改善された熱特性を具えた半導体処理装置およびその処理装置を提供する方法
【課題】本発明は、改善された熱特性を有する半導体処理装置を提供すること、およびその提供方法を提供する。
【解決手段】加熱されたガス状の雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバを含む半導体処理装置であって、多くの機械部品を含み、その部品のうちの少なくとも１つに加熱反射アモルファスＳｉＯ２粒子コーティングが少なくとも部分的に設けられる装置が開示される。さらに、半導体処理装置の構成要素を処理する方法であって、構成要素の表面にアモルファスＳｉＯ２粒子コーティングを少なくとも部分的に設けるステップと、任意で、前記塗布されたコーティングの表面を密封するステップと、を含む方法が開示される。
【解決手段】加熱されたガス状の雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバを含む半導体処理装置であって、多くの機械部品を含み、その部品のうちの少なくとも１つに加熱反射アモルファスＳｉＯ２粒子コーティングが少なくとも部分的に設けられる装置が開示される。さらに、半導体処理装置の構成要素を処理する方法であって、構成要素の表面にアモルファスＳｉＯ２粒子コーティングを少なくとも部分的に設けるステップと、任意で、前記塗布されたコーティングの表面を密封するステップと、を含む方法が開示される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体処理分野を対象としており、さらに詳細には、改善された熱特性を具えた装置およびその装置を提供する方法を対象としている。
【背景技術】
【０００２】
基板上に膜を付着させる化学蒸着装置などの半導体処理装置は、基板が受ける処理の性質によって必然的に高い内部温度で動作することもある。一般に、このような熱集約型のプロセスは、高い雰囲気温度を持続することが可能なプロセスチャンバ内で実施される。実際には、プロセスチャンバの内部からその外部に熱が漏れるのを防ぐのは容易ではないことが分かる。さらに、プロセスチャンバ自体は、動作中に様々な温度に保持されるのが好ましい機械構成要素を含むこともある。したがって、熱管理は、優れたプロセスチャンバ設計ための重要な側面である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／００７５９４９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高断熱性材料が熱流を制御または遮断するために使用可能であるが、その多くは半導体処理環境における使用に適していない。それにもかかわらず、この目的に向けた試みがなされることもある。例えば、断熱性材料は、大気と直接接触するのを防ぐように、透明な石英ガラスの（ｅｎｖｅｌｏｐｅ）の中のプロセスチャンバ内に配置されてもよい。残念ながら、エンベロープは高温にさらされると、エンベロープの中のガスが膨張することによって破裂する危険性がある。このような破裂の危険は、膨張するガスを開放することができるいわゆる抜き穴（ｂｌｅｅｄｉｎｇ ｈｏｌｅ）をエンベロープに設けることによって避けることもできる。しかしながら、ほとんどの断熱性材料には強いガス放出性があるため、放出されたガスは、プロセスチャンバの制御された環境の中で存在することが望ましくないパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）を含むという意味で汚染されている。汚染ガスは実際の処理領域から隔離されていなければならないので、特に低い圧力環境では、エンベロープから汚染ガスが放出されると問題となる。あるいは、エンベロープは、破裂を防ぐために真空にして完全に密封されてもよい。しかしながら、多くの断熱性材料には前述のようなガス放出性があるため、さらにエンベロープが何度も熱サイクルを受けることによってリークを起こすことがある危険性を考慮すると、この解決策も避けた方がよい。
【０００５】
したがって、本発明は、改善された熱特性を有する半導体処理装置を提供すること、およびその提供方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態は、加熱されたガス状のプロセス雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバを含む半導体処理装置の部品またはこれに用いるのに適している部品を提供する。この部品は、アモルファスＳｉＯ２粒子から構成される熱反射コーティングが少なくとも部分的に設けられる。さらに、本発明は、前記部品のうちの１つ以上を含む半導体処理装置も提供する。
【０００７】
本発明の別の形態は、半導体処理装置の構成要素、ただし前記装置は加熱されたプロセスガスを使用し、前記構成要素は動作中に加熱されたプロセスガスにさらされる、半導体処理装置の構成要素の処理方法を提供する。この方法は、構成要素の表面にアモルファスＳｉＯ２粒子から構成されるコーティングを少なくとも部分的に設けるステップを含む。さらに、この方法は、例えば、火炎研磨によって塗布されたコーティングの表面を密封するステップも含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、改善された熱特性を有する半導体処理装置を提供すること、およびその提供方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】熱特性を改善する１つ以上の対策が設けられる半導体処理装置を示す側断面図である。
【図２】熱特性を改善する１つ以上の対策が設けられる半導体処理装置を示す側断面図である。
【図３】熱特性を改善する１つ以上の対策が設けられる半導体処理装置を示す側断面図である。
【図４】熱特性を改善する１つ以上の対策が設けられる半導体処理装置を示す側断面図である。
【図５】図１の半導体処理装置とともに用いられるペデスタル（ｐｅｄｅｓｔａｌ）を示す概略図である。
【図６】図１の半導体処理装置とともに用いられるペデスタルを示す概略図である。
