【課題】誘電体板の被処理体側の表面の形状をガス種に応じて適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、天井面に複数の誘電体板３１を有する。誘電体板３１の下面には、７つの凹部が形成されている。誘電体板内部の定在波の状態は、誘電体内部の電界エネルギーの分布を示し、プラズマからの反射波ｒｐに応じて変化する。プラズマからの反射波ｒｐは、ガス種に応じて変化し、プラズマの誘電率ε_ｒおよび誘電正接Ｔ_δによって表すことができる。よって、各誘電体板内部の定在波は、ガス種によって変化し、その状態は、プラズマの誘電率ε_ｒおよび誘電正接Ｔ_δから推定することができる。このようにして推定された結果に基づき、電界エネルギーの強い領域から弱い領域にエネルギーが伝わるように、誘電体板３１の下面の凹部の間の凸部を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によって絶縁膜を形成する場合に、シリコンと絶縁膜との界面の形状を極めて平坦化することが可能な絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバ１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、シリコン表面を酸化して酸化珪素膜を形成する（ステップＳ１）。この酸化珪素膜上にＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜し（ステップＳ４）、さらに、プラズマ処理装置１００を用い、チャンバ１内に希ガスと酸素を含む処理ガスを導入するとともに平面アンテナ３１によりマイクロ波を導入し、６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件でプラズマを発生させ、該プラズマにより、絶縁膜を改質する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】成膜加熱中に異常信号を得た異常モードにおいて、安全モードに移行する際にも石英ドームの石英窓とフランジ部との接合部に発生する応力が所定の安全応力値を超えないようにする。
【解決手段】半導体ウエハ７０が配置された処理室１５が減圧され、石英ドーム１１、１２を側面加圧され、処理室１５が加熱された状態で、検知部４０によって処理室１５の異常状態が検知されたとき、石英ドーム１１、１２に対する側面加圧を停止し、当該側面加圧の停止後に処理室１５を大気圧に戻す。 （もっと読む）

【課題】搬送アームの上面に対するコーティング材の転写を防止できるプラズマ処理システムを提供する。
【解決手段】処理容器３０内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、処理容器３０内において基板Ｗを処理するプラズマ処理装置５と、プラズマ処理装置５の処理容器３０内に対して基板Ｗを搬入、搬出させる搬送アーム１１を備えた処理システム１であって、処理容器３０内には、基板Ｗを上面に載置させる載置台３１が設けられ、載置台３１の上面には、搬送アーム１１による基板Ｗの支持位置に対応する箇所に、凹部３３が設けられている。搬送アーム１１による基板Ｗの支持位置に対応する箇所においては、載置台３１の上面から基板Ｗの裏面に対してコーティング材が転写されることがない。このため、搬送アーム１１の上面にもコーティング材が転写されなくなる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの生成を防止した金属膜作製方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１内にハロゲンガスを含有する原料ガス１８を供給し、プラズマアンテナ２７に給電することでガスプラズマ１４を発生させ、当該ガスプラズマ１４により被エッチング部材２０をエッチングして金属成分と塩素との前駆体１５を生成させると共に前駆体１５の金属成分を基板３に成膜する金属膜作製装置において、チャンバ１の内部に供給される原料ガス１８が、チャンバ１の中心に向かう方向と天井板２５に向かう方向との二つの方向に供給されるように、ノズル５０を設置した。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、コストを大幅に減少させて高品質なＣｕ薄膜１６を生成する。
【解決手段】チャンバ１の内部にノズル１２から原料ガスを供給し、プラズマアンテナ９から電磁波をチャンバ１の内部に入射し、Ｃｌ₂ガスプラズマ１４により、銅板部材７にエッチング反応を生じさせて前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）１５を生成し、銅板部材７よりも低い温度に制御された基板３に運ばれる前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）１５は還元反応によりＣｕイオンのみとされて基板３に当てられ、基板３の表面にＣｕ薄膜１６が生成され、成膜速度が速く、コストを大幅に減少させて高品質なＣｕ薄膜１６を生成する。 （もっと読む）

