【課題】ＣＶＤ反応生成物の生成を抑制できるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応室１に原料ガスを導入するガス導入管６と、成膜を施すべき基板１０を支持する基板ホルダーと、基板１０を加熱する加熱装置４と、反応室内のガスを排気ガスとして系外に排気するガス排気管７とを備えるＣＶＤ装置において、排気ガスが接触する壁部２に対し、加熱装置４又は加熱装置４により加熱された部材からの輻射熱を反射する熱反射面８を設置したＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】 処理室内に供給したガスの処理室外の間隙への進入を抑制する。
【解決手段】 反応管の内部に設けられ基板を処理する処理室と、反応管の内部に設けられ処理室を囲い基板を加熱する被誘導体と、反応管の内部に設けられ被誘導体を囲う断熱体と、反応管の外部に設けられ少なくとも被誘導体を誘導加熱する誘導体と、処理室内に第１ガスを供給する第１ガス供給部と、被誘導体と断熱体との間に設けられる第１間隙に第２ガスを供給する第２ガス供給部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理室の蓋体を安定して保持し、反転させることが可能な蓋体保持治具を提供する。
【解決手段】処理室８１の上部に設けられた蓋体８３を、当該蓋体８３から取り外された状態で保持する蓋体保持治具１において、保持部２は蓋体８３の周縁部を保持し、基体３１、３４、５３は、前記保持部２に保持された蓋体８３を反転させるために当該保持部２を水平な回転軸５２周りに回転自在に支持する。固定機構４は、前記保持部２に対して蓋体８３を固定する固定位置と、当該蓋体８３の固定が開放される開放位置と、の間で固定部材４４を移動させる。 （もっと読む）

【課題】装置コストを抑制しつつ、電力印加部に付着する反応副生成物の量を大幅に減らし、優れた品質の薄膜を形成する薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜室５内で高周波電力を印加して基板１上に薄膜を形成する薄膜製造装置１００において、基板１と対面する位置に電力印加部２０が配置され、電力印加部２０の成膜室５側に電力印加電極２１が設けられ、電力印加部２０に電力を供給する給電線が接続され、電力印加部２０は、真空室１３の壁体１５と接続された支持体５７に固定された枠体５４に絶縁されて固定され、電力印加部２０と枠体５４との間に絶縁性及びシール性の間隔材５３が配設され、電力印加部２０に加熱手段のヒーター３１〜３３が設けられ、これらヒーターと電力供給手段３４との間に、給電線より供給される電力をカットする高周波カットフィルター３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、内部電極を用いることなく、ワークの内表面を処理し得るプラズマ表面処理装置およびプラズマ表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ表面処理装置Ｓａは、内表面を持つ長尺筒状体のワークＷＫに対し前記内表面をプラズマによって表面処理する装置であって、ワークＷＫの外雰囲気における第１放電開始電圧よりも低い第２放電開始電圧の気体をワークＷＫ内に供給する供給部１０ａと、前記筒状体の外側から前記筒状体を挟み込むようにワークＷＫの大きさに応じた間隔を空けて互いに対向する一対の第１および第２電極２１、２２を備える電極部２０ａと、ワークＷＫおよび電極部２０ａを相対的に運動させる駆動部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも一部に通気性を有する処理対象物の当該通気性部分の内部にまでプラズマ処理を施すことができるとともに、コストを削減することができ、さらには、あらゆる処理対象物に対して様々なプラズマ処理を簡便に行うことが可能なプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置ならびにプラズマ処理された処理対象物を提供すること。
【解決手段】 少なくともその一部が通気性を有する処理対象物１の内部にプラズマを透過させることにより所定のプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置２であって、プラズマを生成するプラズマ生成手段３と、前記プラズマを前記処理対象物１の内部に透過させるプラズマ透過手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の被処理体を搬送する第１の搬送装置３４が配置された搬送室３１と、搬送室３１の周囲に設けられ、複数の被処理体に処理を施す処理室３２と、搬送室３１と処理室３２との間に設けられ、第１の搬送装置３４が搬送してきた複数の被処理体を搬送装置３４から移載して処理室３２に搬送する第２の搬送装置３７が配置された移載室３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】キャリアの数が少数であってもプロセスチャンバの稼働率の向上を図ることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１は、２つのプロセスチャンバＰＣ１，ＰＣ２と３つのロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２，ＬＬ３が交互に直列に連結されており、隣り合うプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）とロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）との間でだけ複数のキャリアを搬送する搬送装置を備えている。搬送装置によってキャリアがプロセスチャンバＰＣ１（ＰＣ２）内に位置するとき被成膜材は成膜処理され、ロードロックチャンバＬＬ１（ＬＬ２，ＬＬ３）内に位置するとき被成膜材が交換される。 （もっと読む）