【図７】図１〜図４に示される化学蒸着装置などの半導体処理装置で用いられる反射プレートの２つの有利な実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、本発明を図示するが限定しないものとする添付図面と合わせて、本発明の特定の実施形態についての以下の詳細な説明から一層完全に理解されるであろう。
【００１１】
図面では、同一または同様な装置、部品、空間、方向などは、同じ参照符号によって示されるものとする。さらに、分かり易くするため、対象物が１つ以上の先行する図面で既に特定されている場合には、幾つかの図面の参照番号は省略されるものとする。
【００１２】
本開示による半導体処理装置では、１つ以上の機械部品が、優れた反射特性を有するコーティングで処理されている。このコーティングは、アモルファスＳｉＯ２、好ましくは、特定の粒子サイズおよび粒子サイズ分布を有する粉砕された石英材料から構成される。粒子によって、コーティングの反射率は、３μｍの波長を有する赤外線熱放射に対して最大で０．９５と驚くほど高くなる。石英材料は、半導体処理に適合しており、例えば、化学蒸着反応炉に使用しても問題ない。このような反応炉の表面仕様に適合させるため、さらに多孔質コーティングのガス放出および／またはパーティクルの放出の危険性を低減するために、コーティングの表面は密封されてもよい。例えば、表面を軽く火炎研磨することによってこれを行うこともできる。軽い火炎研磨であればコーティングの反射特性に影響を及ぼさないことが分かった。
【００１３】
本発明を実施するために使用することもできる市販のコーティングは、米国のニューヨーク州にあるアレムコプロダクツ社（Ａｒｅｍｃｏ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｉｎｃ．）によって供給されるＱｕａｒｔｚ−Ｃｏａｔ（商標）８５０である。代替の市販のコーティングは、ドイツのハーナウ（Ｈａｎａｕ）にあるヘレウスクォーツグラス社（Ｈｅｒａｅｕｓ Ｑｕａｒｔｓｇｌａｓｓ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ）によって供給されるヘレウス反射コーティング（Ｈｅｒａｅｕｓ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）である。コーティング材料は、アモルファスＳｉＯ２のスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）および水分である。ＳｉＯ２粒子は、ＳｉＯ２開始粒子の湿式粉砕（ｗｅｔ ｍｉｌｌｉｎｇ）によって形成することもできる。コーティングされる部分にスラリーを塗布した後、スラリーを乾燥させて水分を除去してから高温で硬化させる（例えば、特許文献１を参照）。
【００１４】
熱反射コーティングは、様々な厚さで塗布することもできる。実験では、０．８ｍｍ以上の厚さで２５０ｎｍ〜２６５０ｎｍの範囲の電磁波波長に対し０．９５の平均反射率が得られることが示された。もっと薄い厚さを使用して反射率がそれより低い反射コーティングを得ることもできる。例えば、０．３ｍｍの厚さでは、約０．８５の反射率となる。コーティングの厚さは、その目的に応じて変えることができるが、典型的には０．０５ｍｍから２ｍｍの範囲、より好ましくは、０．１ｍｍから１ｍｍの範囲である。
【００１５】
以下に、半導体処理装置における熱反射表面密封型ガラスセラミックコーティングの多くの具体的な適用について説明する。
【００１６】
図１は、縦型化学蒸着装置１００の側断面図を概略的に示す。この装置は、その底部側が開口しているプロセスチューブ１０１によって外形が主に定義されるプロセスチャンバ１０９と、プロセスチューブ１０１の開口した底部が着脱可能に受け入れるペデスタル１０３とを含む。ペデスタル１０３は、ウェハボート（図示せず）を支持しており、ペデスタル１０３は、ドアプレート１０５によって支持されている。プロセスチャンバ１０９は、加熱コイル（詳細には図示せず）などの加熱要素１０８、および断熱性材料（図示せず）によって取り囲まれている。プロセスチャンバ１０９の内部には、反応空間の限界を定めるライナー１０６、すなわち使用時に処理されるウェハを含むプロセスチャンバの中核部が設けられてもよい。プロセスガスおよびパージガスは、ガス供給口１１１を通って反応空間内に導入されてもよく、ライナー１０６とプロセスチューブ１０１との間の隙間１１３を経て真空排気口１１２を通してプロセスチャンバ１０９から排気されてもよい。プロセスチューブ１０１は、フランジ１１０上で支持されている。プロセスチューブ１０１が気密性を保つ形で確実に密封されるように、反応炉１００の下部のプロセスチューブ１０１とフランジ１１０とドアプレート１０５との間に幾つかのエラストマのＯリング１２０を使用してもよい。エラストマのＯリングおよびＶシールなどの他のシールの信頼性は、高温に繰り返しまたは継続的にさらされると悪化することもあるので、反応炉１００の下部は、プロセスチャンバ１０９の中央部の温度より低い温度に保つのが好ましい。
【００１７】
ペデスタル１０３の主な目的は、使用時に加熱されたガス状雰囲気を含むプロセスチャンバ１０９と反応炉１００の下部の環境との間の断熱を提供することである。さらに、反応炉の下部に存在するすべてのＯリング、Ｖシールなどの温度を降下させるのに役立つ。そのために、ペデスタル１０３は、水平方向で垂直に積層される多くのディスク状熱シールド１０４、１０４’、１０４”などを含む。熱シールドが多いほど断熱レベルは向上するが、実際には、反応炉１００内の空間が相対的に足りなくなることによって、使用してもよいシールドの数は制限される。
【００１８】
したがって、熱シールド１０４、１０４’、１０４”などに、アモルファスＳｉＯ２粒子から構成される熱反射コーティングを設けることが提案される。コーティングされた熱シールド１０４、１０４’などを含むペデスタル１０３は、改善された断熱性を合わせ持つ。パーティクル発生の危険性を排除するため、コーティングは火炎研磨されてその表面を密封することもできる。反応炉１００の下方領域に存在するすべてのＯリングまたはＶシールは、寿命および信頼性が向上する。さらに、ペデスタル１０３は、反応炉の直径が増大するに伴って増加する反応炉の下部に対する熱負荷の一部を弱めることができるので、さらに大口径（４５０ｍｍ）のウェハ反応炉を可能にすることもできる。さらに、ペデスタル１０３は、低圧および大気圧化学蒸着装置と大気酸化／拡散装置との両方で使用することもできる。
