【課題】プロセスチャンバ天井部を能動的に冷却しなければならないコールドウォール式堆積プロセスを行うための汎用型の装置を開発する。
【解決手段】基板(4)上に１または複数の層を堆積するための装置であり、反応炉ハウジング(1)内に配置されかつ基板を載置させる加熱可能な床部(3)とこれに平行な天井部(5)とを備えたたプロセスチャンバ(2)と、プロセスガスの流入手段(6)とを有する。天井部(5)と床部(3)との間の距離(H)は、鉛直方向においてゼロまで短くできる。層を堆積させるプロセス位置においては、天井部(5)の上方に設けられた冷却部品(7)を用いて天井部(5)が冷却され、天井部(5)と床部(3)との間の距離(H)が短くなると、冷却部品(7)と天井部(5)との間の距離が長くなる。 （もっと読む）

チャンバ壁を含むプラズマ処理チャンバを選択的にプレコーティングする装置が開示されている。該装置は、ＲＦ電極から成る第１のセットを含み、ＲＦ電極から成る第１のセットは、第１のプレコートプラズマをぶつけるように構成され、ＲＦ電極から成る第１のセットは、第１のプラズマチャンバゾーンを画成する。また、該装置は、ＲＦ電極から成る第１のセットの周囲に配置された閉じ込めリングから成る第１のセットと、閉じ込めリングから成る第１のセットとチャンバ壁との間に配置された閉じ込めリングから成る第２のセットとを含む。該装置はさらに、第１のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る第１のセットに電圧が印加されたときに、第１のプラズマゾーンに第１のプレコート層を施すように構成されたガス供給システムを含む。また、該装置は、第２のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る第２のセットに電圧が印加されたときに、第２のプラズマゾーンに第２のプレコート層を施すように構成されたガス供給システムを含む。
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窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法が記載されている。III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にてプラズマに接する面をより平坦化するマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は，処理室Ｕと，処理室Ｕ内にマイクロ波を透過させる複数の誘電体パーツ３１と，誘電体パーツ３１を支持する梁２７と，処理室Ｕの外部から梁２７を処理容器に固定する固定手段と，を備える。固定手段は，処理室Ｕの外部から処理室Ｕに設けられた複数の貫通孔２１ｂを貫通して梁２７と螺合する複数の雄ネジ５６を有する。複数のネジ５６により処理室Ｕの外部から梁２７を処理室Ｕに固定するため，プラズマに接する梁２７の面Ｓが平坦化する。これにより，面Ｓの凸部に電界エネルギーが集中したり，面Ｓの凹部に異常放電が生じることを回避することができる。この結果，ガスが過剰解離することなく，均一なプラズマにより基板Ｇに良質な膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】円筒状基体に対して、その軸方向における膜厚および膜質が均質化された膜を形成できるようにし、その技術を適用して製造した電子写真用感光体を用いた場合に、品質および均一性の高い画像を形成できるようにする。
【解決手段】真空成膜室５に保持された円筒状基体３に対して、グロー放電により原料ガスを分解したときの分解成分を堆積させることにより薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置１において、真空成膜室５とは区画され、かつ円筒状基体３を予備加熱するための予備加熱室４と、円筒状基体３の外周面に対向して円筒状基体３の軸方向に延びる直線状に配置された線材からなる１または複数の発熱体４２と、をさらに備えた。 （もっと読む）

【課題】 堆積システムのパーティクルコンタミネーションを減少するように構成された排気装置を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。さらに、システムは、処理空間に組み合わせられるように構成された装置を排気する高いコンダクタンスを含み、それによって、堆積システムで処理される基板の粒子汚染が最小にされる。 （もっと読む）

