【課題】サセプタを均一に加熱することができる成膜装置、成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、容器に回転可能に設けたサセプタ２と、サセプタ２の一の面に設けた基板載置領域２４と、独立に制御可能な複数の加熱部を含み、サセプタを加熱する加熱ユニット７と、一の面に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部３１と、第１反応ガス供給部３１と離間し、一の面に第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部３２と、第１反応ガスが供給される第１処理領域Ｐ１と第２反応ガスが供給される第２処理領域Ｐ２の間の分離領域Ｄと、容器の中央の、一の面に沿って第１分離ガスを吐出する吐出孔を含む中央領域Ｃと、排気口６２とを備える。分離領域Ｄは、第２分離ガスを供給する分離ガス供給部４１と、第２分離ガスが回転方向に対し両方向に流れる狭隘な空間をサセプタ２上に形成する天井面とを含む。 （もっと読む）

【課題】クリーニング時間の短縮、クリーニング実施間隔の長期化、メンテナンスサイクルの長期化が図れ、製品品質、スループット、稼働率の向上を図ることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内部で基板を処理する反応管と、該反応管に連設され、該反応管の内壁より該反応管の軸心側に突出した突出部７４を有する非金属部材で構成されるマニホールド４１と、温度検出器を収納し、前記マニホールド４１に保持されつつ前記反応管内に設けられ、非金属部材で構成される保護管６５と、前記突出部７４に設けられ、前記保護管６５の移動を抑制する非金属部材で構成される保護管移動抑制部８７とを備え、又前記突出部７４の内壁側には前記保護管の移動を抑制する溝７８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成する薄膜の膜厚の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板１０１が収容されるインナチューブ２０４と、インナチューブ２０４を取り囲むアウタチューブ２０３と、インナチューブ２０４内に配設されたガスノズル２３３ａ，ｂと、ガスノズル２３３ａ，ｂに開設されたガス噴出口２４８ａ，ｂと、ガスノズル２３３ａ，ｂを介してインナチューブ２０４内にガスを供給するガス供給ユニットと、インナチューブ２０４の側壁に開設されたガス排気口２０４ａ，ｂと、アウタチューブ２０３とインナチューブ２０４とに挟まれる空間を排気してガス噴出口２４８ａ，ｂからガス排気口２０４ａ，ｂへと向かうガス流をインナチューブ２０４内に生成する排気ユニットとを備え、基板の外縁とガス排気口２０４ａ，ｂとの間の距離が、ガス噴出口２４８ａ，ｂとの間の距離よりも長くなるようにインナチューブ２０４の側壁が構成されている。 （もっと読む）

【課題】 真空容器の軽量化、材料コストの低減を図り、比較的容易に製造し、運搬時の取り扱いを容易にする。
【解決手段】 真空容器は、金属板が折り曲げられて形成され互いに結合されて内部に閉空間を構成する２枚を一組とする曲げ材と、一組の曲げ材の結合部を封止する閉曲線からなる１本のシール部材と、曲げ材の内面に当接されて閉空間に配置される構造体と、一組の曲げ材の結合部を結合する締結部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内を短時間で冷却することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハ１を処理する処理室１２と、処理室１２の外周側に設けられたヒータ３９と、ヒータ３９の外周側に設けられた内側壁３４と、内側壁３４との間に空間３６を形成して設けられる外側壁３５と、空間３６に設けられる冷却された水冷ジャケットと、内側壁３４及び外側壁３５の一方と接触する接触位置と、内側壁３４及び外側壁３５のいずれにも接触しない非接触位置との間で水冷ジャケットを移動させる移動機構６４と、移動機構６４を制御するコントローラとを有する。 （もっと読む）

【課題】金属汚染を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハを処理する処理室１６を形成したインナチューブ１５と、インナチューブ１５の外周側に設けられたアウタチューブ１４との間を下端で区画するアダプタ５０を設ける。インナチューブ１５、アウタチューブ１４およびアダプタ５０は石英によって形成する。アダプタ５０のアウタチューブ１４との接続部分の鉛直方向の厚みより水平方向の厚みを厚くする。ガス供給管２６と接続されるポート部５１をアダプタ５０の外側壁に形成し、ポート部５１からインナチューブ１５内まで貫通孔５２を形成し、貫通孔５２にガス供給ノズル５３を接続する。アダプタによる金属汚染の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に温度を制御して、温度調節機構に接する部分の温度の偏差を小さく保つことができる温度調節機構および温度調節機構を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】冷却ジャケット６は、冷却流路６１と、ヒートレーン６２とを備える。ヒートレーン６２は、受熱部６３と、放熱部６４と、その間を折り返しながら往復する環状の細管に２相凝縮性作動流体（以下、作動液と称する）を封入して構成される。放熱部６４は冷却流路６１で冷却される部分、受熱部６３は放熱部６４より温度が高い部分である。受熱部６３では熱を受け作動液が核沸騰により自励振動し、循環しながら顕熱を輸送する。また、受熱部６３では液相が熱を吸収し気相へ相が転移し、放熱部６４では気相が熱を放し冷却され凝縮し液相へ相が転移し、気液の相転移により潜熱を輸送する。受熱部６３と放熱部６４の間で熱の輸送が行われ、短時間で温度を均一にする。 （もっと読む）