【００１９】
図２は、図１の半導体処理装置１００の別の表現を示す。図２では、前述のペデスタル１０３は簡単にするために省略されている。
【００２０】
本発明の一実施形態では、熱反射ＳｉＯ２粒子コーティングは、ライナー１０６の下部２０３に塗布される。コーティングは、ライナー１０６の下部の内面、外面および底面のうちの１つ以上に設けられてもよい。内面および外面のコーティングは、順にＯリング１２０を収容するフランジ１１０、プロセスチューブフランジ２０２およびドアプレート１０５を含む反応炉１００の下部方向に向かう加熱要素１０８からの赤外線放射２０４、２０４’、２０４”’を反射する。透明石英ガラスから構成することもできるライナーチューブ１０６にこのようなコーティングを設けることは、短いライナーを使用してその下端に不透明な石英部を溶接することよりも簡単でより経済的である。ライナー１０６の下部の底面へのコーティングは、ライナー本体を通して伝播される熱放射が底面に当たるとすぐにこれを部分的に反射するため、熱放射がＯリングに達することも防ぐ。
【００２１】
別の実施形態では、プロセスチューブ１０１の上部２０５は、アモルファスＳｉＯ２粒子から構成される熱反射コーティングが設けられてもよい。反応炉の上部を通る熱損失を低減するのに役立つように、プロセスチューブの上部２０５の内側、外側または両側にコーティングが塗布されてもよい。任意で、さらに従来の断熱を上部２０５の外側に設けてもよい。反応炉の上部を通る熱流束を充分に小さくすることができる場合には、反応炉の上部／中央部の別々の加熱領域は不必要としてもよい。
【００２２】
本発明のさらに別の実施形態では、コーティングされた熱シールド２０６をライナー１０６とプロセスチューブ１０１との間に配置して、２つの要素の間の放射熱流束および重要なＯリング領域に向かう熱流を低減してもよい。描かれる熱シールド２０６（分かり易くするために左側のみ図示される）は水平方向に延在し、積層またはスタガ配置（ｓｔａｇｇｅｒｉｎｇ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）で取り付けられてもよい。ライナー１０６とプロセスチューブ１０１との間の空間に取り付けられる熱シールドは、ガスの流出を阻害する可能性があるので、真空排気口１１２に接続される真空ポンプで適切に処理することができない圧力低下を引き起こすような位置に配置しないように注意する必要がある。
【００２３】
不必要な圧力低下を避けるため、コーティングされたシールドは、図３に示されるシールド３０１、３０１’などのように垂直方向に配置されるのが好ましい。さらに、前記シールド３０１、３０１’などは、ライナー１０６とプロセスチューブ１０１との間の環状空間にも配置され、構造を支持するためのシリンダジャケット３０２に接続される。シールドは、垂直方向にすることで重要なＯリング領域からプロセスチャンバ１０９およびそれを取り囲む加熱要素１０８を見る角度を効果的に小さくする。同様な効果は、異なる形状、例えば、直線でなく曲線を有するシールドを用いて達成することもできることに留意すべきである。代替の実施形態では、シールド３０１、３０１’などは、ライナー１０６またはプロセスチューブ１０１に装着されてもよい。
【００２４】
図４は、プロセスチャンバ１０９のライナーチューブ１０６の内側に設けられるガス注入器４０１が追加された、図１の縦型蒸着装置を概略的に示す。ガス注入器４０１は、ほぼ反応領域４０３の高さに亘り垂直方向に延在し、複数のガス注入孔４０２を含む。ガス注入器４０１は、ガス供給口１１１に接続される供給端を有し、プロセスガスおよび／またはパージガスを反応領域４０３内に導入する。ライナー１０６とプロセスチューブ１０９との間の隙間１１３を経て真空排気口１１２を通してプロセスチャンバ１０９から前記ガスを排気することもできる。
【００２５】
反応領域４０３に対向するガス注入器４０１の外面の一部は、熱反射アモルファスＳｉＯ２粒子コーティングが設けられてもよい。コーティングによって生じる拡散反射は、反応炉の下部のガスを加熱するのに役立つこともできる。あるいは、ガス注入器４０１の外面領域を完全にコーティングして、注入器が過熱するのを防ぐこともできる。完全にコーティングされたガス注入器４０１に当たる熱放射は反射され、注入器内へ未使用ガスを供給することには冷却効果がある。注入器４０１内の温度をプロセスチャンバ１０９内の温度より僅かに低くすることは、プロセスガスの早期の熱分解を防ぐ点で有効となり得る。任意で、追加の別の閉ループ冷却ガス管を注入器４０１内に設けてもよい。
【００２６】
図５は、多くの水平方向の熱シールド１０４、１０４’などを含むペデスタル１０３を概略的に示す。熱シールドは石英で構成される３本以上の脚部５０１によって支持される。脚部のうちの２本が図５に概略的に示される。脚部５０１の最下部をコーティングして、ドアプレート１０５（図５参照）などのペデスタルを支持する下部構造への「赤外光導管（ｉｎｆｒａｒｅｄ ｌｉｇｈｔ ｐｉｐｉｎｇ）」による熱伝導を防ぐこともできる。
【００２７】
図６は、断熱性材料の本体６０１を有する代替型のペデスタルを概略的に示す。一般に、このようなペデスタルには不透明な石英のエンベロープ６０２が設けられる。本発明の一実施形態では、エンベロープ６０２は、透明な石英ガラスから構成され、エンベロープの内側および外側のうちの少なくとも１つにアモルファスＳｉＯ２粒子のコーティングが設けられる。
【００２８】
図７は、半導体処理装置で使用される反射プレート７０１、７０３の２つの有利な実施形態を概略的に示す。例えば、プレート７０１、７０３は、図１〜図４に示される化学蒸着装置のペデスタル１０３の熱シールドとして使用されてもよい。（Ａ）で示される第１の実施形態では、反射プレート７０１は、主要な表面領域を有する一方の側面７０２上に熱反射表面密封型ガラスセラミックコーティングが設けられる。（Ｂ）で示される第２の実施形態では、プレート７０３は、その主要な面７０４、７０５の両方に熱反射コーティングが設けられる。後の実施形態では、コーティングは、両方の側面７０４、７０５で同じ厚さを必ずしも有するとは限らない。前述のように、プレート７０３がペデスタル１０３に使用される場合、例えば、そのプロセスチャンバに面する側には、０．９５の平均反射率に対応する厚さを有するコーティングが設けられてもよく、そのドアプレートに面する側には、０．２０から０．８０の間の反射率に対応する厚さを有するコーティングが設けられてもよい。実施形態ＡおよびＢでは、反射プレート７０１、７０３の本体は、不透明または透明な石英ガラス材料から構成されてもよい。
