多孔性非セラミック基材上にコンフォーマルコーティングを堆積させる方法は、コンフォーマルコーティングが残留するように反応性ガスが基材を貫流することを必要とする。たとえ基材が本来疎水性のもの、例えば、オレフィン材料であったとしても、このプロセスを用いて、基材の内部細孔の表面を親水性にすることができる。本方法は、ロールツーロールプロセス、又はバッチ処理で用いることができる。後者の場合のいくつかの都合のよい実施形態では、バッチ反応器及び表面形状適合的にコーティングされた基材（１つ又は複数）はそれぞれ、全体として、最終生産物、例えば、フィルタ本体及びフィルタ要素の一部となり得る。
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【課題】原子層堆積のための改良されたガス配送装置を提供する。
【解決手段】基板受け入れ面を有する基板支持体212と、チャンバ蓋232とを備え、該チャンバ蓋は、その中央部分から延びるテーパー付けされた通路と、該通路から上記チャンバ蓋の周囲部分へ延びる底面260とを含み、該底面は、上記基板受け入れ面を実質的に覆う形状及びサイズにされている。又、この装置は、徐々に拡がるチャンネルに結合された１つ以上のバルブ250と、各バルブに結合された１つ以上のガス源も備えている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の気密性を保持するためのシール材が、処理装置内で発生したプラズマによって劣化するのを抑制する。
【解決手段】処理容器２の容器突出部２ａと蓋体３の蓋体突出部３ａとの接触面には、Ｏリング１０が環状に設けられている。容器突出部２ａには、Ｏリング１０の内側に形成された隙間１１に、不活性ガスを流入させるためのガス流入口１２が複数形成されている。ガス流入口１２から流入した不活性ガスは隙間１１内に充満しながら、処理容器２の内部に流入する。この隙間１１内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内で発生したプラズマによるＯリング１０の劣化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスの小さいポリシリコン膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】Ｃｌを含むＢ源と、Ｈを含むＳｉ源を有する原料ガスを反応室内に供給して、半導体基板上にＢがドープされたポリシリコン膜を成長させる際に、前記原料ガスのうち、少なくともＢ源の供給と同時に塩化水素ガスを前記反応室内に供給する工程と、パージガスを前記反応室内に供給して、前記原料ガス及び前記塩化水素ガスを排出する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電極と背面部材の間隔を狭くしても、処理室の排気効率が低下することを抑制できるようにする。
【解決手段】高周波電極３２０は、処理室１００の中に配置され、高周波が印加される。高周波電極３２０の表面は、被処理体１０に対向している。背面部材２１０は、高周波電極３２０の裏面を覆うように、この裏面から離間して設けられている。背面部材２１０と高周波電極３２０との間の空間は処理室１００の排気ルートとなっている。高周波電極３２０は、高周波電極３２０の表面を形成する板状の表面部材３２２と、表面部材３２２の裏面に取り付けられた筐体３２４から形成されている。表面部材３２２は、例えばステンレスなどの金属で形成されている。筐体３２４は、箱状であり、多孔板、例えばステンレスなどの金属板にパンチングにより多数の孔を形成したパンチングメタルで形成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性と効率を高める、ガス噴射システム及び方法を提供する。
【解決手段】本システムは、プラズマ処理チャンバ１０、真空ポンプ、基板支持体１２、前記基板支持体に対面する誘電体部材２０、ガス噴射器２２、ＲＦ源１９、アンテナ１８、等で構成される。アンテナはＲＦ源からのエネルギを、前記誘電体部材を通して処理ガスに誘導結合させ、プラズマ状態にして基板を処理する。また、ガス噴射器は、中央領域の軸上排気口と、前記中央領域を取り囲む環状領域の軸外排気口と、を有する。さらに、ガス噴射器は複数のガス噴射口を有し、複数のガス噴射口は独立して変化する流量で処理ガスを供給できる。これにより、チャンバ内の複数領域へのガスの流れを独立に調整が可能であり、多様な要求を満たすガス供給の変更を可能にする。このようなプラズマシステムを用いることで前述の課題が解決できる。 （もっと読む）

【課題】発熱回路の断線故障が生じてもチャンバ等の温度を維持して稼働を継続することのできる基板処理装置用の加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱ユニット１０１は、インナーシェル１１１とアウターシェル１２１との間に、第１の面状発熱体１３１及び第２の面状発熱体１３２の２つの面状発熱体を保持する。第１の面状発熱体１３１及び第２の面状発熱体１３２には、第１の面状発熱体用リード線１４１及び第２の面状発熱体用リード線１４２を介して個別に電力が供給され、発熱が制御される。いずれか一方の面状発熱体が故障しても、他方の面状発熱体により発熱を維持し、加熱を継続することができる。 （もっと読む）