【課題】良好な均一性、および下部層に対して良好な接着性を有する低抵抗率のタングステン膜を形成する方法が提供される。
【解決手段】低温下でパルス核生成層プロセスを用いてタングステン核生成層を形成する。その後、バルクタングステン充てん物を堆積させる前に、成膜された核生成層を処理する。本処理により、堆積されるタングステン成膜の抵抗率が低減される。ある実施形態では、核生成層の成膜は、水素を利用せずに、ホウ素ベースの化学作用により行われる。またある実施形態では、処理は、核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体の交互のサイクルに曝す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系などの成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板２１５を保持し、加熱および回転させるサセプタ２１６と、複数のチャネルを含み、基板の上面に沿って平行な方向に流れる材料ガス流を供給するノズル２１３と、複数のガス供給系統１８０と、該ガス供給系統のいずれの一系統にもガスの供給または停止を制御する開閉弁を有して材料ガスを前記複数のチャネルへ供給するマニホールド２１１と、開閉弁駆動制御部３００と、を含む気相成長装置において、開閉弁駆動制御部３００は、各ガス系統毎にガスを時間的に分割して、かつ、該ガスを時間的に途切れなく複数のチャネルの各々に対して分散して、供給することで複数のチャネルの各々の材料ガスの流れを連続的とするように開閉弁を駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】クラック等の膜欠陥が発生するおそれが無く、耐食性を大きく向上させることができるコーティング膜が施された耐食性部材、気相成長装置、気相成長方法及びコーティング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属を含む材料からなる金属製部材の金属の表面が耐食性のコーティング膜で覆われた耐食性部材であって、少なくとも、前記コーティング膜は３層以上の構造からなり、前記３層以上の構造の最表層と最下層は、ポリシラザンを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする緻密層で、前記最表層と最下層の間の中間層として、アルコキシシランを熱処理して得られた二酸化ケイ素を主成分とする柔軟層を含むものであることを特徴とする耐食性部材。 （もっと読む）

【課題】取り扱いが容易でパーティクル原因にならず、大型の処理容器にも適用可能な放熱防止構造を備えた処理容器を提供する。
【解決手段】放熱抑制ユニット１０５は、処理容器１０１の各側壁１０１ｂの外壁面の一部分もしくは略全面を覆うように側壁１０１ｂに沿って配備されている。放熱抑制ユニット１０５は、複数のプレート材１０６により構成され、各プレート材１０６は、処理容器１０１の側壁１０１ｂの外壁面に配設されたスペーサー１０７に装着される。各プレート材１０６は、スペーサー１０７を介在させることにより、処理容器１０１と離間して装着され、間に空気断熱部１８０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスコストを低減するとともに、リーク箇所を特定することができるインライン式の真空処理装置に適したリークチェック方法を提供する
【解決手段】本発明のリークチェック方法は、複数のチャンバがそれぞれゲートバルブを介して連接されてなるインライン式真空処理装置Ｓに好適に適用されるものであって、リークチェックが行われるチャンバＰ６の隣に連接されたチャンバＰ７内に所定量のガスを導入するガス導入Ｓ００４の後に、チャンバＰ６及びチャンバＰ７の真空度を測定Ｓ００５し、チャンバＰ６の真空度を基準値と比較Ｓ００７した結果を出力Ｓ００８し、その後に、チャンバＰ６のチャンバＰ７とは逆側に連接されているチャンバに対して上記のようなリークチェックが順次行われる。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより従来よりも膜質の良好なシリコン窒化膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体（ウエハ）を搬入し、Ｓｉソースとしてのモノクロロシランガスを処理容器内へ供給する工程Ｓ１と、窒化ガスとしての窒素含有ガス（ＮＨ_３ガス）を処理容器内へ供給する工程Ｓ２とを、パージガスを供給して処理容器内に残留するガスを除去する工程Ｓ３ａ、Ｓ３ｂを挟んで交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】プラズマが放出する紫外光がエラストマー材料に達して損傷を与えることを妨げるプラズマ装置の提供。
【解決手段】誘電体材料で形成され、気体を閉じ込めるチャンネルを定める槽１２１０と、槽１２１０に隣接するヒートシンク１２２０と、槽１２１０とヒートシンク
１２２０との間にありこれらと機械的に連通して配置される熱インターフェイス１２３０と、槽１２１０と熱インターフェイス１２３０との間に配置された紫外線遮光層１２３４と、を含んでおり、熱インターフェイス１２３０は、熱的に誘起される寸法変化に応答して熱インターフェイス１２３０とヒートシンク１２２０と槽１２１０との中の少なくとも一つの動きを調節する空間をヒートシンク１２２０と槽１２１０との間に定める。 （もっと読む）

【課題】基板の処理面積を大きくでき、かつメンテナンスを簡素化するとともに、処理された基板の品質を高くすることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｂを支持可能に構成した接地電極１０，３１と、接地電極１０，３１に支持される基板Ｂに対向して設けられる放電電極１１，３２とを備え、真空状態の接地電極１０，３１と放電電極１１，３２との間で基板Ｂを処理するように構成された真空処理装置１において、接地電極１０，３１および放電電極１１，３２の電極対の一方１０，３２が、電極対同士の対向領域より大きく形成され、基板処理の際に互いに接近する電極対の電極間距離Ｄを一定に保つ少なくとも１つの電極間距離保持手段１８が、対向領域１２，３３より外側で電極対の一方１１，３２と当接することによって、電極間距離Ｄを定めるように構成されている、真空処理装置１。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止しかつ反応ガスの消費量を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段は、真空容器の径方向に伸び、基板の通過領域と対向するガスノズルにより構成する。 （もっと読む）

高純度シリコン被覆粒子の生産用の流動床反応器システムを開示する。容器は、外部壁と、該外部壁の内面に面する断熱層と、該断熱層の内側に配置された少なくとも一つのヒーターと、該ヒーターの内側の着脱式同心状ライナーと、中央注入ノズルと、複数の流動化ノズルと、少なくとも一つの冷却ガスノズルと、および少なくとも一つの生成物排出口とを有する。システムは、ライナーの内側に着脱式同心状スリーブを含み得る。特定のシステムにおいて、中央注入ノズルは、反応器チャンバーの中央に第一ガスの垂直プルームを生成し、反応器表面上へのシリコン堆積を最小限にするように構成される。
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【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の外面１１１Ａと内面１１１Ｂの間に、外面１１１Ａから、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより形成された空洞であるアンテナ配置部１１３Ａと、アンテナ配置部１１３Ａに配置された高周波アンテナ２１と、高周波アンテナ２１と真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）