【００２９】
一実施形態では、コーティングの表面は密封されてもよい。コーティング自体は、ランプの反射体などの通常の使用に対しては既に相対的にガスの放出も汚染もない状態であるが、半導体処理装置のプロセスチャンバ内部でガスの放出およびパーティクルの発生がないことに対する非常に厳しい要求には依然として適合していないこともある。コーティングを密封することは、このような厳しい要求に応えるのに役立つ。例えば、表面を軽く火炎研磨することによってこれを行ってもよい。軽い火炎研磨は、コーティングの反射特性に影響を及ぼさないことが分かった。
【００３０】
別の実施形態では、反射ＳｉＯ２粒子コーティングが設けられる反射プレート上に石英プレートが配置され、石英プレートは密封係合状態で反射プレートのコーティングされた側面に接触してもよい。そのために、横方向の寸法が等しい２枚のプレートの縁部は、ともに火炎研磨または溶接されてもよい。このようにして、熱反射コーティングを２つの石英プレートの間に挟み、ガスが放出するどんな潜在的危険性も避けるようにする。
【００３１】
一実施形態では、機械部品が部分的にコーティングされてもよい。例えば、局所的に低温箇所または高温箇所が反応炉の中に存在する場合、部品を部分的にコーティングして所望の熱的改善を達成することもできる。コーティングの反射率は、コーティングの厚さを調整することによって調整することができるが、反射率を調整する別の方法は、コーティングの厚さは一定の値に維持しながら、表面を部分的に覆うようなパターンのコーティングを設けて表面の残りの部分はコーティングしないまま残しておくことである。
【００３２】
本発明の説明に役立つ実施形態が、添付図面を参照しながらより詳細に説明されたが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことが理解されるべきである。請求項の範囲に定義されるような本発明の範囲または趣旨から逸脱することなしに、様々な変更または改変が当業者によって行われてもよい。したがって、本明細書において「一実施形態（”ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｕｍｅｎｔ” ｏｒ ”ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ”）」に言及しているのは、その実施形態に関して説明される特定の機能、構造、または特徴が、少なくとも一実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書において様々な箇所に「一実施形態では（”ｉｎ ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ” ｏｒ ”ｉｎ ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ”）」という語句が現れるが、これは、必ずしもすべてが同じ実施形態を参照しているわけではない。さらに、特定の機能、構造、または特徴は、１つ以上の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせることもできる。
【符号の説明】
【００３３】
１００ 縦型化学蒸着装置
１０１ プロセスチューブ
１０３ ペデスタル
１０４、１０４’、１０４” ディスク状熱シールド
１０５ ドアプレート
１０６ ライナーチューブ
１０８ 加熱要素
１０９ プロセスチャンバ
１１０ フランジ
１１１ ガス供給口
１１２ 真空排気口
１１３ 隙間
１２０ Ｏリング
２０２ プロセスチューブフランジ
２０３ 下部
２０４、２０４’、２０４”、２０４”’ 赤外線放射
２０５ 上部
２０６ 熱シールド
３０１、３０１’ シールド
３０２ シリンダジャケット
４０１ ガス注入器
４０２ ガス注入孔
４０３ 反応領域
５０１ 脚部
６０１ 本体
６０２ エンベロープ
７０１、７０３ 反射プレート
７０２ 側面
７０４、７０５ 主要な面
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体処理分野を対象としており、さらに詳細には、改善された熱特性を具えた装置およびその装置を提供する方法を対象としている。
【背景技術】
【０００２】
基板上に膜を付着させる化学蒸着装置などの半導体処理装置は、基板が受ける処理の性質によって必然的に高い内部温度で動作することもある。一般に、このような熱集約型のプロセスは、高い雰囲気温度を持続することが可能なプロセスチャンバ内で実施される。実際には、プロセスチャンバの内部からその外部に熱が漏れるのを防ぐのは容易ではないことが分かる。さらに、プロセスチャンバ自体は、動作中に様々な温度に保持されるのが好ましい機械構成要素を含むこともある。したがって、熱管理は、優れたプロセスチャンバ設計ための重要な側面である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／００７５９４９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
