【課題】複数の半導体製造装置から排出される排ガスを処理する装置や工程を簡略化する。
【解決手段】排ガス処理装置１０は、複数の半導体製造装置２０から排出される排ガスを処理する排ガス処理装置１０であって、複数の半導体製造装置２０から排出されるそれぞれの排ガスを集めて混合し収容するガス収容部４０と、ガス収容部４０で混合された混合ガスを希釈ガスで希釈する希釈部５０と、混合ガスを除害する除害部５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】炭素膜と基材との界面における残留応力を抑制し、炭素膜のクラックや剥離を防止し、性能が安定して確保される炭素膜、炭素膜の製造方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】基材１を被覆する炭素膜２であって、ＤＬＣからなる第１炭素膜１１と、平均粒径が２００ｎｍ以下のダイヤモンド粒子からなる第２炭素膜１２と、平均粒径が２００ｎｍを超えるダイヤモンド粒子からなる第３炭素膜１３と、を備え、前記第１、第２、第３炭素膜１１、１２、１３が、前記基材１側からこの順に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、複数の個別のサイクルを含む原子層堆積プロセスによって、反応チャンバ中で基板上に薄膜を形成する方法に関する。複数の個別のサイクルは、個別のサイクルの少なくとも２つのグルーピングを含む。個別のサイクルは、（ｉ）ガス状金属含有前駆体を該反応チャンバ中に導入し、該基板を該ガス状金属含有前駆体に曝露させること（ここで、該金属含有前駆体の少なくとも一部は該基板の表面上に化学吸着されて、その上に単分子層を形成する。）、（ｉｉ）該金属含有前駆体の導入を停止させ、該反応チャンバの容積をパージすること、（ｉｉｉ）ガス状酸素源化合物を該反応チャンバ中に導入し、該単分子層を該ガス状酸素源化合物に曝露させること（ここで、該酸素源化合物の少なくとも一部は該単分子層と化学的に反応する。）、及び（ｉｖ）該酸素源化合物の導入を停止させ、該反応チャンバの容積をパージすることを含む。該方法は、所望の厚さの薄膜が得られるまで、該個別のサイクルを繰り返すことを含む。該方法はまた、個別のサイクルの少なくとも２つのグルーピングを異なる処理条件で行うことを含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の厚みの面内方向の均一性を向上できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置でエピタキシャル層（エピ層）の厚みを測定し、開閉部材の操作によって開閉部材に対応するガス流出口を開閉させ、開閉部材の操作に対応するウェーハ面内のエピ層の厚みをモデル化して、ウェーハ面内エピ厚推定モデルを作成するモデル作成工程Ｓ１と、ウェーハにエピ層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ２と、エピタキシャル層形成工程Ｓ２により形成されたエピ層について複数の測定位置においてエピ層の実厚みであるウェーハ面内実エピ厚を測定する実厚み測定工程Ｓ３と、モデル作成工程Ｓ１により作成されたウェーハ面内エピ厚推定モデルに基づいて開閉部材を操作し、ウェーハ面内実エピ厚のばらつきが最小となるように修正するウェーハ面内実エピ厚修正工程Ｓ１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の高いシリコン酸化膜を低温下で成膜することができるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の成膜方法は、被処理基板Ｗを保持する保持台３４の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器３２内に供給し、処理容器３２内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板Ｗにシリコン酸化膜を形成する工程と、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器３２内に供給し、処理容器３２内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板Ｗ上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きく、均一な結晶性半導体膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に接して結晶性半導体膜を形成する第１の工程と、前記第１の工程よりも核生成頻度が低い条件により結晶性半導体膜を成長させる第２の工程と、により結晶性半導体膜を作製する。第２の工程は、第１の工程よりも半導体材料ガスの流量比が小さい条件で行う。これにより、結晶粒径が大きく、均一性の高い結晶性半導体膜を得ることができ、結晶性半導体膜の下地膜に対するプラズマダメージを従来よりも低減することができる。 （もっと読む）

少なくとも２つの相対する電極（２、３）および処理空間（５）を含む、基材（６）を処理するためのプラズマ処理装置。少なくとも２つの電極（２、３）は、処理空間（５）において大気圧グロー放電プラズマを発生させるためのプラズマ制御ユニット（４）に接続されている。ガス供給機器（８）が、処理空間（５）にガス混合物を提供する。操作では、無機材料の第１層を、２％以下の濃度を有する酸素を含むガス組成物を用いてポリマー基材上に付着させ、その間に電源は３０Ｊ／ｃｍ^２以下のエネルギーを提供する。無機材料の第２層は、３％以上の濃度を有する酸素を含むガス組成物を用いて第１層上に付着させる。第２層の形成中、電源は４０Ｊ／ｃｍ^２以上のエネルギーを提供する。 （もっと読む）

【課題】パーティクル起因の欠陥を低減可能な、窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体膜１３の成長における（窒素原料の供給モル量）／（III族原料の供給モル量）は１２５０以上であり、その成長温度は摂氏１０５０度以上であり、その成長圧力は２００Ｔｏｒｒ以上である。この条件の範囲でパワー系電子デバイスに有用なIII族窒化物半導体膜１３を成長するとき、この成膜条件において（キャリアガスの流量）／（（III族原料の流量）＋（窒素原料の流量）＋（キャリアガスの流量）＋（キャリアガスの流量））が０．５以上である。この比率のキャリアガスにより反応炉１０内の原料ガスを希釈できる。この希釈により、成膜中の成長炉において、基板１１と異なる場所における望まれない原料消費による堆積物の生成を低減できる。また、キャリアガスが水素を含むとき、堆積物の分解が行われる。 （もっと読む）

