【課題】基板以外に薄膜が広範囲に形成されずクリーニングおよびメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、所定の圧力を維持する第１の内部空間２２を形成する成膜容器１２と、この第１の内部空間内２２に設けられ、設定された圧力を維持する、第１の内部空間２２と隔離された第２の内部空間１５を形成するリアクタ容器１４と、第１の内部空間２２内に設けられ、リアクタ容器１４に隣接して設けられたヒータ１６ａ，１６ｂと、第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する基板Ｓを載置する載置機構１８と、載置される基板Ｓの上方に対向するように第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する原料ガスを、ヒータ１６ａの加熱を受けた状態で、基板Ｓに向けて供給する原料ガス供給ヘッド２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ成膜時に処理容器内壁面上の堆積物の剥がれに起因するパーティクル発生を抑制する。
【解決手段】アルミニウムあるいはアルミニウム合金よりなる内壁面１１にフッ化アルミニウム層１１Ｆが形成されている処理容器の前記内壁面にシリコン酸化膜よりなる第１のコーティング膜３１を形成する工程（Ａ）と、工程（Ａ）の後、前記第１のコーティング膜上にシリコン酸化膜よりも硬度の高い膜よりなる第２のコーティング膜３２を形成する工程（Ｂ）と、工程（Ｂ）の後、前記処理容器中に被処理基板を搬入しサセプタ上に載置する工程（Ｃ）と、工程（Ｃ）の後、前記処理容器中に処理ガスを導入し前記サセプタ上の前記被処理基板に気相成長法により絶縁膜を形成する工程（Ｄ）と、を含み、工程（Ｄ）の後、前記処理容器内にフッ素を含むガスを導入し前記第１のコーティング膜および前記第２のコーティング膜をエッチング除去するクリーニング工程を行う。 （もっと読む）

本発明は、チューブの中を圧気輸送されている粒子にコーティングを堆積するための方を提供する。本方法は、入口及び出口を有するチューブを用意する段階、チューブの入口において又はその近くにおいて、粒子を運んでいるキャリアガスをチューブの中へと供給して、チューブを通る粒子の流れを作る段階、及び該粒子の流れの中の粒子との反応のために、チューブの入口から下流で少なくとも１の注入点を介してチューブの中へと自己停止する第一の反応物を注入する段階を含む。本方法は、原子層堆積及び分子層堆積に適切である。本方法を実施するための装置もまた開示されている。 （もっと読む）

デュアルチャンバ「塔」として構成されるガス蒸着システム（１０００）は、一方が他方より垂直方向に上側である２つの反応チャンバアセンブリ（３０００）を支持するためのフレーム（１１４０）を含む。各チャンバアセンブリ（３０００）は、搭載ポートを通して単一の第４．５世代（ＧＥＮ４．５）ガラスプレート基板を受容するようにサイズ決定される中空アセンブリ（３０７０）を包囲する、外壁アセンブリを含む。基板は、中空アセンブリ（３０７０）の内側で水平に配置され、チャンバアセンブリ（３０００）は、中空アセンブリ（３０７０）の外部に配置され、基板の頂面を覆って実質的に水平に方向付けられた層状ガス流を生成するように構成される、取外し可能かつ清掃可能な三角形投入（３１５０）および排出（３２５０）プレナムを含む。
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【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