高断熱性材料が熱流を制御または遮断するために使用可能であるが、その多くは半導体処理環境における使用に適していない。それにもかかわらず、この目的に向けた試みがなされることもある。例えば、断熱性材料は、大気と直接接触するのを防ぐように、透明な石英ガラスの（ｅｎｖｅｌｏｐｅ）の中のプロセスチャンバ内に配置されてもよい。残念ながら、エンベロープは高温にさらされると、エンベロープの中のガスが膨張することによって破裂する危険性がある。このような破裂の危険は、膨張するガスを開放することができるいわゆる抜き穴（ｂｌｅｅｄｉｎｇ ｈｏｌｅ）をエンベロープに設けることによって避けることもできる。しかしながら、ほとんどの断熱性材料には強いガス放出性があるため、放出されたガスは、プロセスチャンバの制御された環境の中で存在することが望ましくないパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）を含むという意味で汚染されている。汚染ガスは実際の処理領域から隔離されていなければならないので、特に低い圧力環境では、エンベロープから汚染ガスが放出されると問題となる。あるいは、エンベロープは、破裂を防ぐために真空にして完全に密封されてもよい。しかしながら、多くの断熱性材料には前述のようなガス放出性があるため、さらにエンベロープが何度も熱サイクルを受けることによってリークを起こすことがある危険性を考慮すると、この解決策も避けた方がよい。
【０００５】
したがって、本発明は、改善された熱特性を有する半導体処理装置を提供すること、およびその提供方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態は、加熱されたガス状のプロセス雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバを含む半導体処理装置の部品またはこれに用いるのに適している部品を提供する。この部品は、アモルファスＳｉＯ２粒子から構成される熱反射コーティングが少なくとも部分的に設けられる。さらに、本発明は、前記部品のうちの１つ以上を含む半導体処理装置も提供する。
【０００７】
本発明の別の形態は、半導体処理装置の構成要素、ただし前記装置は加熱されたプロセスガスを使用し、前記構成要素は動作中に加熱されたプロセスガスにさらされる、半導体処理装置の構成要素の処理方法を提供する。この方法は、構成要素の表面にアモルファスＳｉＯ２粒子から構成されるコーティングを少なくとも部分的に設けるステップを含む。さらに、この方法は、例えば、火炎研磨によって塗布されたコーティングの表面を密封するステップも含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、改善された熱特性を有する半導体処理装置を提供すること、およびその提供方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】熱特性を改善する１つ以上の対策が設けられる半導体処理装置を示す側断面図である。
【図２】熱特性を改善する１つ以上の対策が設けられる半導体処理装置を示す側断面図である。
【図３】熱特性を改善する１つ以上の対策が設けられる半導体処理装置を示す側断面図である。
【図４】熱特性を改善する１つ以上の対策が設けられる半導体処理装置を示す側断面図である。
【図５】図１の半導体処理装置とともに用いられるペデスタル（ｐｅｄｅｓｔａｌ）を示す概略図である。
【図６】図１の半導体処理装置とともに用いられるペデスタルを示す概略図である。
【図７】図１〜図４に示される化学蒸着装置などの半導体処理装置で用いられる反射プレートの２つの有利な実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明は、本発明を図示するが限定しないものとする添付図面と合わせて、本発明の特定の実施形態についての以下の詳細な説明から一層完全に理解されるであろう。
【００１１】
図面では、同一または同様な装置、部品、空間、方向などは、同じ参照符号によって示されるものとする。さらに、分かり易くするため、対象物が１つ以上の先行する図面で既に特定されている場合には、幾つかの図面の参照番号は省略されるものとする。
【００１２】
本開示による半導体処理装置では、１つ以上の機械部品が、優れた反射特性を有するコーティングで処理されている。このコーティングは、アモルファスＳｉＯ２、好ましくは、特定の粒子サイズおよび粒子サイズ分布を有する粉砕された石英材料から構成される。粒子によって、コーティングの反射率は、３μｍの波長を有する赤外線熱放射に対して最大で０．９５と驚くほど高くなる。石英材料は、半導体処理に適合しており、例えば、化学蒸着反応炉に使用しても問題ない。このような反応炉の表面仕様に適合させるため、さらに多孔質コーティングのガス放出および／またはパーティクルの放出の危険性を低減するために、コーティングの表面は密封されてもよい。例えば、表面を軽く火炎研磨することによってこれを行うこともできる。軽い火炎研磨であればコーティングの反射特性に影響を及ぼさないことが分かった。
【００１３】
本発明を実施するために使用することもできる市販のコーティングは、米国のニューヨーク州にあるアレムコプロダクツ社（Ａｒｅｍｃｏ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｉｎｃ．）によって供給されるＱｕａｒｔｚ−Ｃｏａｔ（商標）８５０である。代替の市販のコーティングは、ドイツのハーナウ（Ｈａｎａｕ）にあるヘレウスクォーツグラス社（Ｈｅｒａｅｕｓ Ｑｕａｒｔｓｇｌａｓｓ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧ）によって供給されるヘレウス反射コーティング（Ｈｅｒａｅｕｓ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔｉｎｇ）である。コーティング材料は、アモルファスＳｉＯ２のスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）および水分である。ＳｉＯ２粒子は、ＳｉＯ２開始粒子の湿式粉砕（ｗｅｔ ｍｉｌｌｉｎｇ）によって形成することもできる。コーティングされる部分にスラリーを塗布した後、スラリーを乾燥させて水分を除去してから高温で硬化させる（例えば、特許文献１を参照）。
【００１４】
熱反射コーティングは、様々な厚さで塗布することもできる。実験では、０．８ｍｍ以上の厚さで２５０ｎｍ〜２６５０ｎｍの範囲の電磁波波長に対し０．９５の平均反射率が得られることが示された。もっと薄い厚さを使用して反射率がそれより低い反射コーティングを得ることもできる。例えば、０．３ｍｍの厚さでは、約０．８５の反射率となる。コーティングの厚さは、その目的に応じて変えることができるが、典型的には０．０５ｍｍから２ｍｍの範囲、より好ましくは、０．１ｍｍから１ｍｍの範囲である。
