【課題】導電性ダイヤモンド皮膜を基材金属の表面に密着性良く形成することができ、導電性ダイヤモンド皮膜が電極基材から剥離することが抑制されたダイヤモンド電極とその製造方法、ダイヤモンド電極を陽極として用いることで、長期間、高濃度のオゾンを発生できるオゾン発生装置を提供する。
【解決手段】純Ｔｉ、Ｔｉ合金、純Ｎｂ、純Ｔａから選ばれる基材金属からなる電極基材と、電極基材の表面にボロンをドープして形成された導電性ダイヤモンド皮膜よりなり、電極基材と導電性ダイヤモンド皮膜との界面には基材金属種の水素化物が形成されており、Ｘ線回析測定で得られる水素化物の主ピ−クと基材金属の主ピ−クとの強度比が、０．１以上、３．０以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の周期表１４族元素の高純度な多結晶体を高速で得ることが可能な製造装置を提供する。
【解決手段】多結晶体の製造装置であって、内部に導入された周期表１４族元素のハロゲン化物の超臨界流体状態を形成するための反応容器１０と、反応容器１０の内部に設けられプラズマ放電を行うための電極１１，１２と、反応容器１０本体の内部に設けられプラズマ放電で分解したシリコンを表面上で析出させる種結晶３０と、を有することを特徴とする多結晶体の製造装置Ｉ。 （もっと読む）

【課題】結晶基板の表面にシリコンカーバイドの単結晶薄膜を均一なドーピング濃度と膜厚で成膜することのできる単結晶成膜方法を提供する。
【解決手段】縦型反応器１２内に設けられた支持台１６上に結晶基板１８を配置し、支持台１６を回転させながら結晶基板１８の中央部に、中央部導入口２０ａよりシリコン原料ガスとカーボン原料ガスとドーパントガスとキャリアガスとを混合した反応ガス２２を導入するとともに、結晶基板１８の外周部にも、外周部導入口２０ｂより前記反応ガス２２を導入し、前記結晶基板の表面にシリコンカーバイドの単結晶薄膜を成膜する単結晶成膜方法において、前記中央部導入口２０ａより導入される反応ガスと前記外周部導入口２０ｂより導入される反応ガスのＣ／Ｓｉ比の値を、それぞれに異ならせて設定することにより、単結晶薄膜の膜厚やドーピング濃度のばらつきを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの濃度分布を改善できる気相成長装置を提供すること。
【解決手段】内部で半導体ウェーハＷの主表面にエピタキシャル層ＥＰを成長させる反応容器と、シリコンソースとキャリアガスとを含む反応ガスを、前記半導体ウェーハＷの主表面に沿って該主表面に供給可能な第一のガス供給管３３１と、シリコンソースとキャリアガスとドーパントガスとのうち少なくとも一つを含むガスを、前記半導体ウェーハＷの主表面に沿って該主表面に供給可能な第二のガス供給管３３２と、を備え、前記第一のガス供給管３３１から供給される前記反応ガスの供給方向と前記第二のガス供給管３３２から供給される前記ガスの供給方向とのなす角度が３０〜１２０度であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気相合成法により高品質で大型な単結晶を作製することを可能とするダイヤモンド単結晶基板を提供すること
【解決手段】一部、又は全てが気相合成法で作製したダイヤモンド単結晶である基板において基板内で厚み分布がある面を持ち、厚みの最大部分と最小部分との比（最大厚み／最小厚み）が１．０５以上１．３以下であり、厚みの最大部分が該基板の面積で外周位置にあり、厚みの最小部分が最大部分よりも基板中央部分にあることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着により水素化オキシ炭化珪素の低誘電率薄膜を製造する方法を与える。
【解決手段】メチル含有シラン及び酸素付与ガスを含む反応性ガス混合物を、基体の入った化学蒸着室へ導入し、前記メチル含有シランと前記酸素付与ガスとの間の反応を２５℃〜５００℃の温度で引き起こし、反応中存在する酸素の量を調節して、３．６以下の誘電率を有する水素、珪素、炭素及び酸素を含むフィルムを基体上に形成する、ことからなる水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法。 （もっと読む）

高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い¹³C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。 （もっと読む）

基板を処理するための方法が提供され、ここで第１の有機シリコン前駆体、第２の有機シリコン前駆体、ポロゲン、および酸素源が、処理チャンバーに提供される。第１の有機シリコン前駆体は、一般に低い炭素含有量を有する化合物を含む。第２の有機シリコン前駆体は、より高い炭素含有量を有する化合物を含む。ポロゲンは、炭化水素化合物を含む。ＲＦ電力は、基板上に膜を堆積させるために印加され、さまざまな反応物の流れの流量は、膜の部分が堆積されるにつれて炭素含有量を変化させるために調節される。一実施形態では、堆積膜の最初の部分は、低い炭素含有量を有し、従って酸化物のようであり、一方次に続く部分は、より高い炭素含有量を有し、オキシ炭化物のようになる。他の実施形態は、酸化物のような最初の部分を特徴としない。膜を後処理するステップは、より高い炭素含有量を有する膜の部分に細孔を発生させる。
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【課題】残渣の少ないＣＶＤ用シリコン組成物の提供
【解決手段】環状アルケン、直鎖／分岐／環状アルキル基を有するシリコン含有化合物と安定剤化合物を含有し、安定剤化合物が２００ｐｐｍより多く２００００ｐｐｍ以下の量である組成物。前記安定剤化合物が２６５℃未満の沸点を有する安定化された環状アルケン化合物（例えば、４−メトキシフェノール）であり、安定化された環状アルケン組成物およびシリコン含有化合物よりなる組成物を用いる、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法。 （もっと読む）