複数のウェハ上に薄膜を同時に堆積できるようにするエピタキシャルリアクタを開示する。堆積中、狭い間隔で配置された複数のウェハキャリアプレートを含むウェハスリーブ内に複数のウェハを収容してプロセス容積を最小限に抑える。プロセスガスをウェハスリーブの内部容積に優先的に流入させ、これを１又はそれ以上のランプモジュールによって加熱する。パージガスをリアクタチャンバ内のウェハスリーブの外側に流してチャンバの壁への堆積を最小限に抑える。また、ランプモジュール内の個々のランプの照射のシーケンシングにより、ウェハスリーブ内の堆積速度の変化の直線性をさらに改善することができる。均一性を改善するために、プロセスガス流の方向をクロスフロー構成に変更することができる。複数のリアクタシステム内でランプシーケンシングをクロスフロー処理と組み合わせることにより、膜が良好に均一化した高スループットの堆積及びプロセスガスの効率的使用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高周波電極に電圧を印加した場合において、基板上の電流が不均一になるのを防止することが可能な薄膜形成装置を提供することである。
【解決手段】本発明では、基板２を挟むように配置された２つの箱形状の成膜室壁体３Ａ，３Ｂからなる成膜室３と、一方の成膜室壁体３Ａに配置された高周波電極４と、他方の成膜室壁体３Ｂに配置された接地電極５とを備えた薄膜形成装置１において、一方の成膜室壁体３Ａが、ブロック部７と、ブロック部７に対して基板２側に配置されたチャンバ部８と、チャンバ部８に対して基板２側に配置された枠体９とを備え、チャンバ部８は、高周波電極４を内部に有しており、枠体９は、高周波電極４の外周囲を囲んでおり、枠体９とブロック部７とが導電部材１３で接続されている。 （もっと読む）

プラズマ反応器(100)は、反応チャンバーと、上記反応チャンバーと流体連通する1又は複数のプラズマ源(105)を有する。イオン化される材料を含む流体は、上記プラズマ源(105)によって発生するプラズマ形のイオン化された材料が上記反応チャンバー(102)の反応領域に捕集されるようにプラズマ源(105)に供給される。反応産物は、上記プラズマ反応器の連続運転を可能にするように上記反応チャンバー(102)から捕集される。加えて、上記プラズマ反応器(100)は、上記反応チャンバー(102)内の浮流中の微粒子を維持するように構成され、プラズマ反応器が適する処理範囲を広げ、かかる処理の効率を向上させる。 （もっと読む）

ボトルや中空管などのようなプラスチック製または金属製の物体のような成形された物体の内側表面上に薄膜を室温で堆積するプラズマ系の堆積方法が開発された。本発明において、プラスチックボトルの内側表面上の均一な（ダイヤモンド状炭素ＤＬＣとも呼ばれる）水素化非晶質炭素膜が成功裏に堆積される。そのような製品の適用には、食品および薬品業界全体が挙げられる。飲料水、炭酸清涼飲料、ワイン、薬剤などの保管用の、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のボトルには大きな需要がある。しかし、より高い費用によって、それらの広範な使用が妨げられる。より安価な代替案は、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）のような化学的に不活性な材料で内側を被覆されたプラスチックボトルを使用することであり、商業的に実現可能となるであろう。発明者の方法は、大量生産用に規模を拡大されることができる。この方法は、金属の内側表面へのより良好な接着を有するＤＬＣ膜を得るために、（水素化非晶質ケイ素のような）中間層を形成する炭化物で金属製の棒または管の内側表面上を被覆するのにも使用されることができる。
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コーティング設備のための真空室（１）が意図されており、真空室（１）は底面プレート（６）とカバープレート（２）とを有しており、これらは底面プレート（６）およびカバープレート（２）に対して実質的に垂直に延びる支柱（４）によって相互に結合されており、多数の開口部（９）が底面プレート（６）、カバープレート（２）、および支柱（４）によって定義され、少なくとも底面プレート（６）の前縁（１５’）の一区域とカバープレート（２）の前縁（１５）の一区域は２つの支柱（４）と共同で、開口部（９）へ挿入可能な挿入プレート（８）のために、多数の開口部（９）のうちの１つの開口部（９）の回りを周回する密閉面（７）を形成する。さらに、コーティング設備のための真空室（１）を製造する方法が提供され、この方法は、底面プレート（６）、カバープレート（２）、および底面プレート（６）とカバープレート（２）を結合する支柱（４）を有するフレームを嵌め合わせるステップと、底面プレート（６）およびカバープレート（２）を支柱（４）と溶接するステップとを含んでいる。
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【課題】基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、高スループットが得られ、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】第１の反応ガス供給手段３１より反応ガスが供給される第１の処理領域Ｐ１と、第２の反応ガス供給手段３２より反応ガスが供給される第２の処理領域Ｐ２とを設け、処理領域Ｐ１、Ｐ２の雰囲気を分離するために分離領域Ｄを設ける。分離領域Ｄは、分離ガスを供給する分離ガス供給手段４１、４２と、分離ガス供給手段４１、４２両側から処理領域Ｐ１、Ｐ２に向けて分離ガスを流すための狭隘な空間を形成する対向面部４とを備え、ガス供給手段３１、３２、４１、４２及び対向面部４は真空容器１内にて鉛直軸回りに回転する回転体２５に接続されている。 （もっと読む）

