【課題】処理レートが速いプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理を行う処理空間１を形成する金属製処理容器２と、処理空間１内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、金属製処理容器２の側壁を処理空間１から遮蔽し、下端が基板載置台３の被処理基板載置面よりも下方に延びる石英製部材４ａと、石英製部材４ａの底面と金属製処理容器２の底壁２ｂとの間に設けられた、金属製処理容器２の底壁２ｂを、処理空間１から遮蔽する環状の石英製部材６と、基板載置台３の外周近傍から処理空間１に処理ガスを導入する処理ガス導入部と、を備える。 （もっと読む）

複数基質のための基質ホルダを収容するプロセスチャンバと、加熱した基質の表面上の部分に反応ガスを供給する反応ガス吸気口とを含む化学蒸着反応装置が提供される。反応ガスは、基質に対して平行又は斜めに導入される。供給される反応ガスの流れの方向とサセプタの角回転の接線成分との間の角度は、サセプタの位置に依存しない。熱いガスが基質の表面に平行又は斜めに流れる冷たい反応ガスと接触する際に生成される境界層の厚さを変えるために、基質に対してガスを垂直又は鋭角に供給する第二のガス吸気口が備えられる。
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【課題】成膜対象である基板の大型化に伴う問題点を解決し得るプラズマ装置を提供すること。
【解決手段】製膜室内に配置された基板１７の一方の面側に接地電極１２０を配設し、他方の面側に接地電極１２０と対面する高周波電極１１０を配設し、プラズマ放電によって基板１７の他方の面に薄膜を成膜するプラズマ装置１００であって、高周波電極１１０の基板１７に対面する側の面とは反対側の面に対面すると共に該高周波電極１１０に接続され、外部から供給される高周波電力を高周波電極１１０に給電する電源接続平板電極１０６と、成膜を行うためのガスを溜めるガス溜り部１１１と、該ガス溜り部１１１に溜まったガスを基板１７側に導出する複数の孔１１４とを有する高周波電極１１０とを具備し、電源接続平板電極１０６は、外部から供給される成膜を行うためのガスを高周波電極１１０のガス溜り部１１１に導入するガス流通孔１３１を内部に形成する構成とした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、複数の被処理体Ｗを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段３８と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス６４と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極６６と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】真空引きにより蓋部を吸引固定することにより熱伸縮差を許容して、蓋部や外側載置台等に割れや破損等が発生することを防止することが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理装置３０の処理容器３２内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台構造６４において、容器状になされた内側容器６６Ａと内側容器に連通された中空状の内側支柱６６Ｂとが一体的に連結された内側載置台６６と、内側容器の周囲を覆う外側容器６８Ａと内側支柱の周囲を覆う外側支柱６８Ｂとが一体的に連結された外側載置台６８と、内側容器内に収容される内部収容物７０と、内側容器の開口と外側容器の開口とを覆い、被処理体を載置する蓋部７２と、内側載置台の内部を真空引きする真空引き手段７４と、内側載置台と外側載置台との間の隙間にパージガスを供給するパージガス供給手段７６とを備える。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の利用率を向上させることができる薄膜製造装置及び薄膜製造方法を提供すること。
【解決手段】長尺の可撓性基板１１１上の長手方向の複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施して複数の成膜領域を形成することにより、可撓性基板１１１上に複数の薄膜太陽電池を形成する薄膜製造装置１００であって、複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施すことにより、長手方向に同じ長さの成膜領域をそれぞれ形成すると共に、成膜領域の長さＬ１の整数倍の間隔で配置された複数の成膜室１３１〜１３５と、可撓性基板１１１を成膜室１３１〜１３５の配置間隔ごとに順次ステップ送りする駆動手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の反応炉内の洗浄等のメンテナンスの際に異臭の発生を抑止する。