【課題】供給された基板の加熱時間の短縮ができ、タクトタイムの短縮を図ることができる真空処理装置の提供。
【解決手段】被処理基板１０は、連通領域９に移動可能に設けられたサセプタ１１，１２に載置される。搬送装置８は、基板搬入時および搬出時に連通開口１ａを閉鎖してロードロック室領域７を密閉する第１の位置へサセプタ１１，１２を搬送し、成膜処理時に連通開口１ｂを閉鎖して処理室領域４を密閉する第２の位置へサセプタ１１，１２を搬送する。サセプタ１１，１２が第１および第２の位置に搬送されると、連通開口１ａ，１ｂの周囲と載置台との間にＯリング４１，６２が挟持される。サセプタ１１，１２は、載置された被処理基板１０を加熱して所定温度に保持する載置部１０１と、載置部１０１に対して断熱的に設けられたシール部１０２とを有するので、Ｏリング４１，６２の熱劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ・イオン・エネルギーおよびプラズマ密度に対する所望の独立した制御ができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１０にガスを結合するためのポート、真空チャンバ１０内のガスに電界を印加するための第１の電極１８、第１の電極１８から間隔を隔てたＤＣ基準電位にある第２の電極２６を有し、電極１８，２６間の体積を含む領域でガスをプラズマに励起させるようになされた真空チャンバ１０と、第１の電極１８に異なる周波数を有する電界を同時に前記プラズマに供給させるための回路７０とを備えたプラズマ処理装置であって、真空チャンバ１０が、前記異なる周波数の電力に前記領域を通る実質的に異なる経路を取らせるようになされた構造を備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバの内壁に堆積するウォールデポの剥離を促進する気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０は、チャンバ３、複数のランプ４１、送風手段５、及び一対の第１開閉扉を備える。チャンバ３は、ウェーハ１が設置されるサセプタ２を内部に配置し、原料ガスＧを内部に導入する。チャンバ３は、サセプタ２の上方を覆う第１隔壁３１、及びサセプタ２の下方を覆う第２隔壁３２を有する。複数のランプ４１は、第１隔壁３１を介してウェーハ１及びサセプタ２を加熱する。送風手段５は、第１隔壁３１の上面に冷却用空気（冷却媒体）Ａを送風する。一対の第１開閉扉は、原料ガスＧが導入されて、サセプタ２を越える下流側の内部領域３ｎと対向する外部領域３ｍに冷却用空気Ａの送風を堰き止めることができる。 （もっと読む）

【課題】装置の外径サイズを一定寸法以下に維持しつつ、生産効率及びコストパフォーマンスの高い真空装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能なチャンバ３０と、第１及び第２トレイを、チャンバ３０の上部の第１及び第２の領域の直下に、交互に移動させるように回転する円盤状の回転機構３１とを備え、第１の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１のいずれかが仕切ることにより、第１の領域がなす密閉領域を処理室２０として定義し、第２の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより、第２の領域がなす密閉領域をロードロック室１０として定義し、チャンバ３０の内部において、第１及び第２トレイ１１，２１をロードロック室１０と処理室２０との間を交互に搬送し、回転機構３１の載置面で規定される領域のサイズに応じて第１及び第２トレイ１１，２１のそれぞれが複数の被処理基板１０１，２０１を配列する。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内で基板を処理するとともに蓄積した物質をチャンバ構成要素から洗浄する装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、蓄積した物質をチャンバ構成要素から化学的にエッチングする反応性ガス化学種を生成するように適合した反応性化学種発生器、及び反応性化学種に曝露される鏡面研磨面をもつ少なくとも１つの構成要素を有する処理チャンバを含んでいる。好ましくは、チャンバ洗浄効率に対する効果を最大にするために、鏡面研磨面６４はガス分配プレート１２又はバッキングプレート１３のような構成要素の表面、及び/又は反応性化学種に曝露される表面積の割合の大きい複数の小さな構成要素（例えば、チャンバ壁ライナ２９、ガスコンダクタンスライン４８等）の表面である。更に好ましくは、反応性化学種が接触するはだかのアルミニウム表面すべてが鏡面研磨される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、化学気相成長（ＣＶＤ）法などにより基板上に層を堆積するための改善された装置を提供する。本明細書で開示される本発明の装置は、有利には、膜厚の不均一性が低減された１つまたは複数の膜を所与のプロセスチャンバ内部に堆積させること、粒子性能の改善（例えば、プロセスチャンバ内で形成される膜上の粒子の減少）、複数のプロセスチャンバ間でのチャンバとチャンバの動作整合、およびプロセスチャンバ保守性の改善を容易にする。
