誘電体層の形成方法が記載される。この方法は、シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と混合するステップと、誘電体層を基板上に堆積させるステップとを含むことができる。ラジカル−窒素前駆体は、遠隔プラズマ内で、窒素／水素比の調整を可能にするために、プラズマの中に水素（Ｈ_２）および窒素（Ｎ_２）を流すことによって形成される。誘電体層は、最初にシリコン−窒素含有層であり、膜を酸素含有環境内で硬化および／またはアニーリングすることにより、シリコン−酸素含有層に変換され得る。
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【課題】多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、有機シラン又は有機シロキサンの１つの前駆体と、該前駆体とは異なるポロゲンであって、本質的に芳香族であるポロゲンとを含むガス状試薬を導入する工程、前記チャンバー中の前記ガス状試薬にエネルギーを適用して該ガス状試薬の反応を引き起こしてポロゲンを含有する膜を堆積させる工程、並びにＵＶ放射によって有機材料の実質的にすべてを除去して気孔を有しかつ２．６未満の誘電率を有する多孔質の膜を提供する工程を含む多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより従来よりも膜質の良好なシリコン窒化膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体（ウエハ）を搬入し、Ｓｉソースとしてのモノクロロシランガスを処理容器内へ供給する工程Ｓ１と、窒化ガスとしての窒素含有ガス（ＮＨ_３ガス）を処理容器内へ供給する工程Ｓ２とを、パージガスを供給して処理容器内に残留するガスを除去する工程Ｓ３ａ、Ｓ３ｂを挟んで交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】高面圧が外周摺動面に加わった場合であっても、硬質炭素膜の剥離を著しく低減できるピストンリングを提供する。
【解決手段】ピストンリング基材１と、ピストンリング基材１の少なくとも外周摺動面に設けられた下地膜２と、下地膜２上に設けられた厚さ１μｍ以上７μｍ以下の硬質炭素膜３とを有する。第１のピストンリング１１は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられたＣｒ膜２ａと、Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂとからなるように構成し、第２のピストンリング１２は、その下地膜２が、ピストンリング基材１上に設けられた第１Ｃｒ膜２ａと、第１Ｃｒ膜２ａ上に設けられたＣｒ−Ｎ膜２ｂと、Ｃｒ−Ｎ膜２ｂ上に設けられて硬質炭素膜３の厚さを１００としたときの厚さが２〜５の範囲の第２Ｃｒ膜２ｃとからなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて低い温度で無機ＳｉＯ₂膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜を堆積する方法であって、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として１５：１と２５：１との間のＯ2／ＴＥＯＳ比で供給し、前記前駆体を、ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し、前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを、高周波成分及び低周波成分を用いて駆動する。 （もっと読む）

【課題】材料ガスの濃度をある設定濃度で一定に保っている際において、材料ガスの分圧が非常に低くなり、バルブの可動範囲内では材料ガスの分圧に対応した全圧を達成することができず、材料ガスの濃度を設定濃度で一定に保てなくなるような状況が生じることを防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】材料気化システム１００に用いられるものであって、前記導出管１２上に設けられる第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける前記材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記濃度測定部ＣＳで測定された前記材料ガスの測定濃度が、予め定められた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣと、前記タンク内の温度を設定温度となるように温調する温調器４１と、前記温調器の設定温度を設定する温度設定部４２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物、特にデバイス活性層であるシリコン単結晶薄膜の表層領域の不純物濃度が従来に比べて低く、優れたデバイス特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、成膜工程によりシリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ未満として冷却する冷却工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