一実施形態は、材料蒸着のための装置を提供する。装置は、反応チャンバと、一対のサセプタとを含む。各サセプタは、基材を載置する前側と背側とを有する。垂直に位置付けられるサセプタの前側は、相互に対面し、サセプタの垂直縁部は、相互と接触している。また、装置は、反応ガスを注入するためのいくつかのガスノズルも含む。チャンバの内部のガス流方向は、ガスノズルを制御することによって交互にすることができる。ガスノズルは、ガスノズルが反応ガスを注入していない時に、ＨＣｌ、ＳｉＣｌ_４、およびＨ_２のうちの少なくとも１つを含む少量のパージガスを注入するように構成される。装置は、反応チャンバの外部に位置するいくつかの加熱ユニットを含む。加熱ユニットは、それらが熱エネルギーをサセプタの背側に直接放射するように配設される。
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【課題】基板処理時の処理室の温度上昇を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で基板２００を保持するサセプタ２１７と、基板２００を加熱するヒータ２０７とを備えた処理装置において、処理室２０１の内壁面はアルマイト処理せずにアルミニウム合金表面として放射率が小さい第一放射部２０１ａを設け、処理室２０１の外壁面はアルマイト処理して放射率が大きい第二放射部２０１ｂを設ける。処理室外壁面の放射率が大きいので、外壁面側での放射による大気への熱の逃げを増加でき、処理室温度の上昇を抑制できる。処理室内壁面の放射率が小さいので、処理室の輻射による不用意な温度上昇を抑制でき、エネルギ損失を小さく抑制できる。 （もっと読む）

【課題】エネルギ効率の良好な基板処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波を閉じ込めるシールドの上中下段に導入ポート５３を穿設し、各導入ポート５３に導波管５４の一端を接続し、導波管５４の他端にマイクロ波を供給するマイクロ波源５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃを接続する。シールド５２内に保温チューブ３６を設置し、保温チューブ３６は複数枚のウエハを保持したボート４２を搬入搬出可能に形成する。３本の熱電対が挿入されたカスケード温度センサ５７を保温チューブ３６内に敷設し、各熱電対の熱接点にシリコンからなる測温片をそれぞれ固着する。熱電対の温度測定器をマイクロ波源５５Ａ、５５Ｂ、５５Ｃのコントローラ５６に接続する。３個の導入ポート５３近傍にマイクロ波エネルギによって加熱されたウエハの熱を逃がさず、かつ、ウエハの温度分布を均一化する反射板６２を設ける。 （もっと読む）