加熱支持ペデスタルに電力を供給する方法および装置が提供される。一実施形態では処理キットについて説明する。処理キットは、一端で基板支持体に結合され、反対端でベース組立体に結合された導電性材料で作製された中空シャフトを含み、ベース組立体は、半導体処理ツール上に配置された電源ボックスに結合されている。一実施形態において、ベース組立体は、プラスチック樹脂のような誘電性材料からなるインサート内に配置された少なくとも１つの露出した電気コネクタを備えている。
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以下の操作を含む無機支持体の両側上に同時蒸着するための方法：支持体を反応室（１０６，２０６）内に導入するか、又は支持体を反応室（１０６，２０６）内で走行させる；ＨＦ変圧器を含み、その二次側の端子に少なくとも二つの電極が接続される安定電力供給源を使用する；安定高周波電圧をこの変圧器の二次回路に発生する；少なくとも二つの電極を含む回路の固有インダクタと並列に配置された調整可能なインダクタ（Ｌ）を使用して、変圧器の二次側に発生される電圧と電流の間の位相シフトを減らす；混合物（１０８，２０８）を反応室（１０６，２０６）内に支持体の各側上に導入する；安定電力供給源によって送出される電圧及び／又は周波数、及び／又は少なくとも二つの電極を含む回路と並列に配置された調整可能なインダクタ（Ｌ）のインダクタンスを、最適な反応特性を得るように方法の開始時又は方法の間に適合する；発電機回路によって送出される電圧及び／又は周波数、及び／又はインダクタ（Ｌ）のインダクタンスを、電極間に電流が流れる時間を延ばす高調波の生成を促進するように適合する；及び支持体を、前記支持体の各側上に所望の厚さの膜を得るのに十分な時間の間、室内に保持する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、改善された熱特性を有する半導体処理装置を提供すること、およびその提供方法を提供する。
【解決手段】加熱されたガス状の雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバを含む半導体処理装置であって、多くの機械部品を含み、その部品のうちの少なくとも１つに加熱反射アモルファスＳｉＯ_２粒子コーティングが少なくとも部分的に設けられる装置が開示される。さらに、半導体処理装置の構成要素を処理する方法であって、構成要素の表面にアモルファスＳｉＯ_２粒子コーティングを少なくとも部分的に設けるステップと、任意で、前記塗布されたコーティングの表面を密封するステップと、を含む方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】膜質が良好な有機層および無機層を、高い生産効率で成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺の基板を長手方向に所定の搬送経路で搬送しながら、基板の表面に有機層を形成し、有機層上に無機層を形成するものである。この成膜装置は、基板を長手方向に所定の搬送経路で搬送する搬送手段と、有機層を基板の表面に形成する第１の成膜手段が設けられた第１の成膜室と、第１の成膜室の搬送経路の下流側に配置されるとともに有機層上に無機層を形成する第２の成膜手段が設けられた第２の成膜室と、第１の成膜室内および第２の成膜室内を所定の圧力に減圧する真空排気手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】温度調整を容易に行うことができる熱処理装置、熱処理装置の温度調整方法、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部５０は、半導体ウエハＷにＳｉＯ_２膜を成膜し、ＳｉＯ_２膜が面内均一性及び面間均一性を満たすか否かを判別する。制御部５０は、いずれかを満たさないと判別すると、面内均一性及び面間均一性を満たすような予備加熱部２７〜２９の温度をそれぞれ算出する。制御部５０は、予備加熱部２７〜２９の温度を算出した温度に変更した処理条件で半導体ウエハＷにＳｉＯ_２膜を成膜し、予備加熱部２７〜２９の温度調整を行う。 （もっと読む）