合成環境内にて基板上でダイヤモンド材料を合成するための化学蒸着(CVD)方法であって、以下の工程：基板を供給する工程；原料ガスを供給する工程；原料ガスを溶解させる工程；及び基板上でホモエピタキシャルダイヤモンド合成させる工程を含み；ここで、合成環境は約0.4ppm〜約50ppmの原子濃度で窒素を含み；かつ原料ガスは以下：a)約0.40〜約0.75の水素原子分率H_f；b)約0.15〜約0.30の炭素原子分率C_f；c)約0.13〜約0.40の酸素原子分率O_fを含み；ここで、H_f＋C_f＋O_f＝1；炭素原子分率と酸素原子分率の比C_f:O_fは、約0.45:1＜C_f:O_f＜約1.25:1の比を満たし；原料ガスは、存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の原子分率が0.05〜0.40で水素分子H₂として添加された水素原子を含み；かつ原子分率H_f、C_f及びO_fは、原料ガス中に存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の分率である、方法。 （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室に接続された複数のガス供給管の前記反応室内の複数の出口からIII族原料ガスとＶ族原料ガスとを前記反応室内に供給して前記反応室内に配置された基板上に窒化物系半導体層を成膜する気相成長方法であって、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを互いに異なる出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント以上の窒化物系半導体を含む第１半導体層を成長させる工程と、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを混合して同じ出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント未満の窒化物系半導体を含む第２半導体層を成長させる工程と、を備えた気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法であって、ガスエッチングによって表面を清浄化した前記基板上に、炭化珪素のエピタキシャル成長に必要とされる量の炭素と珪素の原子数比Ｃ/Ｓｉが０．７〜１．２となるように珪素含有ガス及び炭素含有ガスを供給して、１６００℃より高くかつ１８００℃以下の温度で炭化珪素膜をエピタキシャル成長させる。これにより、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下となる。 （もっと読む）

【課題】高い可視光透過率、低い抵抗率、高いヘイズを同時に満足する透明電極膜を製膜可能な透明電極膜の製膜方法を提供することを目的とする。また、高い可視光透過率、低い抵抗率、高いヘイズを同時に満足する透明電極膜を用いた高効率な太陽電池を製造可能な太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）ＳｉＨ_４とＯ_２とをＯ／Ｓｉ第１比で含む第４原料ガスを供給し、基板上にアルカリバリア膜を形成する工程を具備し、Ｏ／Ｓｉ第１比は、４０以上２００以下であり、アルカリバリア膜の膜厚は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である透明導電膜及びアルカリバリア膜から構成される透明電極膜の製膜方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマに晒されても表面が削れないように加工されたプラズマ処理装置用のアルミナ部材を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置は、内部にてプラズマが励起される処理容器１０と、前記処理容器内にプラズマを励起するために必要な電磁波を供給するマイクロ波源と、前記処理容器内に設けられたアルミナ部材３０と、を有し、前記アルミナ部材の少なくともプラズマに晒される表面は、窒化アルミニウムの膜にてコーティングされている。 （もっと読む）

【課題】下部電極のセルフバイアス電圧を上げることなく，基板載置台の付着物の除去レートを上げる。
【解決手段】処理室１０２内を所定の処理条件に基づいてクリーニングする際に，Ｏ_２ガスと不活性ガスからなる処理ガスを下部電極１１１のセルフバイアス電圧に応じてその絶対値が小さいほど，Ｏ_２ガスの流量比が減少しＡｒガスの流量比が増大するように設定した流量比で処理室内に供給し，下部電極１１１と上部電極１２０の電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長により形成された結晶膜の成長面内における物性値を均一な値に近づける。
【解決手段】第１化合物半導体および第２化合物半導体を積層した積層半導体を含み、前記第１化合物半導体の所定物性値が第１面内分布を有し、前記第２化合物半導体の前記所定物性値が前記第１面内分布とは異なる第２面内分布を有し、前記積層半導体における前記所定物性値の面内分布の幅が、前記第１面内分布の幅または前記第２面内分布の幅より小さい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】シラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に比較的低温で酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン前駆体を使用することを含む、酸化剤との反応によるシラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に酸化ケイ素膜を形成するための方法：ＲＲ１ＮＳｉＨ３（式Ａ）ＲＮ（ＳｉＨ３）２（式Ｂ）ＳｉＨ３ＲＮ（Ｒ２）ＮＲ１ＳｉＨ３（式Ｃ）式中、Ｒ及びＲ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ２〜Ｃ１０のアルキル基、芳香族、アルキルアミノ基からなる群より選択され；式Ａ及び式Ｃ中において、ＲとＲ１は、環状基（ＣＨ２）ｎになっていてもよく（ｎは１〜６、好ましくは４及び５）、且つＲ２は、一重結合、（ＣＨ２）ｎ鎖、環、ＳｉＲ２又はＳｉＨ２を表す。 （もっと読む）