【課題】鋳造により容器本体を形成することにより、大幅なコストダウンを図ることが可能な真空装置に用いる真空容器を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して所定の処理を施すため、或いは前記被処理体を搬送するために内部が真空雰囲気に設定される真空装置が用いられ、プロセスチャンバ４、トランスファチャンバ６やロードロック室１０で構成される。プロセスチャンバに用いられる真空容器３０は、筒体状に成形された容器本体３０Ａとこの天井板３０Ｂと底部を閉じる底板３０Ｃとにより構成されており、トランスファチャンバやロードロック室の真空容器３２、３４も同様に構成される。上記真空容器構成部材をＳｉ含有量が４〜６％の範囲内のアルミニウム合金を用いて鋳造し、アルマイト皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】１層または２層以上の薄膜を、煩わしい作業無しで大量生産することができる成膜方法及び好適な成膜装置を提供する。
【解決手段】一定幅のシート１０が巻回された供給ローラ２から一定距離離れた巻取ローラ６により、前記供給ローラ２から解かれたシート１０を、プラズマＣＶＤ法による薄膜形成ゾーン３、４、５を通過させて巻取る工程と、上記薄膜形成ゾーン３〜５を通過させることに伴って上記シート１０上に上記ゾーン３〜５と同数の薄膜のそれぞれを順次プラズマＣＶＤ法により成膜する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 成膜原料成分を含有するガスへの加熱効率を高め、また、反応管内壁に形成される付着物の量を低減することによって生産効率を高めるとともに、被処理基板上への成膜を均一に行うことができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板２４が収容される反応管２３に成膜原料成分を含有するガスを被処理基板２４の成膜される面に沿う方向に流すようにして導入し、導入されるガスを加熱手段２６で加熱することによって反応させながら成膜原料成分を被処理基板上に成長させる気相成長装置２０に、赤外線を反射する赤外線反射手段２２を、反応管２３の外壁面に接するように設ける。 （もっと読む）

炉でのバッチ式熱処理のためにウェーハ支持タワー（２０）を挿入することができる中央孔部を形成するために、シリコン・ステーブ（８２，８６）から形成され、円形パターンに配置される管状部材。ステーブは、軸方向に延びるフック（８０，８８）が、隣接するステーブ上のフックの背面に形成されている軸方向に延びるキャッチと係合する連動キー溝構造と一緒に軸に沿って形成される。シリカ形成剤およびシリコン粉末のような接着剤が、組立ての前にキー溝構造にコーティングされ、ステーブを接着するように組立ての後で硬化する。隣接する部分間に形成された連動構造（１１４，１１６）を含む小さな部分（１１０，１１２）のアレイからプレート構造を形成するために、類似の構造を使用することができる。 （もっと読む）

【課題】処理空間の平面方向におけるプラズマ密度を均一化させる等の所望のプラズマ密度分布を得ることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器２４と、被処理体Ｗを載置するために処理容器内に設けられた載置台２６と、天井部の開口に気密に装着されてマイクロ波を透過する誘電体よりなる天板４０と、プラズマ発生用のマイクロ波を発生するマイクロ波発生手段６２と、天板上に設けられて処理容器内に向けてマイクロ波発生手段からのマイクロ波を放射する複数のマイクロ波放射孔を有する平面アンテナ部材４６とを有するプラズマ処理装置において、天板の前記処理容器内を臨む面側に、マイクロ波の伝搬強度を大きくすべき部分に対応させて伝搬強度向上突起部４４を設ける。 （もっと読む）

【目的】高品質な多結晶珪素膜を得る方法を提供する。
【構成】基板を予備室１０１、１０２から搬入する。そして、ロボットアーム１０９によって前記基板が処理室１０３〜１０７を移動する。この各処理室において、非晶質珪素膜の成膜や該非晶質珪素膜の結晶化が順次行われ、最終的には表面に多結晶珪素膜を有した基板が、一度も外気に暴露することなく得られる。そして、各工程間の処理温度の差を小さくするように温度調節することによって、成膜から結晶化までの工程を高スループットで行うことができるものである。 （もっと読む）