シリコン製直立管を使用して内部にガスが流通される反応器内での化学気相蒸着によってポリシリコンまたはその他の材料を製造するための、システムおよび方法が提供される。シリコン製の直立管は、前駆ガスが反応室の種々の部分に注入され得るように、ノズル連結器を使用して反応器システムに取り付けられ得る。結果として、反応室全体のガス流れが改善され、これによりポリシリコンの産出量を増加でき、ポリシリコンの品質を改善でき、エネルギーの消費を低減できる。
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【課題】チャンバ内で発生されたプラズマに悪影響を及ぼすことなく、チャンバの底に堆積する反応生成物を減らす。
【解決手段】チャンバ１１には、チャンバ１１内にプラズマを発生させる高電圧電極１３および接地電極１７が対向配置されるとともに、チャンバ１１内を排気する排気ポート１２が設けられ、チャンバ１１の排気側の内壁には、チャンバ１１の排気側の内壁から剥離した反応生成物２２を受ける反応生成物受け１４を設ける。 （もっと読む）

【課題】熱対流の望ましくない効果の影響を実質的に受けず、スループットを増大させるために容易に且つ経済的に拡大され得る反応装置を提供すること。
【解決手段】化学気相成長反応装置は、複数のチャンバ（９５１，９５２，９５３）と、共通の反応ガス供給システム（９６０）及び共通のガス排出システム（９７０）の少なくとも一方とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の冷却効率が高く、スループットを向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理基板Ｗを搬入及び搬出する搬入出機構３４を備え、大気圧状態で被処理基板Ｗを搬入及び搬出する搬入出室３１ａと、被処理基板搬送機構２４を備え、減圧状態で被処理基板Ｗを搬送する搬送室２１ａと、大気圧状態で搬入出室３１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行い、減圧状態で搬送室２１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行う、大気圧状態と減圧状態とを切り換え可能なロードロック室４２ａと、減圧状態で搬送室２１ａと被処理基板Ｗの受け渡しを行い、減圧状態で被処理基板Ｗに対して処理を行う複数の処理室２２、２３と、を備え、搬送室２１ａ内に、被処理基板Ｗを冷却する冷却部６を設ける。 （もっと読む）

【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することによって使用電力量を低減でき、酸化亜鉛等の金属酸化物の薄膜、窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の金属窒化物の薄膜、および珪素窒化物の薄膜などを、低コストで効率良く基板に堆積させる堆積装置および堆積方法を提供する。
【解決手段】第１の原料ガスを導入する導入部と、前記導入部から導入された前記第１の原料ガスから反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部であって、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む当該反応性ガス噴出部とを含む触媒反応装置；基板を支持する基板支持部；および、前記反応性ガス噴出部から噴出される前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第２の原料ガスを供給する供給部；を備える堆積装置。 （もっと読む）

【課題】基板に平行にガスを供給することで原子層成長を行う横型の薄膜形成装置で、ガスの供給機構を複雑にすることなく、より大きい基板に対してより均一に膜が形成できるようにする。
【解決手段】、ガス供給部１０７ａからガスを導入するときは、成膜室排気部１０８による排気を行う状態で、バルブ１１０ａを閉じてバルブ１１０ｂを開けた状態とする。従って、ガス供給部１０７ａより導入されたガスは、基板載置台１０５に載置されている基板Ｗの上を排気口１０８ｂの側に流れていく。これに対し、ガス供給部１０７ｂからガスを導入するときは、成膜室排気部１０８による排気を行う状態で、バルブ１１０ｂを閉じてバルブ１１０ａを開けた状態とする。従って、ガス供給部１０７ｂより導入されたガスは、基板載置台１０５に載置されている基板Ｗの上を排気口１０８ａの側に流れていく。 （もっと読む）

【課題】ガスを効率的に使用できる中で、成膜速度が向上できるようにする。
【解決手段】動作制御部１２０の制御による枠駆動部１１１の動作で、押さえ枠１０４を装置本体１０１の内部方向へ前進させることで、基板載置台１０５の周縁部が押さえ枠１０４の下面に当接する状態とする。また、動作制御部１２０の制御による枠駆動部１１１の動作で、押さえ枠１０４を装置本体１０１の内部方向より後退させて一部が収容部１１３に収容した状態とすることで、基板載置台１０５の周縁部と押さえ枠１０４とを離間させる。 （もっと読む）

【課題】天井断熱材のクラックの発生を少なくし、天井断熱材の破損、落下のおそれを低減することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び天井断熱材を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する反応容器の外側に設けられたヒータ２０６を有する。このヒータ２０６は、環状の側壁断熱材１２と、側壁断熱材１２に載置される天井断熱材１６と、側壁断熱材１２の内側に設けられる発熱体１４とを有する。ヒータ２０６の天井断熱材１６には、応力緩和部が天井断熱材１６の中心側から周縁側に向かって複数設けられている。 （もっと読む）