本発明は、基板位置において低圧原子層堆積に使用するためのガス供給デバイスに関する。このデバイスは、処理ゾーン（２２）に処理ガスを供給するための第１の概して細長い注入器（２１）と、処理ゾーン（２２）の周囲にある第１の排出ゾーン（２３）と、処理ゾーンを包囲する出口において、パージガス又は不活性ガスを供給するための、第１の排出ガスの周囲にあるさらなる注入器であって、少なくとも１つの部分ガスシール部を画定するための出口の周囲にある基板位置に対面する壁を有するさらなる注入器とを含む。
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炭素系抵抗率スイッチング可能な材料を含むメモリデバイス、およびこのようなメモリデバイスを形成する方法が提供される。この方法は、炭化水素化合物およびキャリアガスを含むプロセスガスをプロセスチャンバに導入するステップと、プロセスチャンバ内でプロセスガスのプラズマを発生させて基板の上に炭素系抵抗率スイッチング可能な材料の層を堆積させるステップと、を含む。多くのさらなる態様が提供される。
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キャッピング層は、汚染からアクティブチャネルを保護するために、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアクティブチャネルの上に堆積してもよい。キャッピング層は、ＴＦＴの性能に影響するかもしれない。キャッピング層があまりに多量の水素、窒素、又は酸素を含んでいるならば、ＴＦＴの閾値電圧、サブスレショルドスロープ、及び移動度に否定的に影響を与えるかもしれない。窒素、酸素、及び水素含有ガスの流速の比率を制御することによって、ＴＦＴの性能が最適化されるかもしれない。更に、電力密度、キャッピング層堆積圧、及び温度も、ＴＦＴ性能を最適化するために制御してもよい。
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【課題】
ＳｉＯ₂膜の常温での高速成膜手法を確立し、屈折率が１．２０〜１．４０と非常に小さいＳｉＯ₂膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
不活性ガスからなるキャリアガス、Ｓｉ元素を含むＳｉ原料ガスおよびＯ元素を含むＯ原料ガスの混合物であるプロセスガス中のＳｉ原料ガスとＯ原料ガスとの合計濃度を０．１０〜５０．０体積％とし、該プロセスガスを、相対する一対の電極間に導入し、該電極に１０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、前記一対の電極の一方の電極表面に成膜速度１７０〜５００ｎｍ／ｓでＳｉＯ₂を堆積することにより、屈折率１．２０〜１．４０のＳｉＯ₂薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の高効率化と生産性向上の両立を図る。
【解決手段】一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層と、一導電型とは逆の導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層との間に、被膜の成膜方向に向かって成長する第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層を有する。一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。非晶質構造の中に存在している第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層で、光電変換を行う領域の主要部を構成する。 （もっと読む）

水素ガス及びハロゲン含有ガスを含む混合ガスを使用して、複数の成長段階同士の間にＣＶＤ反応チャンバを洗い流すことによって、エピタキシャル成長工程の間のメモリ効果を低減する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】炭素原子を含む材料として二酸化炭素を用い、プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ膜の形成を可能とする炭素膜形成方法を提供すること。
【解決手段】課題を解決する炭素膜形成方法は、プラズマＣＶＤ法により基材上に炭素膜を形成する方法であって、水素及び二酸化炭素を含むガスをパルス放電によりプラズマ化して基材上に炭素膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大きな誘電率とリーク電流の抑制の両立が可能なキャパシタ用絶縁膜を提供する。
【解決手段】電極１、２の間に絶縁膜３が挟まれた構造からなるキャパシタ素子において、キャパシタ用絶縁膜３は酸化アルミニウム膜と二酸化チタン膜が交互に積層された積層構造を有し、前記二酸化チタン膜は、ルチル結晶構造を有し、前記酸化アルミニウム膜は、そのトータルの膜厚の比率が、前記積層構造の総膜厚に対して３〜８％である、キャパシタ用絶縁膜。 （もっと読む）

平面酸化亜鉛系エピタキシャル層、付随ヘテロ構造、およびデバイスを形成する方法が提供される。本発明の一実施形態によると、酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法は、ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供するステップと、金属有機化学蒸着を使用して、基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によると、本方法は、基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱するステップを含み得る。
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【課題】タービン動翼などに設けられる遮熱用などの保護皮膜において、接着性の良い保護皮膜、及びその設層方法を提供する。
【解決手段】保護皮膜を有する物品は、第１表面２２を有する基材１８と、第１表面２２から延在する複数の要素２０ａと、複数の要素２０ａの少なくとも一部の間、又は複数の要素２０ａの少なくとも一部の上、又はその両方に配置された保護皮膜２４ａとを備える。複数の要素２０ａは基材１８と一体である。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着法によって形成された酸化膜の膜質を向上させること。
【解決手段】酸化膜改質装置１は、化学蒸着法によって酸化膜（例えばシリコン酸化膜）が形成された基板２を格納すると共にオゾン含有ガスが供給される処理炉３と、この処理炉３内の基板２上の酸化膜に紫外光を有する光を照射する光源４を備える。光源４は前記オゾン含有ガスの供給と同時に前記光を照射する。前記オゾン含有ガスの雰囲気の圧力は例えば０．１〜３０Ｐａに制御される。前記オゾン含有ガスは例えばオゾン濃度が０．１〜１００ｖｏｌ％である。 （もっと読む）