ＡＬＤ反応室には、その外周に環状付属フローリング導管を備える垂直可動ヒータサセプタが含まれているが、その導管は、ヒータサセプタがそのプロセス位置につくと、フローリングの底面に対するウェハの上方及びウェハの下方における反応器の外部空間を分離する外部表面をそのエッジに備えている。サセプタがプロセス位置につくと、フローリングの外側エッジが反応室のＨｄに取り付けられた環状リングに近接した位置につき、リングと導管が共にタングイングルーブ（ＴＩＧ）構造を形成する。場合によっては、ＴＩＧ設計は階段形状（ＳＣ）を備えることによって、下流ガスの拡散逆流を反応器の外部空間に限定することも可能である。
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【課題】従来の技術よりも容易にメンテナンスを行うことを可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、下向きの開放部５４か形成された反応管５２と、この反応管５２を重力方向下側から支持しつつ、開放部５４を塞ぐ下側容器５６とを有する。下側容器５６の一部をなす炉口フランジ６８と反応管５２との間には、Ｏリング６０が配置される。炉口フランジ６８に設けられたネジ孔６８ｂに、下側からプッシュボルト６２が螺合されていて、このプッシュボルト６２を回転させることで、プッシュボルト６８の先端部６２ａが上昇し、先端部６２ａで反応管５２が押し上げられ、反応管５２が下側容器５６から離間する。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムであって、処理システムの移送空間から真空アイソレーションされた処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から真空アイソレートが維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ要素上や基板の張り出しエッジ上のプロセス堆積物の堆積を減少させるプロセスキットの提供。
【解決手段】基板処理チャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リングにおいて、プロセスガスのプラズマが該基板を処理するために形成され、該基板が該基板の張り出しているエッジの前で終わる周囲壁を備え、該堆積リングが該支持体の周囲壁を囲む環状バンド２１６であって、該環状バンドから横に伸長し、該支持体の周囲壁にほぼ並行であり、該基板の張り出しているエッジの下で終わる内部リップ２１８と、隆起リッジ２２４と、内部リップと隆起リッジとの間に、基板の張り出しているエッジの下に少なくとも部分的に伸長する内部開放チャネル２３０と、該隆起リッジの放射状に外向きのレッジ２３６と、を備えている前記環状バンドを備えている防着リングを配置する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理室のプラズマを維持したままプラズマ処理室への基板の搬入乃至搬出やクリーニングモードにおける被エッチング部材の退避乃至再搬入を良好に行い得るプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対し所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理室Ａと、このプラズマ処理室Ａに対して前記基板の搬入乃至搬出を行う搬送室Ｂと、前記プラズマ処理室Ａ及び前記搬送室Ｂの間に配設されて両者の間を仕切る第１のゲート弁Ｇ１とを有するプラズマ処理システムを用いて所定のプラズマ処理を行う際、前記プラズマ処理室Ａ内をプラズマを生成し得る圧力雰囲気とし、前記プラズマ処理室Ａに生成しているプラズマを維持する一方、処理する基板の前記搬送室Ｂから前記プラズマ処理室Ａ内への搬入時乃至処理した基板の前記プラズマ処理室Ａ内から前記搬送室Ｂへの搬出時には、前記搬送室Ｂの圧力を制御して前記プラズマ処理室Ａと同圧にした状態で前記第１のゲート弁Ｇ１を開いて前記基板の搬入乃至搬出を行う。 （もっと読む）

【課題】反応容器内におけるプラズマの均一性を高めることが可能で、プラズマ状態を容易にモニタリングできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。
【解決手段】反応容器の少なくとも一部を誘電体部材により構成してこれを介して高周波電力を反応容器内に導入するとともに、さらに誘電体部材の少なくとも一部を材質の異なる透光性の誘電体部材により構成することを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

処理空間に気体状の薄膜前駆体を導入し、処理空間の容積を第１の大きさから第２の大きさまで拡大して拡大処理空間を形成し、拡大処理空間に還元ガスを導入し、且つ還元ガスから還元プラズマを形成する、基板上での気相堆積のための方法、コンピュータ読み取り可能媒体、及びシステムが開示される。気相堆積用システムは処理チャンバーを含んでおり、処理チャンバーは、第１の容積を有する第１の処理空間を含み、更に、第１の処理空間を含み且つ第１の容積より大きい第２の容積を有する第２の処理空間を含む。第１の処理空間は原子層堆積用に構成され、第２の処理空間は第１の処理空間で堆積された層のプラズマ還元用に構成される。
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本発明は、ＡＬＤ反応器のための装填装置に関し、ＡＬＤ反応器は、第１の端壁部（６）と、後部フランジを備える第２の端壁部（２０）と、第１の端壁部と第２の端壁部とを連結する側壁部／ケーシング（２２）とを有する真空チャンバ（２）、ならびに真空チャンバ（２）の内部に提供される反応チャンバ（４）を備える。本発明によれば、装填装置は、真空チャンバ（２）の側壁部／ケーシング（２２）内に提供され、その場合、１つまたはそれ以上の基板（１０）が、真空チャンバ（２）の側壁部（２２）を介して、反応チャンバ（４）内に案内され得る、およびそこから除去され得る。 （もっと読む）