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Fターム[4K030KA08]の内容

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【課題】プラズマ中に浮遊するダストが基体に付着して形成される構造欠陥を低減し、プラズマ処理による製造物の歩留まりの向上を図ること。
【解決手段】少なくとも一部が誘電体で形成された減圧可能な反応容器と、反応容器内に円筒状基体を設置する複数の基体支持体と、円筒状基体を加熱する基体加熱手段と、反応容器内にガスを供給するガス供給手段と、反応容器内を排気する排気手段と、反応容器の外側に設置された複数の高周波電極によって反応容器内に供給したガスのプラズマを生成するための高周波電力供給手段を備えたプラズマ処理装置において、反応容器の底面に前記排気手段を接続する排気口を設け、少なくとも排気口の周囲を冷却する冷却手段を設ける。 (もっと読む)


【課題】従来の電子写真感光体における諸問題を克服して、低コスト且つ安定した製造が可能で、堆積膜特性の優れた、画像欠陥が少ない電子写真感光体の製造可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも一部が誘電体材料により構成された減圧可能な反応容器内に複数の円筒状基体を配置し、反応容器内へ原料ガス導入手段より供給された原料ガスを高周波電力導入手段より導入された高周波電力により分解して円筒状基体上に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置において、円筒状基体は同一円周上に等間隔で配置され、高周波電力導入手段は反応容器の外側に配置され、且つ、反応容器の外周を一周せしめて覆う形状であり、円筒状基体が配置される配置円内に設置されている接地された円筒状部材を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高周波電力によって生起されたプラズマを用いた堆積膜形成において、異常成長の発生を低減すること。
【解決手段】堆積膜形成装置は、内部を減圧可能な反応容器101を有し、反応容器101内には、原料ガスを供給するガス供給手段110が設けられ、複数の円筒状基体105が同一円周上に等間隔に配置され、反応容器101の外に、高周波電力導入手段102が配置されており、原料ガスを高周波電力によって励起、解離させることによって、円筒状基体105上に堆積膜が形成される。この堆積膜形成装置には、同一円周上に配置された円筒状基体105に囲まれた領域の内部に、アースに落とされ冷却された導電性の円筒状部材111が設置されている。 (もっと読む)


本発明は、ネック(14)が設けられた容器(12)を処理するための機械であって、この機械は、ニップル(22)が設けられた少なくとも1つの処理ステーション(11)を有し、この処理ステーションは、容器を捉えるための把持手段(26)を有し、この把持手段は、各々が、内側の把持位置と外側の開放位置との間で径方向に可動なボール(54)を受容することを目的としている、一連の径方向のドリル孔(52)が設けられている管状の支持カフ(50)を有している、機械において、把持手段は、管状の制御カフ(56)を有し、この制御カフは、ボールにこれらボールの把持位置へと圧力をかけるためにこれらボールと協働するロックされた位置と、ロック解除された位置との間を、摺動可能に取り付けられており、また、ニップルは、制御カフを摺動させることができる制御された駆動手段(62)を有することを特徴とする機械に関する。
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【課題】 誘電率が低く、熱安定性を有する誘電材料を提供する。
【解決手段】 プラズマ化学気相成長(PECVD)プロセスを利用して、平行板化学気相成長プロセスにおいて、Si、C、O、およびH原子を含む熱的に安定した超低誘電率膜を製造するための方法を開示する。更に、この方法によって作成された熱的に安定した超低誘電率材料の絶縁層を含む電子デバイスを開示する。熱的に安定した超低誘電率膜の製造を可能とするため、例えばジエトキシメチルシラン(DEMS)のようなシラン誘導体、および、例えばビシクロヘプタジエンおよび酸化シクロペンテンのような有機分子等、特定の前駆物質材料を用いる。 (もっと読む)


【課題】プロセスチャンバの高さを一定に保つための手段を提案すること。
【解決手段】リアクタ筐体(1)内に配置されたプロセスチャンバ(2)を備え、プロセスチャンバ(2)が、プロセスチャンバステージ(7)と、プロセスチャンバステージ(7)から距離(h)離れて配置されたプロセスチャンバデッキ(6)とを有し、リアクタ筐体(1)が、少なくとも、リアクタ筐体(1)内の圧力の変化によって僅かに弾性的に変形可能なリアクタ壁(3、4)を有し、リアクタ壁(3、4)が、機能エレメント(9、10)が突き出る同心円状の開口(17、18)を有し、機能エレメント(9、10)が、第1の部分(9’、10’)でプロセスチャンバ壁(6、7)に強固に連結され、リアクタ筐体(1)の外の第2の部分(9’’、10’’)を有し、機能エレメント(9、10)が、弾性的な隙間を形成可能にリアクタ壁(3、4)に連結されるように構成される。 (もっと読む)


大気圧または大気圧近傍の圧力下、対向する電極間にフッ素化合物と有機マグネシウム化合物を含有する反応性ガスを供給し、高周波電圧をかけて、前記反応性ガスを励起状態とし、励起状態の反応性ガスに基材を晒すフッ化マグネシウム薄膜の製造方法。および、前記フッ化マグネシウム薄膜が第1のフッ化マグネシウム薄膜上に、第2のフッ化マグネシウム薄膜を有し、前記第1のフッ化マグネシウム薄膜は炭素と酸素の混入比の少なくともいずれかが10原子%以上であり、前記第2のフッ化マグネシウム薄膜の炭素と酸素の混入比の少なくともいずれかが10原子%以下であることを特徴とするフッ化マグネシウム積層膜。 (もっと読む)


基材と該基材上に設けられた耐腐食性コーティングとを含む物品が提供される。基材は、一般にアルミナから本質的になり、耐腐食性コーティングは、基材と耐腐食性コーティングの間に介在層、例えば、高温処理プロセスにより提供される反応生成物を与えることなく基材と直接接触するように設けられる。耐腐食性コーティングは、一般に希土類酸化物から本質的になり、約15MPa以上の付着強度を有する。特定の実施態様によれば、本物品は、半導体ウェハを処理するための半導体処理装置(10)で利用及び実装されるセラミック部材(18、20)である。
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閉成状態の複数の部品からなるマンドレル(10,30,40)の内面上へのニッケル蒸着を使用して、ニッケル成形品、即ちシェルを成形するための方法と装置。閉成状態の複数の部品からなるマンドレル(10,30,40)は、別の蒸着チャンバの必要性を省き、ニッケル蒸着が、中空、若しくは部分的に中空のニッケル成形品(12,32,33,34)を得るように、複数の部品からなる完全な、若しくは部分的なマンドレルの内面の形状に、ニッケルシェル(12,32,33,34)を成形する。
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【課題】 300MHz〜1GHzの低UHF帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。
【解決手段】 ガス供給系5からガスを供給しながら、排気系6で排気して、処理容器3内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器1で低UHF帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器2内でTM010モードで共振させる。隔壁板20に形成された長孔25を通してマイクロ波を放電室4内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板30の表面に、エッチングやCVDなどの処理を行なう。隔壁板20の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板20と基板載置台31との間のギャップは、基板30の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。 (もっと読む)


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