【００１５】
以下に、半導体処理装置における熱反射表面密封型ガラスセラミックコーティングの多くの具体的な適用について説明する。
【００１６】
図１は、縦型化学蒸着装置１００の側断面図を概略的に示す。この装置は、その底部側が開口しているプロセスチューブ１０１によって外形が主に定義されるプロセスチャンバ１０９と、プロセスチューブ１０１の開口した底部が着脱可能に受け入れるペデスタル１０３とを含む。ペデスタル１０３は、ウェハボート（図示せず）を支持しており、ペデスタル１０３は、ドアプレート１０５によって支持されている。プロセスチャンバ１０９は、加熱コイル（詳細には図示せず）などの加熱要素１０８、および断熱性材料（図示せず）によって取り囲まれている。プロセスチャンバ１０９の内部には、反応空間の限界を定めるライナー１０６、すなわち使用時に処理されるウェハを含むプロセスチャンバの中核部が設けられてもよい。プロセスガスおよびパージガスは、ガス供給口１１１を通って反応空間内に導入されてもよく、ライナー１０６とプロセスチューブ１０１との間の隙間１１３を経て真空排気口１１２を通してプロセスチャンバ１０９から排気されてもよい。プロセスチューブ１０１は、フランジ１１０上で支持されている。プロセスチューブ１０１が気密性を保つ形で確実に密封されるように、反応炉１００の下部のプロセスチューブ１０１とフランジ１１０とドアプレート１０５との間に幾つかのエラストマのＯリング１２０を使用してもよい。エラストマのＯリングおよびＶシールなどの他のシールの信頼性は、高温に繰り返しまたは継続的にさらされると悪化することもあるので、反応炉１００の下部は、プロセスチャンバ１０９の中央部の温度より低い温度に保つのが好ましい。
【００１７】
ペデスタル１０３の主な目的は、使用時に加熱されたガス状雰囲気を含むプロセスチャンバ１０９と反応炉１００の下部の環境との間の断熱を提供することである。さらに、反応炉の下部に存在するすべてのＯリング、Ｖシールなどの温度を降下させるのに役立つ。そのために、ペデスタル１０３は、水平方向で垂直に積層される多くのディスク状熱シールド１０４、１０４’、１０４”などを含む。熱シールドが多いほど断熱レベルは向上するが、実際には、反応炉１００内の空間が相対的に足りなくなることによって、使用してもよいシールドの数は制限される。
【００１８】
したがって、熱シールド１０４、１０４’、１０４”などに、アモルファスＳｉＯ２粒子から構成される熱反射コーティングを設けることが提案される。コーティングされた熱シールド１０４、１０４’などを含むペデスタル１０３は、改善された断熱性を合わせ持つ。パーティクル発生の危険性を排除するため、コーティングは火炎研磨されてその表面を密封することもできる。反応炉１００の下方領域に存在するすべてのＯリングまたはＶシールは、寿命および信頼性が向上する。さらに、ペデスタル１０３は、反応炉の直径が増大するに伴って増加する反応炉の下部に対する熱負荷の一部を弱めることができるので、さらに大口径（４５０ｍｍ）のウェハ反応炉を可能にすることもできる。さらに、ペデスタル１０３は、低圧および大気圧化学蒸着装置と大気酸化／拡散装置との両方で使用することもできる。
【００１９】
図２は、図１の半導体処理装置１００の別の表現を示す。図２では、前述のペデスタル１０３は簡単にするために省略されている。
【００２０】
本発明の一実施形態では、熱反射ＳｉＯ２粒子コーティングは、ライナー１０６の下部２０３に塗布される。コーティングは、ライナー１０６の下部の内面、外面および底面のうちの１つ以上に設けられてもよい。内面および外面のコーティングは、順にＯリング１２０を収容するフランジ１１０、プロセスチューブフランジ２０２およびドアプレート１０５を含む反応炉１００の下部方向に向かう加熱要素１０８からの赤外線放射２０４、２０４’、２０４”’を反射する。透明石英ガラスから構成することもできるライナーチューブ１０６にこのようなコーティングを設けることは、短いライナーを使用してその下端に不透明な石英部を溶接することよりも簡単でより経済的である。ライナー１０６の下部の底面へのコーティングは、ライナー本体を通して伝播される熱放射が底面に当たるとすぐにこれを部分的に反射するため、熱放射がＯリングに達することも防ぐ。
【００２１】
別の実施形態では、プロセスチューブ１０１の上部２０５は、アモルファスＳｉＯ２粒子から構成される熱反射コーティングが設けられてもよい。反応炉の上部を通る熱損失を低減するのに役立つように、プロセスチューブの上部２０５の内側、外側または両側にコーティングが塗布されてもよい。任意で、さらに従来の断熱を上部２０５の外側に設けてもよい。反応炉の上部を通る熱流束を充分に小さくすることができる場合には、反応炉の上部／中央部の別々の加熱領域は不必要としてもよい。
【００２２】
本発明のさらに別の実施形態では、コーティングされた熱シールド２０６をライナー１０６とプロセスチューブ１０１との間に配置して、２つの要素の間の放射熱流束および重要なＯリング領域に向かう熱流を低減してもよい。描かれる熱シールド２０６（分かり易くするために左側のみ図示される）は水平方向に延在し、積層またはスタガ配置（ｓｔａｇｇｅｒｉｎｇ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）で取り付けられてもよい。ライナー１０６とプロセスチューブ１０１との間の空間に取り付けられる熱シールドは、ガスの流出を阻害する可能性があるので、真空排気口１１２に接続される真空ポンプで適切に処理することができない圧力低下を引き起こすような位置に配置しないように注意する必要がある。
【００２３】
不必要な圧力低下を避けるため、コーティングされたシールドは、図３に示されるシールド３０１、３０１’などのように垂直方向に配置されるのが好ましい。さらに、前記シールド３０１、３０１’などは、ライナー１０６とプロセスチューブ１０１との間の環状空間にも配置され、構造を支持するためのシリンダジャケット３０２に接続される。シールドは、垂直方向にすることで重要なＯリング領域からプロセスチャンバ１０９およびそれを取り囲む加熱要素１０８を見る角度を効果的に小さくする。同様な効果は、異なる形状、例えば、直線でなく曲線を有するシールドを用いて達成することもできることに留意すべきである。代替の実施形態では、シールド３０１、３０１’などは、ライナー１０６またはプロセスチューブ１０１に装着されてもよい。
