【課題】誘導電流が形成されるのを防止するトロイダル・プラズマ・チャンバを提供する。
【解決手段】トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。誘電体領域１０８および１１０は、プラズマチャンバ１００を、第１の領域１１２および第２の領域１１４に電気的に分離する。第１の領域１１２および第２の領域１１４の各々は、高度真空シールにより誘電体領域１０８、１１０に接続されることにより、プラズマチャンバ１００を形成している。誘電体領域１０８、１１０は、プラズマチャンバ１００の組み合わせ面１１６を分離する誘電体スペーサを有してなっていてもよい。 （もっと読む）

【課題】
ロードロック室を具備した基板処理装置に於いて、減圧状態でのロードロック室の酸素濃度の測定を、常圧で実施し、安価な酸素濃度測定器の使用を可能とすると共にスループットの向上を図るものである。
【解決手段】
基板８を処理する処理室１と、該処理室に気密に連設された予備室２と、該予備室に連通すると共に排気手段１３に連通され、少なくとも一部が気密に隔離可能な排気路１５と、該排気路の隔離可能な部分１８に接続された酸素濃度測定手段１４とを具備した。
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本発明は、一般に、誘導結合プラズマ装置に関する。シャワーヘッドから発生するプラズマを利用して堆積を行う場合、プラズマが基板の縁にまで均一に分散しないことがある。チャンバ壁に対応する領域でプラズマをチャンバに誘導結合することにより、チャンバ内でプラズマが均一に分散し、基板への堆積が実質的に均一となる。処理チャンバへの導入に先立って処理ガスを気化させることによりプラズマも均一となり、基板上への均一な堆積に役立つ。
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【課題】 第一に、良質な薄膜を作成することができるようにし、第二に、チャンバー数の増大や占有面積の増大を無くす、第三に、高価な排気系の使用を不要にし、生産性を改善する。
【解決手段】 成膜チャンバー１との間で基板９の搬入及び搬出を行う搬送機構３０が内部に設けられた搬送チャンバー３は、排気系３１と調圧用ガス導入系３２を有する。調圧用ガス導入系３２により、成膜に悪影響を与えないガスが導入され、搬送チャンバー３内は成膜チャンバー１内よりも大きく１パスカルより大きい真空圧力に維持される。搬送チャンバー３には、基板９の表面の改質を行う改質種を成膜に悪影響を与えないガスから生成して基板９に供給する改質種供給部３３が設けられる。 （もっと読む）

【課題】自公転機構を有する気相成長装置において、原料ガスやパージガスが他方に漏れ出すことを簡単な構造で防止できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】自公転機構を有する気相成長装置において、チャンバー外周の排気通路１８に、下流側が排気手段に接続された外管２１と、該外管の上流部に挿入された短内管２２とを有する二重管構造の排気管２３を設け、該排気管の短内管内の通路と、短内管と外管との間の通路とのいずれか一方を原料ガス排気通路２８とし、いずれか他方をパージガス排気通路２９とし、かつ、ガス流量の少ない通路の通路断面積をガス流量の多い通路の通路断面積より小さく形成する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ入射窓が破損した場合、その破損による被害を低減するラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１の上部開口部を閉鎖する絶縁性のＲＦ入射窓３を介して、ＲＦ入射窓３の上方に配置した高周波アンテナ７からの電磁波を真空チャンバ１に入射して、真空チャンバ１のガスをプラズマ化するプラズマ処理装置において、ＲＦ入射窓３の外径より小さい内径を有するリング部材２２を、ＲＦ入射窓３の周縁部の上面に近接して真空チャンバ１（保持部材２１）側に取り付け、真空チャンバ１の上端面とリング部材２２との間にＲＦ入射窓３の周縁部を配置した。 （もっと読む）