【解決手段】シリコン成分を有するプロセスガスを所定の温度に加熱されたウェハ１５０に供給し、ウェハ１５０上に気相成長による成膜を行なう気相成長装置１００であって、反応炉１０１と、プロセスガス供給部１０３と、第１排気部１２０と、第１排気部１２０から分岐して設けられ、反応炉１０１から大気を排出するバイパス管１３０とを備えることを特徴とする。これにより、メンテナンス時に反応炉１０１内から排出される大気と、第１排気部１２０に堆積する副生成物とを接触させないため、異臭の発生を抑止することができる。
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【課題】他の処理チャンバからの汚染をもたらさず、スループットを低下させずに各処理チャンバで処理を行うことができる真空処理システムを提供すること。
【解決手段】真空処理システム１は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室１１にＰＶＤ処理チャンバ１２〜１５を接続してなる第１の処理部２と、ウエハを搬送する第２の搬送室２１にＣＶＤ処理チャンバ２２，２３を接続してなる第２の処理部と、第１の搬送室１１および第２の搬送室１２の間にゲートバルブＧを介して設けられ、ウエハＷを収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室５ａと、バッファ室５ａが第１の搬送室１１および第２の搬送室１２のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブＧの開閉およびバッファ室５ａの圧力を制御する制御部１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】処理室とロードロック室間で基板を搬送する搬送機構の構造を簡素化し、小型化し、動作も単純化することにある。
【解決手段】基板４の搬送機構２２の搬送アーム２２ｂの回転動作中に処理室１やロードロック室３０の構成部材が搬送アーム２２ｂの動作を妨げない構成である。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって、高い成膜レートで長時間の成膜を安定して行なうことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板の搬送経路を反対方向に折り返し、この折り返し前後の基板を挟むように電極を配置し、かつ、折り返した基板の間に反応ガスを導入して、基板にプラズマＣＶＤによる成膜を行なうと共に、このプラズマＣＶＤによる成膜を行なう成膜室と、基板の搬送経路を折り返す折り返し手段が配置される折り返し室とを、別の空間（部屋）とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】生成物付着用部材から生成物の剥離を抑制することにより部品交換作業の頻度を低減し、生産性を向上することができる気相成長装置を提供すること。
【解決手段】ガス供給口４１およびガス排出口４２を有する成長室１０と、表面に所望の膜を成長させるための基板Ｓを設置する成長室１０内に設けられた基板設置部１３と、基板設置部１３に設置した基板Ｓを加熱する成長室１０内に設けられたヒータ１２と、成長室１０内にガス供給口４１から原料ガスを供給するガス供給部と、成長室１０内のガスをガス排出口４２から外部に排出するガス排出部と、基板設置部１３に設置した基板Ｓと対向するように成長室１０内に着脱可能に設置される生成物付着用プレート５０とを備え、プレート５０は、基板Ｓの表面と対向する対向面５１に、基板成膜時に対向面５１に付着した生成物の剥離を抑制するための複数の溝状またはドット状凹部を有することを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】 密着性の優れた硬質被膜を持つ切削工具の製造装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器と、その内部には設置された基板取付具とを有する。基板取付具は、基板台と、基板台の上面から立設された支柱と、支柱に対し絶縁支持されて、水平に長い陰極棒と、陰極棒を円中心としてその周りを囲むように設けられた円筒状陽極とを含む。支柱の上端に水平に長い支持筒が取り付けられ、支持筒内に絶縁被覆を介して陰極棒支持される。陰極棒の末端付近で支持筒から末端側に突出し、該突出端に絶縁リングを介してキャップがはめ込まれ、該キャップを貫通したボルトが陰極棒の末端面にねじ込み固定される。陰極棒の前記支持筒より先端側において、絶縁スペーサに挟まれて１または複数の処理物が挿入され、絶縁押し込みカラーを介してキャップがはめ込まれ、該キャップを貫通したボルトが陰極棒の末端面にねじ込まれて固定される。 （もっと読む）