高純度シリコン被覆粒子の生産用の流動床反応器システムを開示する。容器は、外部壁と、該外部壁の内面に面する断熱層と、該断熱層の内側に配置された少なくとも一つのヒーターと、該ヒーターの内側の着脱式同心状ライナーと、中央注入ノズルと、複数の流動化ノズルと、少なくとも一つの冷却ガスノズルと、および少なくとも一つの生成物排出口とを有する。システムは、ライナーの内側に着脱式同心状スリーブを含み得る。特定のシステムにおいて、中央注入ノズルは、反応器チャンバーの中央に第一ガスの垂直プルームを生成し、反応器表面上へのシリコン堆積を最小限にするように構成される。
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本発明は、少なくとも１の硬質材料複合層を含む単層又は多層の層系で被覆された、金属、超硬合金、サーメット又はセラミックスからの被覆物品、並びにこのような物品の被覆法に関する。本発明は、このような物品のために、単層又は多層であってかつ少なくとも１の硬質材料複合層を有する層系であって、該複合層が主相として立方晶ＴｉＡｌＣＮ及び六方晶ＡｌＮを含み、かつ平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴とする層系を開発するという課題に基づく。前記課題には、このような被覆を廉価に製造するための方法の開発も包含される。本発明による硬質材料複合層は、主相として立方晶ＴｉＡｌＣＮ及び六方晶ＡｌＮを含んでおり、その際、該立方晶ＴｉＡｌＣＮは、≧０．１μｍの結晶子サイズを有する微晶質ｆｃｃ−Ｔｉ_1-xＡｌ_xＣ_yＮ_z（ここで、ｘ＞０．７５、ｙ＝０〜０．２５であり、かつｚ＝０．７５〜１である）であり、かつその際、該複合層は粒界領域内にさらに非晶質炭素を０．０１％〜２０％の質量割合で含有している。被覆は、本発明によれば、ＬＰＣＶＤ法で７００℃〜９００℃の温度でかつ１０²Ｐａ〜１０⁵Ｐａの圧力で、付加的なプラズマ励起なしで行われる。本発明による硬質材料層は、平滑で均一な表面、高い耐酸化性及び高い硬度を有する複合構造を特徴としており、かつ特にＳｉ₃Ｎ₄及びＷＣ／Ｃｏ刃先交換型切削チップ及び鋼部材上の摩滅防止層として使用可能である。
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【課題】基体温度が高温（例えば、５９０℃以上）のみならず低温（例えば、４５０〜５５０℃）であっても膜中に残留する塩素濃度を効率よく低減することができ、かつ、酸化錫の結晶粒が大きく成長した膜を成膜することができる酸化錫膜付き基体の製造方法の提供。
【解決手段】加熱した基体上に、気化した塩化錫、酸化ガスおよび気化したアンモニア類を含有する原料ガスを吹き付けて酸化錫を成膜する、酸化錫膜付き基体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、下部層と上部層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、（ａ）下部層はＴｉ化合物層、（ｂ）上部層は、α型Ａｌ_２Ｏ_３相、κ型Ａｌ_２Ｏ_３相およびＴｉ化合物相の混合組織層からなり、（ｃ）上部層において、α型Ａｌ_２Ｏ_３相含有割合（＝α型Ａｌ_２Ｏ_３相／（α型Ａｌ_２Ｏ_３相＋κ型Ａｌ_２Ｏ_３相））は０．６〜０．９、また、Ｔｉ化合物相は、ＴｉＯ_２、Ｔｉ_３Ｓ_４を少なくとも含み、（ｄ）上部層におけるＴｉ含有割合（＝Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｏ＋Ｓ））は０．３〜３ａｔ％、Ｓ含有割合（＝Ｓ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｏ＋Ｓ））は０．１〜２ａｔ％、さらに、Ｔｉ_３Ｓ_４は、Ｔｃ（１００）＞２を満足する配向性を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への適用が可能な低欠陥密度の化合物半導体結晶基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶｛００１｝面を表面とする単結晶基板上に、エピタキシャル成長により２種類の元素Ａ、Ｂからなる化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、反位相領域境界面ならびに元素ＡおよびＢに起因する積層欠陥を、表面に平行な＜１１０＞方向にそれぞれ等価に生じさせながら化合物単結晶を成長させる工程（Ｉ）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ａに起因する積層欠陥を、反位相領域境界面と会合消滅させる工程（II）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ｂに起因する積層欠陥を、自己消滅させる工程（III）と、反位相領域境界を完全に会合消滅させる工程（IV）と、を有し、工程（IV）は、工程（II）および（III）と並行して、又は、工程（II）および（III）の後に行う。 （もっと読む）