基板を処理する方法及び装置が本明細書において提供される。幾つかの実施形態では、基板を処理する装置は、内部空間を有するプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバに接続される排気システムとを含むことができ、前記排気システムは、複数の第１導管を含み、各第１導管は、前記プロセスチャンバの前記内部空間からの排気ガスを流入させるように適合させた吸入口を有する。ポンピングプレナムは、前記複数の第１導管の各々に接続される。前記ポンピングプレナムは、前記チャンバからの排気ガスをポンプで排出するように適合させたポンピングポートを有する。前記複数の第１導管の各吸入口と前記ポンピングポートとの間のコンダクタンスは、ほぼ同等である。
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システムを横断して搬送される基板に複数のコーティングを塗布するマルチパスコーティングシステムおよび方法。本システムは、システム内で大気圧より低い圧力を確立すべく本システムに結合された少なくとも１個の真空ポンプを含んでいる。本システムはまた、基板にコーティング層を塗布するための少なくとも１個のコーティングゾーンを含み、基板が通過することによりシステム外部の大気圧とシステム内部の大気圧より低い圧力との間を遷移する少なくとも１個の転送ロックを含んでいる。本システムは、システムを通過して基板を搬送するために、基板がシステムから出る前にコーティングゾーンを少なくとも２回通過して基板を搬送すべく構成された搬送機構を含んでいる。
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【課題】チャンバークリーニング直後から膜特性が安定し、プリデポなしでも所望のデバイス特性が得られるような半導体デバイスの連続製造方法及びこれに使用するチャンバーを提供する。
【解決手段】薄膜シリコンをプラズマＣＶＤにより製膜する工程を有する半導体デバイスの連続製造方法において、装置を停止することなくＦ_２ガスを用いてチャンバークリーニングを行う。又内壁側の隅は角がない構造とし、内壁がＡｌ材料又はアルマイト加工されたＡｌ材料チャンバーとする。 （もっと読む）

【課題】チャンバー外からチャンバー内へのリーク量が低減された成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバー外からチャンバー内へのリークが生じたとしても、チャンバー外壁を囲む雰囲気に含まれる酸素及び窒素を極力低減し、希ガスまたは水素で充填することにより、大気における酸素濃度及び窒素濃度の１００分の一以下、好ましくは１０００分の一以下とし、チャンバー内をさらにクリーンに保つ。チャンバーの外側に気密性の高い空間を隣接して設けるため、チャンバーを袋体で覆い、高純度のアルゴンガスを袋体内に供給する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハ、フラットパネル基板、ソーラーパネル等の基板を処理するための、ｉｎ‐ｓｉｔｕプラズマ洗浄機構を含む基板処理チャンバを提供する。
【解決手段】 前記チャンバ本体は、それ自体の側壁上に設けられた少なくとも１つのプラズマ源開口を有する。前記チャンバ本体内には、前記基板が前記プラズマ源開口の下方に配置されるときに、前記チャンバのｉｎ‐ｓｉｔｕプラズマ洗浄用の第１の位置をとり、前記基板が前記プラズマ源開口の上方に配置されるときに、基板処理用の第２の位置をとる可動基板ホルダが設置される。前記プラズマ源開口には、プラズマ源が結合される。 （もっと読む）

【課題】ベタツキ感を抑制し、経時変化に対する耐久性や信頼性を向上させ、光透過性を損なうおそれのない部品の表面処理方法及び部品を提供する。
【解決手段】光透過性を有するシリコーンゴム製のライトガイド層２のベタツキ感を抑制する方法であって、ライトガイド層２に微量のシランカップリング剤４を酸化火炎と共にバーナー５により吹き付け、ライトガイド層２の表面にナノレベルサイズの酸化ケイ素皮膜３を積層形成する。酸化ケイ素皮膜３を積極的に積層形成するので、経時変化に対する耐久性を向上させ、信頼性の低下を抑制防止したり、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内部の上下温度差による熱帯流の発生を根本的に抑える金属有機化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバ１１０と、上、下部蓋１１１，１１２に備えられる上、下部サセプタ１２１，１２２を備え、上部蓋１１１と上部サセプタ１２１間、および下部蓋１１２と下部サセプタ１２２間に備えられる加熱部１３１，１３２と、上、下部中空軸を回転中心にし上、下部サセプタ１２１，１２２を一方向に回転させる動力を提供する回転駆動部１４０と、上、下部中空軸に連結され、上、下部中空軸間を連結する中央ガス供給ノズル１５３を通じ対向する上、下部サセプタ１２１，１２２の対応面間に反応ガスを供給するガス供給部１５０と、上、下部蓋１１１，１１２の外枠に接するよう配置され、反応チャンバ１１０の内部空間と連結されウェーハと反応が完了した反応ガスを外部に排出するガス排気部１６０とを含む。 （もっと読む）