原子層堆積(ALD)法を用いた薄膜堆積システム及び方法。当該堆積システムは処理チャンバ(16)を有する。前記処理チャンバ(16)には、周辺側壁(36)、間仕切り(68,70,72,74)、及び大きなプレート(50)が備えられている。前記間仕切り(68,70,72,74)は、前記処理チャンバ(16)内部の処理空間(38)を少なくとも2つの分室(76,78)に分割する。前記大きなプレート(50)は前記処理空間(38)内部で基板(15)を支持する。また前記大きなプレート(50)は、静止した前記周辺側壁(36)及び分室(76,78)に対して前記基板(15)を回転させる。一の分室(76)は、前記基板(15)の各々の上に層を堆積するのに用いられる処理材料を受け取る。他の分室(78)は、不活性ガスを含む。前記処理材料を注入する材料インジェクタ(100,100a,100b)は、前記周辺側壁(36)を介して前記分室(76,78)とやり取りを行う。
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【課題】成膜処理に掛かるタクトタイムを短縮できる成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置１の材料ガス供給装置４は、真空チャンバ２の略中央から、互いに相反する方向へ材料ガスを供給する第１供給装置４Ｌ及び第２供給装置４Ｒを有し、材料ガス拡散装置６は、第１供給装置４Ｌ及び第２供給装置４Ｒから供給された材料ガスを、それぞれ面状に拡散する第１拡散装置６Ｌ及び第２拡散装置６Ｒを有し、基板保持装置５は、一組の基板９Ｌ，９Ｒのうち一方の基板９Ｌを保持する第１保持装置５Ｌと、他方の基板９Ｒを保持する第２保持装置５Ｒとを含んで構成される。また、第１保持装置５Ｌ及び第２保持装置５Ｒは、それぞれ、保持する基板の処理面を、第１拡散装置６Ｌ及び第２拡散装置６Ｒに向けた状態で、互いに対向して設けられる。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、フィルム走行方向に沿って連続成膜が可能なステッピングロール方式の成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜装置（巻取式プラズマＣＶＤ装置）２０は、成膜部２１と、成膜部２１にフィルムＦを供給する巻出しローラ２２と、成膜部２１で成膜したフィルムを巻き取る巻取りローラ２３とを備えたステッピングロール方式の成膜装置であって、成膜部２１は、フィルム走行方向に関して直列的に配置された複数の成膜室２４Ａ，２４Ｂからなり、各成膜室の間には、当該成膜室で成膜されるフィルム長の自然数倍に相当する長さのフィルムを待機させる予備室２５が設けられている。これにより、成膜室２４Ａ，２４Ｂの設置間隔が任意に設定できるようになり、装置の大型化抑制と設計自由度の向上を図れるようになるとともに、製品の使用効率の向上を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内で発生されたプラズマに悪影響を及ぼすことなく、チャンバ内壁に付着する反応生成物を減らす。
【解決手段】チャンバ１１には、チャンバ１１内にプラズマを発生させる高電圧電極１３および接地電極１７が対向配置されるとともに、チャンバ１１内を排気する排気ポート１２が設けられ、チャンバ１１の排気側の内壁には、チャンバ１１の排気側の内壁よりも温度の高い流体を流す流体管２２を配置する。 （もっと読む）

【課題】特殊なウェハ等を使用することなくプラズマ処理装置をメンテナンス後に速やかに半導体装置の製造に使える状態に回復するために最適な処理方法を提供する。
【解決手段】部品洗浄するメンテナンス後、製品ウェハを処理する前に、プラズマ処理装置の処理室を構成するある部品（原料部品）をエッチングして得られる反応生成物を別の部品（被覆部品）に付着して堆積膜を形成し、形成した堆積膜を安定化する処理を加えることにより被覆部品を原料部品の材料からなる化合物膜で覆う。 （もっと読む）

【課題】 上側容器と下側容器との相互の接合面をシールリングによりシールする基板処理装置において、分割面相互の接触を防止する。
【解決手段】 金属製の取付け基部に接合され、基板を高温・真空雰囲気中で処理するための処理室２０１を区画する石英、アルミナを含む耐熱性ガラス製の処理容器と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に配置され、これら接合面間で圧縮荷重を支持することにより接合面間に所定クリアランスを形成する支持部材１５と、前記処理容器と前記取付け基部との接合面間に介設され、これら接合面間の圧縮荷重により弾性変形してシールするシールリングとを備え、前記支持部材がポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリベンゾイミダゾールの中から選択された一つの耐熱性高分子樹脂から形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構造でかつ低コストで製作でき、その上、乱流、対流及び熱対流の発生を押えて混合ガスのガス流を均一にできるようにＣＶＤ装置を構成する。
【解決手段】 円筒形状の真空反応室５２内部に、基板が載置されるステージ５３を設け、ステージに対向して該真空反応室上面の中央部に、混合ガスを真空チャンバ内に導入するガスヘッド３を配設する。ステージの周囲を、所定の長さを有する円筒形状のスリーブ部材６１で囲い、スリーブ部材と真空チャンバ内壁面との間の間隙を介して、排ガスがガスヘッドとステージとが形成する第１空間内で対流することなく該第１空間から等方排気されるように、真空排気手段２が接続されたステージ下側の第２空間の容積が第１空間の容積より大きくなる位置にステージの高さ位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つの内部通路を有する基体、例えばタービンの内部を耐熱性の物質で均一に被覆させる方法と装置を提供する。
【解決手段】反応容器２の反応空間２１に設置した基体、例えばタービン内部について外部供給源７から供給したアルミニウム系加工用ガスを内部発生器４に通して反応性を高め、反応性を高めたガスを各通路につき各々調節した流量で通過させることにより基体１０内部にアルミニウムを蒸気相から化学的蒸着させて均一に被覆する方法および装置。 （もっと読む）