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【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。
【解決手段】ウェハＷを載置した回転テーブル２を鉛直軸回りに回転させることによって、ウェハＷの表面に第１の反応ガスを供給してこの反応ガスを吸着させ、次いでこの第１の反応ガスと反応して流動性を持つ中間生成物を生成する補助ガス及びこの中間生成物と反応して反応生成物を生成する第２のガスをこの順番でウェハＷの表面に供給し、その後ウェハＷを加熱ランプ２１０により加熱して反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】均一な成膜を行うことができるＤＣアークプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１は、プラズマガン４及び陽極部５と、反応容器３と、を備え、プラズマガン４及び陽極部５は、プラズマＰを発生させ、反応容器３は、プラズマガン４及び陽極部５が互いに対向するように取り付けられると共に発生させたプラズマＰをその内部で囲うように設けられた反応室６と、反応室６に隣接しその内部に基板２が配置される成膜室７と、を含んでいる。反応室６と成膜室７との間の対向壁部８ｃには、プラズマＰによって活性化させた原料ガスが通過する孔が複数形成され、反応室６の壁部８は、絶縁体で構成されている。このＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１によれば、反応室６の壁部８に電流が流れ込んで放電空間内の電流密度が不均一になるのを抑制でき、成膜速度のばらつきを防止できる。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブルの周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気する。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積法により、簡易な構成で均一な膜質の薄膜を形成する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置１０であって、第１の内部空間を形成する容器であって、基板を搬入又は搬出するための基板搬入出口２８と、基板上に薄膜を形成するガスを内部に導入するためのガス導入口２９とを異なる位置に備える第１の容器２０と、第１の容器２０の内部に設けられ、第１の内部空間と隔てられる第２の内部空間を形成し、第１の開口を備える第２の容器６０と、第２の容器６０を所定の方向に移動する第１の移動機構３６と、基板を搬入又は搬出する場合、基板搬入出口と第１の開口とが対向する第１の位置に第２の容器６０を移動し、基板上に薄膜を形成する場合、ガス導入口と第１の開口とが対向する第２の位置に第２の容器６０を移動するように第１の移動機構を制御する制御部１００と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板以外に薄膜が広範囲に形成されずクリーニングおよびメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、所定の圧力を維持する第１の内部空間２２を形成する成膜容器１２と、この第１の内部空間内２２に設けられ、設定された圧力を維持する、第１の内部空間２２と隔離された第２の内部空間１５を形成するリアクタ容器１４と、第１の内部空間２２内に設けられ、リアクタ容器１４に隣接して設けられたヒータ１６ａ，１６ｂと、第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する基板Ｓを載置する載置機構１８と、載置される基板Ｓの上方に対向するように第２の内部空間１５内に設けられ、薄膜を形成する原料ガスを、ヒータ１６ａの加熱を受けた状態で、基板Ｓに向けて供給する原料ガス供給ヘッド２０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積法により均一な膜質の薄膜を基板上に成膜する原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、第１の内部空間を形成する第１の容器と、第１の容器の内部に設けられ、第２の内部空間を形成する筒形状の容器であって、第２の内部空間内に向けて、基板上に薄膜を形成する原料ガスが流れる第１の開口を筒形状の一端に備える第２の容器と、原料ガスを、第１の開口を通して第２の内部空間に供給するガス供給口を備え、かつ、第２の容器の筒形状の長手方向に第２の容器を押えることにより、第１の内部空間に対して第２の内部空間を隔てる押え部材と、を有する。 （もっと読む）