【課題】凸凹が大きい立体的形状を含むような基材も含め、大気圧状態でも短時間で均一に被膜を形成することができる被膜形成装置及び被膜形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る被膜形成装置１及び被膜形成方法は、希釈ガス供給管２の内部に設けられた導電体の細棒部材が希釈ガス供給管２の内部を優れた共振系とするため、リング状共振器６からスリット６１を介して３６０°方向から照射されたマイクロ波により希釈ガス供給管２の内部に表面波プラズマを形成し、プラズマ化された希釈ガスが混合器７に導入され、原料ガスと混合されることにより、大気圧状態であっても原料ガスのプラズマ化が効率よく行われる。そして、プラズマ化された原料ガスを基材Ｓに噴射することにより、基材Ｓを均一に処理することができ、被膜形成が効率よくかつ安定して行われることになる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦１）を成膜する装置において、該成膜装置の成膜チャンバーの内壁やウェハステージ、排気配管の内壁等に付着した不要な堆積物を低温にて、かつ装置を解放することなく除去するドライクリーニング方法を提供することである。
【解決手段】組成式Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ≦１）で表される組成物を成膜する装置の成膜チャンバー内あるいは排気配管内に堆積する組成式Ｍｇ_ａＺｎ_ｂＯＨ_ｃ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、且つ、０．５≦ａ＋ｂ≦１）で表される組成物を、クリーニングガスを用いて除去するドライクリーニング方法において、β―ジケトンを含むクリーニングガスを用い、１００℃以上４００℃以下の温度で堆積する該組成物と該クリーニングガスを反応させることにより、該組成物を除去することを特徴とする、ドライクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する複数の処理室と、前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】マルチ・チャンバ・ツールとの関係でオゾン濃度を制御する改良されたシステム及び方法を提供する。
【解決手段】オゾン発生器２０と組み合わされた第１及び第２の濃度コントローラ２５、３５を含む。第１の濃度コントローラ２５は、イベントを検出し、それに応答して、予測制御アルゴリズムに従いオゾン発生器２０に電力指示を提供する。第１の濃度コントローラ２５は、高速（すなわち、約１秒）の応答時間を有する。第２の濃度コントローラ３５は、イベントの間はオゾン発生器２０からマスクされているが、それ以外の場合には、イベントの発生からある時間間隔が経過した後で発生器２０を制御する。第２の濃度コントローラ３５は、第１の濃度コントローラ２５よりも低速の応答時間を有するが、システムに長期的な安定性を提供し、予測制御アルゴリズムに更新されたデータを提供するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】 吸着／反応した後の原料ガスの排出時間を短縮し、原料ガスの置換効率、原料ガスの利用効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法の提供。
【解決手段】 原料ガスを反応室に供給し、反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上で原料ガスの反応により成膜する真空成膜装置１であって、真空成膜装置１の外壁で構成され、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた反応室である内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、処理対象物Ｓ上で成膜されるように構成されている。この装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】各々石英により構成されると共に互いに気密に固定された真空容器及び排気ポートを備えた真空処理装置において、真空容器の破損を抑えること。
【解決手段】反応管１１及び排気ポート１２に夫々ボトムフランジ３１及びフランジ部材５２を取り付けて、次いでこれらボトムフランジ３１とフランジ部材５２とをシャフト７１によって互いに固定する。続いて、反応管１１を上方位置に持ち上げて、ボトムフランジ３１を筐体１０に固定する。しかる後、フランジ部材５２と排気管４１ａとを互いに接続する。 （もっと読む）