【課題】処理ステーションがすべての圧力を同じ態様で受容可能な圧力分配器を提供する。
【解決手段】回転ラック式中空ボディ処理装置のための回転式圧力分配器は、いくつかの処理ステーションを含み、この分配器は密封して接触している２つの同軸のリングを含み、該リングの１つは少なくとも１つの処理ステーションに接続された連通開口部を含んだ回転リング、他の１つは静止リングであって、装置の圧力源に接続されたいくつかのスロットを含んでおり、これらの開口部およびスロットは異なった直径の同心円上に分配され、異なった直径上に配置された開口部および／またはスロットは、前記開口部が前記静止リング内の個々のスロットを横切るような方法で形成された前部端と後部端とを備え、それぞれの前記開口部とそれに関連したスロットとで形成された通路の、開くときに増加し閉じるときに減少する面領域での速度は、全ての前記円周に関してほぼ同一である。 （もっと読む）

【課題】従来のＨＶＰＥ装置の欠点を解決したIII族窒化物半導体の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】成長炉３内に原料となるIII族ガスｇ３とＶ族ガスｇ５を供給し、これらガスｇ３，ｇ５で基板２上にIII族窒化物半導体結晶Ｃを成長させるIII族窒化物半導体の製造装置１において、成長炉３は、隔壁４で相互に分離されたIII族ガスｇ３が供給されるＡ室５ａと、Ｖ族ガスｇ５が供給されるＢ室５ｂとの少なくとも２室を備え、Ａ室５ａおよびＢ室５ｂの両ガス出口７，９を隣接させ、これら両ガス出口７，９近傍に基板２を配置したものである。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化金属還元ＣＶＤ法を用いて互いに接続状態とされた複数の処理室において複数種の処理を施す際に、各処理室において被処理体近傍における各成分の量的バランスを容易に制御し、被処理体表面に所望の処理を行い、より効率的で高品質な処理を行うことが可能な処理装置及び処理方法の提供。
【解決手段】互いに接続状態とされた複数の処理室を用い、各処理室においてハロゲンラジカルを用いて金属製の被エッチング部材をエッチングし、被エッチング部材に含まれる金属成分とハロゲンとからなる前駆体を生成し、被処理体に所望の処理を施すに際し、各処理室に設けられた各被エッチング部材の成分に適する被処理体と被エッチング部材との距離となるよう処理室毎に被処理体と被エッチング部材との距離を異ならせて複数種の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 被処理体とは独立して機能部材、例えば、被エッチング部材等の扱いを容易に行うことができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 基板３が収容される空間と被エッチング部材１２が収容される空間にチャンバ１内を仕切るゲート弁３１を備え、ゲート弁３１を用いて一つの処理を行うチャンバ１内を仕切ることで、基板３が収容される空間とは無関係に被エッチング部材１２の取り扱いを行い、真空装置１８の不具合をなくしてメンテナンス性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤによりシリコン酸化膜を成膜する際に、熱酸化膜に匹敵する良好な膜質を得ることができるシリコン酸化膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 シリコン含有ガスおよび酸素含有ガス以外に、水素ガスを処理室内に導入して、処理室内に水素を含有するプラズマを生成する工程を有し、高周波アンテナにより前記誘電体壁を介して前記処理室内に高密度の誘導結合プラズマを形成し、この高密度の誘導結合プラズマによりシリコン酸化膜を形成するとともに、プラズマ中のＨとシリコン酸化膜中のＳｉとを反応させる。 （もっと読む）

【課題】機構やスペースを増さずにヒータ周りのメンテナンス作業を簡単化する。
【解決手段】処理室５５を形成するマニホールド５７やアウタチューブ５３およびインナチューブ５４と、アウタチューブ５３の周りに設けられたヒータ５１と、天井壁３１ｂに第一開口部８１を有する耐圧筐体３１とを備えた処理炉５０において、第一開口部８１の内周縁部に第一開口部８１よりも小径の第二開口部８５を有する第一支持部材８４を上側から連結し、第一支持部材８４にプロセスチューブ５２を下から支持する第二支持部材８８を下側から連結する。第二支持部材８８には第二開口部８５よりも小径の第三開口部８９を開設する。第二支持部材８８と共にマニホールド５７やアウタチューブ５３およびインナチューブ５４をボートエレベータ３９によってロードロック室３２の下部まで下降させることで、保守点検や修理等のメンテナンス作業を効率的に実施できる。
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