマ重合し、光学的に透明な被覆として支持体上に堆積する。この方法は、大気圧下又はその近くで実施するのが好ましく、表面改質、耐薬品性及び気体遮断性のような性質を支持体に与える、光学的に透明な粉体を含まない又は粉体をほとんど含まない堆積層を生成するように設計することができる。 （もっと読む）