【課題】高速でのガス置換を行うことなく成膜処理を実行可能であり、又基板のサイズに柔軟に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板３を載置する載置部５を移動させることで基板を搬送する搬送手段６と、第１の空間１１に第１の処理ガスを供給する第１のガス供給手段７と、第２の空間１２に第２の処理ガスを供給する第２のガス供給手段８と、前記第１の空間又は前記第２の空間の後にそれぞれパージガス雰囲気の第３の空間１３ａ，１３ｂを形成する為にパージガスを供給するパージガス供給手段９ａ，９ｂと、少なくとも前記載置部を加熱する加熱手段１４と、前記第１の空間、前記第２の空間及び前記第３の空間がそれぞれ所定の温度となる様に前記加熱手段を制御する温度制御手段１７と、複数の基板を載置した状態で前記搬送手段が前記第１の空間、前記第２の空間及び前記第３の空間を通過する様に制御する搬送制御手段１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】蓋体の開閉動作に必要なスペースを抑制することができる処理装置およびそのメンテナンス方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ６０内で被処理体に所定の処理を施す処理装置であって、処理チャンバ６０は、チャンバ本体６１と、このチャンバ本体６１の上に開閉可能に設けられた蓋体６２と、この蓋体６２を開閉する開閉装置６３とを具備し、開閉装置６３は、蓋体６２を、蓋体６２がチャンバ本体６１に接触せずに垂直方向に回転可能な非接触回転位置まで上昇させることが可能な昇降機構１５０と、蓋体６２を垂直方向に回転させる回転機構１６０と、蓋体６２が垂直状態でチャンバ本体６１と重ならない位置まで蓋体６２をスライドさせるスライド機構と１４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】反応ガス同士をより確実に分離することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０内に回転可能に設けられ、基板が載置される回転テーブル２；第１の反応ガスが供給される第１の領域４８１と第２の反応ガスが供給される第２の領域４８２とを分離するために、該第１および第２の領域の天井面よりも低い天井面と、分離ガスを供給する分離ガス供給部４１，４２とを有する分離領域；該分離領域において、回転テーブル２と反応容器１０の内側面との間に配置される上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂ；を有する成膜装置とする。上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂは、前記分離領域における回転テーブル２の回転方向上流側に、前記分離ガスが流通可能な空間Ｓが形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品の製造方法であって、部品本体の表面にＣｕの含有比率が６５〜９５質量％の範囲のＣｕ−Ａｌ合金からなるＣｕ−Ａｌ合金膜を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ａｌ合金膜に１．３３×１０^−３Ｐａ以下の真空雰囲気中で３００〜８００℃の温度でアニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】反応管下部周囲に設置されるガスノズルや熱電対等の石英部品と干渉することがなく、取り付けや取り外しが容易な耐震構造を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】下端が開放された筒状であって内部に基板を収容して処理する反応容器と、反応容器の下端が開放された状態を保ちつつ前記反応容器の外方向から下端部まで水平に延在し、反応容器の下端部を下方から支持する支持部と、該支持部に固定され反応容器の揺れを抑制するための固定具とを備え、反応容器は、反応容器の下端部内壁に内方向に突出して設けられる内側鍔部、若しくは、前記反応容器の下端側壁を内から外へ貫通して形成される貫通口を有し、固定具は、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から前記内側鍔部の側方及び上方まで延在するか、若しくは、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から反応容器の内壁及び貫通口内部まで延在するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で検査精度の向上と検査時間の短縮が可能なリークチェック方法及びリークチェック装置を提供する。
【解決手段】リークチェック方法は、排気装置により真空容器の内部を排気する工程と、前記排気を停止後、前記真空容器内の全圧力及び水分の分圧を計測する工程と、前記排気を停止してから所定時間経過後にそれぞれ計測された前記全圧力から前記水分の分圧分を除いた値に基づき真空容器のリークレートを検査する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】生産効率を向上させ、処理ガスの使用効率を高めることができる基板処理装置を提供することができる。
【解決手段】処理室と、被処理基板を内蔵するための複数のサセプタと、前記処理室内にあって、前記複数のサセプタを並べて一定距離ずつ移動させる移動手段と、この移動手段により移動されるサセプタを加熱する加熱手段と、前記サセプタ内部へ反応性ガスを供給するガス供給手段と、を有する基板処理装置を有する。 （もっと読む）