【課題】正確な終点検出の可能な処理装置のドライクリーニング方法を提供する。
【解決手段】クリーニング中の、チャンバ圧、物質濃度又は堆積膜の厚さを測定、モニターするためのセンサを装置１１内に設け、センサからのデータを基に終点を検出する。または、チャンバ１１内にプラズマを部分的に発生させて、このプラズマの発光強度をモニターして終点を検出する。或いは、チャンバ内に光を照射し、チャンバ内を通過した光を測定、モニターして終点を検出する。 （もっと読む）

二重ゾーンプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、処理チャンバ内で第１の基板を支持するように構成された第１の支持表面を有する第１の基板支持体と、処理チャンバ内で第２の基板を支持するように構成された第２の支持表面を有する第２の基板支持体とを含む。１つまたは複数のガス分配部材と流体連結する１つまたは複数のガス供給源が、第１の基板支持体に隣接する第１のゾーンおよび第２の基板支持体に隣接する第２のゾーンに処理ガスを供給する。高周波（ＲＦ）アンテナは、ＲＦエネルギーを処理チャンバの内部に誘導結合し、第１および第２のゾーンにおいて処理ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にするように構成される。アンテナは第１の基板支持体と第２の基板支持体との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】Ｏリングの劣化を防止しつつ金属汚染を防止する。
【解決手段】冷却媒体通路５０を形成する通路部材５１をマニホールド１９上のアウタチューブ１４とインナチューブ１５の間に敷設する。冷却媒体通路５０はアウタチューブ１４とマニホールド１９の間に設けられたＯリング１８よりヒータ１２側に配置する。通路部材５１は透明または半透明の石英を使用してチャンネル型鋼形状の円形環状に形成し、マニホールド１９表面に伏せて敷設する。マニホールド１９に冷却媒体導入通路５２および冷却媒体排出通路５３を開設し、冷却媒体通路５０に連通させる。マニホールドと通路部材を石英で形成することにより、金属汚染の原因になるのを防止できる。マニホールドを冷却媒体通路を流通する冷却媒体で冷却できるので、Ｏリングが溶融したり劣化したりするのを防止できる。
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【課題】工程数を少なくし、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加を抑制することが可能なバリヤ層の形成方法を提供する。
【解決手段】表面の少なくとも一部にシリコン層６が露出している被処理体Ｗの表面に、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜よりなるバリヤ層１４を形成するバリヤ層の形成方法において、被処理体の表面に、シリコン層と接する部分がシリサイド化しないような温度でＴｉ膜を形成するＴｉ膜形成工程と、Ｔｉ膜上に前記シリコン層と接する部分がシリサイド化するような温度でＴｉＮ膜を形成するＴｉＮ膜形成工程とを有する。これにより、工程数を少なくでき、ステップカバレジも良好にし、しかも、Ｔｉ膜とシリコン層との界面部分の抵抗値の増加も抑制する。 （もっと読む）

【課題】スループットおよび歩留りが高く、パーティクルの少ない基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１を載置するサセプタ電極５０を複数段、処理室内に所定の間隔を置いて配置し、各段のサセプタ電極５０に電力をそれぞれ供給してプラズマを生成し、各段のサセプタ電極５０に載置したウエハ１をプラズマ処理するバッチ式プラズマ処理装置において、ウエハ１を搬送するツィーザ２５に中央が長く両脇が短い３本の支持バー２６、２７、２８を設け、３本の支持バーはウエハ１の外周縁部下面の３点を支持するように構成する。各段のサセプタ電極５０には３本の支持バーが挿入する３本の逃げ溝５２、５３、５４を開設する。複数段のサセプタ電極に複数枚のウエハを同時に移載できるので、スループットを向上できる。ツィーザが逃げ溝に接触するのを防止することで、パーティクルを発生させるのを防止できるので、歩留りを向上できる。 （もっと読む）

【課題】扁平で均一な形状のプラズマを形成することができ、基板表面の観察が容易なマイクロ波プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】
導電性材料で形成された真空室（２）と、真空室（２）内側の上壁面に固定され、貫通孔（３）を有し、導電性材料で形成されたアンテナ（４）と、アンテナ（４）に対向して配置され、基板（Ｓ）を搭載可能なステージ（５）とを備え、貫通孔（３）の一端が真空室（２）の外部に接続され、貫通孔（３）の他端が、アンテナ（４）のステージ（５）に対向する面に位置し、プラズマ用の原料ガスが、貫通孔（３）を通ってアンテナ（４）およびステージ（５）の間隙に供給され、マイクロ波が真空室（５）の外部から供給され、アンテナ（４）およびステージ（５）の間隙にプラズマを発生させ、貫通孔（３）を介して、ステージ（５）に搭載された基板（Ｓ）の表面を観察可能である。 （もっと読む）

【課題】ステンレス等の金属部品の腐食を軽減することができ、メンテナンスの容易な気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、円環状の金属製のベースリング１０と、ベースリング１０を上下から挟んでチャンバー２を構成する石英製のアッパードーム８およびロアドーム９とを備える。チャンバー２内部には、アッパーライナー１６およびロアライナー１７と、上面にエピタキシャル層を気相成長させるためのウェーハＷが載置されるサセプタ４を備える。
反応炉の内壁面の一部を構成するベースリング１０の内周壁面を石英ガラス板よりなるチャンバーシールド１５で覆ったことにより、上部反応炉３と下部反応炉５との間に生ずる炉内容積変化の差を修正するために、ロアライナー１７に炉内容積調整用の凹陥部１７ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル堆積チャンバにおける基板の処理および移送のための装置および方法を提供する。
【解決手段】堆積チャンバの処理量を最大にし、膜の堆積の均一性を向上するように適合される。一実施形態において、冷壁の低圧化学気相堆積反応炉において基板１２０の放射加熱を用いて、２つの基板が、同時に処理される。 （もっと読む）