電源に接続されている２以上の相対する電極の間に形成される処理空間において大気圧グロー放電プラズマを用い、該処理空間において前駆体と酸素を含むガス組成物を用いて、ポリマー基材を生産するためのプラズマ処理装置および方法。無機材料の第１層を、ポリマー基材上に、該ポリマー基材の表面に実質的に垂直に測定された該ポリマー基材の断面の最大山谷高低差として定義されるＲ_ｔ−値の少なくとも１００％の最大厚さ（ｄ３）で付着させる。無機材料の第２層は第１層の上に付着させ、ここにおいて、処理空間において酸素は３％以上の濃度を有し、電源を、２以上の相対する電極間の間隙を横切るエネルギーが４０Ｊ／ｃｍ^２以上になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレジを向上させることができ、これによりスループットも高く維持することが可能な成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器２２内へ凹部６を有する絶縁層４が表面に形成された被処理体Ｗを収容すると共に前記処理容器内へ原料ガスを供給してプラズマＣＶＤ法により前記被処理体に対してチタンを含む薄膜を形成する成膜方法において、前記薄膜の形成時の前記処理容器内のプロセス圧力を２３０〜６３０Ｐａの範囲内に設定する。これにより、ステップカバレジを向上させることができ、スループットも高く維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が２０［ｍΩ・ｃｍ］以下のようなミスフィット転位が発生しやすいシリコン単結晶基板にシリコンエピタキシャル層を成長させるに際して、ミスフィット転位の発生を効果的に抑制することができるシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法並びにエピタキシャル成長用シリコン単結晶基板を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン単結晶基板はドープ剤として少なくともボロンとガリウムの両方が添加されたものであり、かつ抵抗率が２０［ｍΩ・ｃｍ］以下であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 （もっと読む）

【課題】刃先に大きな衝撃がかかる切削においても酸化アルミニウム層とチタン層との界面で破壊が起きず、酸化アルミニウム層が剥離しない安定した切削性能を発揮する切削工具を提供する。
【解決手段】基体の表面に、少なくとも炭窒化チタン層３とα型結晶のαα酸化アルミニウム層４を基体側から順に含む硬質被覆層を形成してなり、硬質被覆層の断面組織において、炭窒化チタン層３とαα酸化アルミニウム層４との間は、炭窒化チタン層３の先端に高さ０．２μｍ〜１．０μｍで、中間高さにおける幅が０．１μｍ〜１．５μｍの突起７が並んでおり、かつ、突起７の側面に高さ２０ｎｍ〜１００ｎｍで、中間高さにおける幅が１０ｎｍ〜５０ｎｍの小突起８を有する表面被覆切削工具である。 （もっと読む）

【課題】装置の大幅な改造をせず汎用的な真空チャンバを用いて、プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボン膜の高速成膜を安定して行う方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法で基材上にダイヤモンドライクカーボン膜を形成する方法であって、基材に印加する電圧をバイポーラＤＣパルス電圧とすると共に、チャンバ内に供給するガスとしてトルエン含有ガスを用い、かつ、チャンバ内のガスの全圧を４Ｐａ以上７Ｐａ以下にしてダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

ガラス製造工程中に大気化学気相堆積法によって導電性酸化チタンコーティングをガラス基板上に堆積させる方法を提供する。該方法は、加熱されたガラスリボンをフロート槽において提供するステップと、ハロゲン化された無機チタン化合物、有機酸素含有化合物、当該前駆体ガス状混合物の１０モル％以下を構成する還元ガス及び１以上の不活性キャリアガスを含む均一な前駆体ガス状混合物を準備するステップと、前記前駆体ガス状混合物を、前記前駆体ガス状混合の熱分解温度よりも低い温度で、前記加熱されたガラスリボンの近傍位置まで搬送するステップとを含む。被覆されたガラス物品は、１×１０^−２Ｓ／ｃｍを超える導電率を示す。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、上述した問題を解決し、成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたZrまたはHfからなる単一金属層とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】幅の狭い溝状領域への層間絶縁膜の形成にポリシラザンを用いた場合のシリコン酸化膜への改質が良好に行われる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面及び側面をキャップ絶縁膜１０７及びサイドウォール絶縁膜１０８で覆われた複数のビット線１０６間に形成された溝状領域１０９と、Ｎ（窒素）よりもＯ（酸素）を多く含み溝状領域１０９の内表面を連続的に覆うＳｉＯＮ膜１０と、ＳｉＯＮ膜１０を介して溝状領域１０９内に埋め込まれ、ポリシラザンを改質することによって形成されたシリコン酸化膜１１とを備える。 （もっと読む）

ルテニウムを堆積するための組成物及び方法。四酸化ルテニウムＲｕＯ_４を含有する組成物を前駆体溶液６０８として使用し、ＡＬＤ、プラズマ強化堆積、及び／またはＣＶＤによって基板４００を被覆する。周期的プラズマ濃縮を使用することもできる。
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【課題】意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板１上にｐ型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＬＬＯ法によらず、より簡便な方法で成長用基板の剥離を行うことが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体エピタキシャル層の成長温度よりも低い成長温度で、Ｖ／III比が３０００以上となるようにＶ族原料とIII族原料を供給して、成長用基板上にIII族窒化物からなる下地層を形成する。次に下地層上に互いに異なる成長速度でIII族窒化物の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施して内部に複数の空孔を含む空洞含有層を長用基板上に形成する。次に空洞含有層の上に半導体エピタキシャル層をエピタキシャル成長させる。次に半導体エピタキシャル層に支持基板を接着する。空洞含有層を起点として成長用基板を剥離する。 （もっと読む）