【課題】真空断熱層形成体の外側シェルの座屈強度を向上させた熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は筒状の反応管３と、ウエハＷを装填して保持するボート５と、反応管３の外周に設けられたヒータ２と、ヒータ２の外周に設けられた真空断熱層形成体１０とを備えている。真空断熱層形成体１０は、内側シェル１１と、内側シェル１１との間で真空断熱層を形成する外側シェル１２とを有している。外側シェル１２は薄板からなり、塑性加工が施されて、その断面が波状となっている。 （もっと読む）

【課題】大型の基板にも安定したプラズマ処理を行え、かつプラズマ処理基板の生産量を向上させることのできる真空処理装置を提供する。
【解決手段】平行に対向配置され、その間にプラズマが生成されるリッジ電極２１ａ，２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、その長さ方向両端に隣設され、高周波電源を放電室２に伝送してプラズマを発生させる一対の変換器３Ａ，３Ｂと、高周波電力を供給する高周波電源と、プラズマ処理前の基板Ｓをリッジ電極２１ａ，２１ｂの所定位置に送り込み、プラズマ処理後の基板Ｓを上記所定位置から送り出す基板搬送装置３５と、基板Ｓの搬送方向Ｃを、リッジ電極２１ａ，２１ｂの長さ方向Ｌに沿わせ、放電室２および変換器３Ａ，３Ｂの、その各々のリッジ導波管断面形状における、リッジ電極２１ａ，２１ｂおよびリッジ部３１ａ,３１ｂの厚み方向に隣接する凹部空間４０に、基板搬送装置３５の少なくとも一部を収容した。 （もっと読む）

【課題】反応管内の清掃を不要にし得るカーボンナノチューブ形成用のＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応管２１内に水平方向で配置された基板Ｋの表面に原料ガスＧを供給して熱化学気相成長法によりカーボンナノチューブを形成するための熱ＣＶＤ装置１であって、上記反応管２１内で所定の隙間を有して上下に複数の基板Ｋを保持し得る基板ホルダー体１１と、この基板ホルダー体１１を載置する台座板１９とを具備するとともに、基板Ｋを保持した基板ホルダー体１１により、反応管２１内を、それぞれ原料ガスＧが供給される下の基板Ｋ表面と台座板１９との間および基板Ｋ同士間の反応空間部７と、上の基板Ｋ表面および台座板１９表面と当該反応管２１内壁面との間の原料ガスＧが供給されない非反応空間部８とに区画し得るようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第３ａ族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第３ａ族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。 （もっと読む）

【課題】 加熱装置全体としての断熱性を維持しながら、昇温時、温度安定時間の短縮と急冷時間の短縮を図る加熱装置を提供すること。
【解決手段】筒状の側壁内に基板を処理する処理室を設け、この側壁に支持されると共に基板を加熱する発熱体２０を備えた加熱装置である。側壁内層５０、側壁中層６０及び側壁外層７０で区切られた二つの空間が形成される。発熱体２０を取り付ける側壁内層５０と側壁中層６０との間の第一の空間Ｓ１には冷却媒体流通通路１４が形成される。側壁中層６０と側壁外層７０との間の第二の空間Ｓ２には断熱材６３が封入されている。 （もっと読む）

【課題】高周波電極の温度分布の温度勾配を少ない状態に保ち、高周波電極の歪みを抑制する。また、プラズマＣＶＤ成膜装置のメンテナンスにおいて、メンテナンス操作を簡易なものとし、メンテナンスに要する時間を短縮する。
【解決手段】高周波電極の熱放射の放射効率を高めることによって高周波電極を冷却し、これによって高周波電極に温度分布の均一性を向上させる。本発明の高周波電極は、放電面と反対側の背面に熱放射の放射率を高める表面処理を施し、背面に熱放射の放射率を高める表面処理を施すことによって、高周波電極の熱放射による冷却効率を高める。熱放射は高周波電極から一様に行われるため、高周波電極は一様に冷却され、高周波電極の温度分布は均一となる。 （もっと読む）