【課題】処理容器の温度上昇を抑制する。
【解決手段】下側容器１２と上側容器１３とで処理室１４を形成した処理容器１１と、処理室１４内に設置されてウエハ１を保持するサセプタ２１と、サセプタ２１上のウエハ１を加熱するヒータ４１と、反応ガスをウエハ１に向けて供給するシャワーヘッド２６と、反応ガスを励起させる筒状電極１５と、磁界を形成する筒状磁石１９とを備えているＭＭＴ装置において、下側容器１２の内側表面にリフレクタ４２を設置する。ヒータおよびウエハから照射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をリフレクタによって反射することにより、下側容器の温度上昇を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】液中プラズマを用い基材をマスキングして成膜を行うことで、従来と同様の形状はもちろん、従来とは異なる形状の被覆膜をも得られる液中プラズマ成膜方法、それにより成膜される被覆膜および液中プラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】原料を含む液体Ｌに、基材Ｓと基材Ｓの被成膜面Ｓ^０を覆う複数の貫通孔をもつマスク２とを配設する配設工程と、液体Ｌに気泡Ｂを発生させる気泡発生工程と、前記原料からなるプラズマを気泡Ｂに発生させるプラズマ発生工程と、を経て、プラズマを内包する気泡Ｂをマスク２を通じて被成膜面Ｓ^０に接触させて、被成膜面Ｓ^０に原料の分解成分を堆積させる。配設工程におけるマスク２の配設状態によっては、従来の気相プラズマで形成されるようなセグメント形態の膜とは異なる形態の被覆膜が得られる。 （もっと読む）

基板を処理するための装置は、プロセシングチャンバならびにチャンバ内に配置された基板支持部およびリフトピンアセンブリを備える。基板支持部およびリフトピンを設置することを制御し、基板支持部の回転を与えるリフト機構に、基板支持部およびリフトピンアセンブリを連結する。リフト機構は、基板支持部とリフトピンとの間のクリアランスが基板支持部の回転を始めることを許容するときに信号を発生することが可能な少なくとも１つのセンサを含む。同時の軸方向の動作および回転が可能な基板支持部を、端部リングによって分離された複数のプロセシングゾーンを備えるプロセシングチャンバ内で使用することができる。基板は、複数のプロセシングゾーン間を動かすことによって連続するプロセスまたは周期的なプロセスを受けることができる。
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容器の内部表面上に防護材料および／または潤滑剤材料を付着させるシステム、装置および方法が提供され、そのようなシステムは、チャンバを有する容器と、チャンバ内に延びる一部分を有するガス入口ダクトを介して、モノマーガスを供給するためのガス供給源と、少なくとも１つの反応性部分を含む反応性ガスを形成させるように、モノマーガスの少なくとも一部分を光分解させるおよび／または熱分解させる光分解源および／または熱分解面と、任意選択で容器の内部表面上に反応性部分の堆積および重合を促進させるために、容器の内部表面を熱分解面の温度より低い温度に維持するための温度制御器と、容器の開端部または第２の端部のところの、チャンバから余剰の反応性ガスを除去するための出口ダクトとを含む。
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【課題】サセプタを均一に加熱することができる成膜装置、成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、容器内の回転可能なサセプタ２；サセプタ２の一の面に設けた基板載置領域２４；独立に制御可能な複数の加熱部を含み、サセプタを加熱する加熱ユニット７；サセプタにおける複数の加熱部により加熱される部分の温度を独立に測定する放射温度計８Ｏ〜８Ｉ；一の面に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部３１；第１反応ガス供給部３１と離間し、一の面に第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部３２；第１反応ガス供給部３１と第２反応ガス供給部３２の間の分離領域Ｄ；一の面に沿って第１分離ガスを吐出する吐出孔を含む中央領域Ｃ；排気口６２を備える。分離領域Ｄは、第２分離ガスを供給する分離ガス供給部４１と、第２分離ガスが流れる狭隘な空間をサセプタ２上方に形成する天井面とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ガスの混合を防止し、基板の分離ガスによる冷却を防止することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で第１及び第２の反応ガスを供給して薄膜を成膜する成膜装置において、回転テーブル２と、回転テーブル２の周縁から回転中心に向け設けられる第１の反応ガス供給部３１及び第２の反応ガス供給部３２と、その間に設けられる第１の分離ガス供給部４１、４２と、第１の反応ガス供給部３１を含み第１の高さＨ１を有する第１の空間Ｐ１と、第２の反応ガス供給部３２を含み第２の高さＨ２を有する第２の空間Ｐ２と、第１の分離ガス供給部４１を含みＨ１及びＨ２より低く設けられる第３の空間Ｄと、第１の分離ガスを加熱する加熱装置８とを備える成膜装置。 （もっと読む）