【００２４】
図４は、プロセスチャンバ１０９のライナーチューブ１０６の内側に設けられるガス注入器４０１が追加された、図１の縦型蒸着装置を概略的に示す。ガス注入器４０１は、ほぼ反応領域４０３の高さに亘り垂直方向に延在し、複数のガス注入孔４０２を含む。ガス注入器４０１は、ガス供給口１１１に接続される供給端を有し、プロセスガスおよび／またはパージガスを反応領域４０３内に導入する。ライナー１０６とプロセスチューブ１０９との間の隙間１１３を経て真空排気口１１２を通してプロセスチャンバ１０９から前記ガスを排気することもできる。
【００２５】
反応領域４０３に対向するガス注入器４０１の外面の一部は、熱反射アモルファスＳｉＯ２粒子コーティングが設けられてもよい。コーティングによって生じる拡散反射は、反応炉の下部のガスを加熱するのに役立つこともできる。あるいは、ガス注入器４０１の外面領域を完全にコーティングして、注入器が過熱するのを防ぐこともできる。完全にコーティングされたガス注入器４０１に当たる熱放射は反射され、注入器内へ未使用ガスを供給することには冷却効果がある。注入器４０１内の温度をプロセスチャンバ１０９内の温度より僅かに低くすることは、プロセスガスの早期の熱分解を防ぐ点で有効となり得る。任意で、追加の別の閉ループ冷却ガス管を注入器４０１内に設けてもよい。
【００２６】
図５は、多くの水平方向の熱シールド１０４、１０４’などを含むペデスタル１０３を概略的に示す。熱シールドは石英で構成される３本以上の脚部５０１によって支持される。脚部のうちの２本が図５に概略的に示される。脚部５０１の最下部をコーティングして、ドアプレート１０５（図５参照）などのペデスタルを支持する下部構造への「赤外光導管（ｉｎｆｒａｒｅｄ ｌｉｇｈｔ ｐｉｐｉｎｇ）」による熱伝導を防ぐこともできる。
【００２７】
図６は、断熱性材料の本体６０１を有する代替型のペデスタルを概略的に示す。一般に、このようなペデスタルには不透明な石英のエンベロープ６０２が設けられる。本発明の一実施形態では、エンベロープ６０２は、透明な石英ガラスから構成され、エンベロープの内側および外側のうちの少なくとも１つにアモルファスＳｉＯ２粒子のコーティングが設けられる。
【００２８】
図７は、半導体処理装置で使用される反射プレート７０１、７０３の２つの有利な実施形態を概略的に示す。例えば、プレート７０１、７０３は、図１〜図４に示される化学蒸着装置のペデスタル１０３の熱シールドとして使用されてもよい。（Ａ）で示される第１の実施形態では、反射プレート７０１は、主要な表面領域を有する一方の側面７０２上に熱反射表面密封型ガラスセラミックコーティングが設けられる。（Ｂ）で示される第２の実施形態では、プレート７０３は、その主要な面７０４、７０５の両方に熱反射コーティングが設けられる。後の実施形態では、コーティングは、両方の側面７０４、７０５で同じ厚さを必ずしも有するとは限らない。前述のように、プレート７０３がペデスタル１０３に使用される場合、例えば、そのプロセスチャンバに面する側には、０．９５の平均反射率に対応する厚さを有するコーティングが設けられてもよく、そのドアプレートに面する側には、０．２０から０．８０の間の反射率に対応する厚さを有するコーティングが設けられてもよい。実施形態ＡおよびＢでは、反射プレート７０１、７０３の本体は、不透明または透明な石英ガラス材料から構成されてもよい。
【００２９】
一実施形態では、コーティングの表面は密封されてもよい。コーティング自体は、ランプの反射体などの通常の使用に対しては既に相対的にガスの放出も汚染もない状態であるが、半導体処理装置のプロセスチャンバ内部でガスの放出およびパーティクルの発生がないことに対する非常に厳しい要求には依然として適合していないこともある。コーティングを密封することは、このような厳しい要求に応えるのに役立つ。例えば、表面を軽く火炎研磨することによってこれを行ってもよい。軽い火炎研磨は、コーティングの反射特性に影響を及ぼさないことが分かった。
【００３０】
別の実施形態では、反射ＳｉＯ２粒子コーティングが設けられる反射プレート上に石英プレートが配置され、石英プレートは密封係合状態で反射プレートのコーティングされた側面に接触してもよい。そのために、横方向の寸法が等しい２枚のプレートの縁部は、ともに火炎研磨または溶接されてもよい。このようにして、熱反射コーティングを２つの石英プレートの間に挟み、ガスが放出するどんな潜在的危険性も避けるようにする。
【００３１】
一実施形態では、機械部品が部分的にコーティングされてもよい。例えば、局所的に低温箇所または高温箇所が反応炉の中に存在する場合、部品を部分的にコーティングして所望の熱的改善を達成することもできる。コーティングの反射率は、コーティングの厚さを調整することによって調整することができるが、反射率を調整する別の方法は、コーティングの厚さは一定の値に維持しながら、表面を部分的に覆うようなパターンのコーティングを設けて表面の残りの部分はコーティングしないまま残しておくことである。
【００３２】
本発明の説明に役立つ実施形態が、添付図面を参照しながらより詳細に説明されたが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことが理解されるべきである。請求項の範囲に定義されるような本発明の範囲または趣旨から逸脱することなしに、様々な変更または改変が当業者によって行われてもよい。したがって、本明細書において「一実施形態（”ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｕｍｅｎｔ” ｏｒ ”ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ”）」に言及しているのは、その実施形態に関して説明される特定の機能、構造、または特徴が、少なくとも一実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書において様々な箇所に「一実施形態では（”ｉｎ ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ” ｏｒ ”ｉｎ ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ”）」という語句が現れるが、これは、必ずしもすべてが同じ実施形態を参照しているわけではない。さらに、特定の機能、構造、または特徴は、１つ以上の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせることもできる。