本発明は、真空チャンバおよびその製造に関する。本発明によると、真空チャンバは挿入プレートが挿入されるフレームを含んでいる。挿入プレートはフレームとともに、内部で真空を生成することができる閉じられた空間を形成する。フレームの筐体は一体的な金属材料から広い面積の材料を取り除くのが好ましく、それにより、挿入プレートのための開口部が生じる。このことは特に、挿入プレートが挿入される場所で、溶接継目が必要ないという利点がある。
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【課題】スループットを増加させると同時に、フットプリントを減少させ、かつ、装置の保守性を向上させたクラスタ型半導体処理装置を与える。
【解決手段】クラスタ型半導体処理装置は、ウエハ搬送チャンバの軸線方向に見て、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面とウエハ搬入／搬出チャンバ用の隣接する２つの側面を含む多角形ベースを有するウエハ搬送チャンバを含む。ウエハ処理チャンバ用の複数の側面のうち隣接する２つの側面の間の角度Aは、ウエハ処理チャンバ用の複数の側面とウエハ搬入／搬出チャンバ用の２つの隣接する側面から成る全側面数で３６０°を割り算して計算された角度Bより大きい。 （もっと読む）

【課題】慣用のチャンバの改造に使用可能で、処理ガスの迅速なパージも可能としつつ、基板全体に亘ってより良好なガス、温度及び圧力均一性を付与するＡＬＤ処理キット及びチャンバ構成部品を提供する。
【解決手段】原子層堆積チャンバ２２は、ガス流入部６４とガス流出部６６との間に円錐状流路７８を有している中央キャップ部６０を備えたガス分配装置４０を備えている。このガス分配装置４０は、連結された第１及び第２円錐状開口部９２、９４を備えた天井プレート９０も有している。第１円錐状開口部９２は、中央キャップ部６０のガス流出部６６から処置ガスを受け取る。第２円錐状開口部９４は、第１円錐状開口部９２から半径方向外側に向かって延びている。このガス分配装置４０は、チャンバ２２の側壁部３０上に据えられる周縁棚部１０４も有している。 （もっと読む）

【課題】異常放電の影響により反応炉内の部材の溶融をなくすことで球状突起を低減し、プラズマ処理装置による製造物の歩留まりを向上することを目的としている。
【解決手段】プラズマ処理装置において、高周波電力導入手段を兼ねる円筒状の側壁を除く反応容器内のプラズマに曝される部材の少なくとも一部に融点１０００℃以上の材料を使用する。 （もっと読む）

【課題】 基板に対してより多量の処理ガスを供給する。
【解決手段】 積層された基板を収納する処理室と、処理室内に基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、開口部から基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、ガス供給部が有する各開口部の上下側には開口部を挟んで対向する上の壁と下の壁とがそれぞれ設けられ、開口部を挟んで対向する上の壁と下の壁との間隔が、処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】処理空間にガスが滞留し難く、被処理基板に常に新鮮な処理ガスを供給することが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】内部空間１５を形成する処理容器２と、内部空間１５内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、内部空間１５内に設けられ、この内部空間１５の内径ａ１５よりも小さい内径ａ１を有する、基板載置台３の上方にプラズマ処理を行う処理空間１を区画する処理空間形成部材１６と、処理空間形成部材１６の上端部１６ａと内部空間１５の内壁１５ａとの間に設けられた、処理空間１からガスを排気する排気口６と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】
保守時等の蓋部の開閉時に配管の切離し、接続作業なしに、又切離し、接続時にパーティクルの混入を防止し得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】
開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器３と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体４と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロック５１と、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロック５２と、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管２５とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成された。
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