【符号の説明】
【００３３】
１００ 縦型化学蒸着装置
１０１ プロセスチューブ
１０３ ペデスタル
１０４、１０４’、１０４” ディスク状熱シールド
１０５ ドアプレート
１０６ ライナーチューブ
１０８ 加熱要素
１０９ プロセスチャンバ
１１０ フランジ
１１１ ガス供給口
１１２ 真空排気口
１１３ 隙間
１２０ Ｏリング
２０２ プロセスチューブフランジ
２０３ 下部
２０４、２０４’、２０４”、２０４”’ 赤外線放射
２０５ 上部
２０６ 熱シールド
３０１、３０１’ シールド
３０２ シリンダジャケット
４０１ ガス注入器
４０２ ガス注入孔
４０３ 反応領域
５０１ 脚部
６０１ 本体
６０２ エンベロープ
７０１、７０３ 反射プレート
７０２ 側面
７０４、７０５ 主要な面
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱されたガス状のプロセス雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバを含む半導体処理装置の部品またはこれに使用するのに適している部品であって、アモルファスＳｉＯ２粒子から構成される熱反射コーティングが少なくとも部分的に設けられる部品。
【請求項２】
前記部品が、動作中の前記プロセスチャンバ内部の前記加熱されたガス状の雰囲気にさらされるように構成される請求項１に記載の部品。
【請求項３】
塗布される熱反射コーティングが、０．０５ｍｍから２ｍｍの間の厚さを有する請求項１に記載の部品。
【請求項４】
塗布される熱反射コーティングが、２５０ｎｍから２６５０ｎｍの間の電磁波波長に対して、０．９５を超える平均反射率を有する請求項１に記載の部品。
【請求項４】
前記熱反射コーティングの表面が、例えば、火炎研磨によって密封されている請求項１に記載の部品。
【請求項５】
前記アモルファスＳｉＯ２粒子コーティングは、アレムコ（Ａｒｅｍｃｏ）社のＱｕａｒｔｚ−Ｃｏａｔ（商標）８５０またはヘレウス（Ｈｅｒｅａｕｓ）社のヘレウス反射コーティングである請求項１に記載の部品。
【請求項６】
前記部品が、前記プロセスチャンバに少なくとも部分的に受け入れ可能なペデスタルであって、前記ペデスタルが、多くの熱シールドを含み、そのうちの少なくとも１つに、前記プロセスチャンバ内に熱を誘導するために前記熱反射コーティングが設けられる請求項１に記載の部品。
【請求項７】
前記部品は、前記プロセスチャンバを少なくとも部分的に取り囲むように構成されるプロセスチューブである請求項１に記載の部品。
【請求項８】
前記部品は、前記プロセスチャンバ内部に配置されるように構成されるライナーチューブである請求項１に記載の部品。
【請求項９】
前記部品は、前記プロセスチャンバ内部のプロセスチューブとライナーチューブとの間に配置されるように構成される熱シールドである請求項１に記載の部品。
【請求項１０】
前記部品は、前記熱反射コーティングによって互いに隔てられる２つ以上の石英プレートの構成物である請求項１に記載の部品。
【請求項１１】
前記部品は、前記プロセスチャンバ内部に配置されるように構成されるガス注入器である請求項１に記載の部品。
【請求項１２】
加熱されたガス状のプロセス雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバと、先行する特許請求の範囲のいずれか１項に記載の１つ以上の部品と、を含む半導体処理装置。
【請求項１３】
半導体処理装置の構成要素を処理する方法、ただし前記装置が、加熱されたプロセスガスを使用し、前記構成要素が、動作中に、前記加熱されたプロセスガスにさらされる方法であって、
前記構成要素の表面にアモルファスＳｉＯ２粒子から構成されるコーティングを少なくとも部分的に設けるステップ、
を含む方法。
【請求項１４】
前記反射コーティングの表面が、火炎研磨によって密封される請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
塗布されるコーティングが、２５０ｎｍから２６５０ｎｍの間の電磁波波長に対して０．９５以上の平均反射率を有する請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記アモルファスＳｉＯ２粒子コーティングは、アレムコ（Ａｒｅｍｃｏ）社のＱｕａｒｔｚ−Ｃｏａｔ（商標）８５０またはヘレウス（Ｈｅｒｅａｕｓ）社のヘレウス反射コーティングである請求項１３〜１５のうちのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１】
加熱されたガス状のプロセス雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバを含む半導体処理装置の部品またはこれに使用するのに適している部品であって、アモルファスＳｉＯ２粒子から構成される熱反射コーティングが少なくとも部分的に設けられる部品。
【請求項２】
前記部品が、動作中の前記プロセスチャンバ内部の前記加熱されたガス状の雰囲気にさらされるように構成される請求項１に記載の部品。
【請求項３】
塗布される熱反射コーティングが、０．０５ｍｍから２ｍｍの間の厚さを有する請求項１に記載の部品。
【請求項４】
塗布される熱反射コーティングが、２５０ｎｍから２６５０ｎｍの間の電磁波波長に対して、０．９５を超える平均反射率を有する請求項１に記載の部品。
【請求項４】
前記熱反射コーティングの表面が、例えば、火炎研磨によって密封されている請求項１に記載の部品。
【請求項５】
前記アモルファスＳｉＯ２粒子コーティングは、アレムコ（Ａｒｅｍｃｏ）社のＱｕａｒｔｚ−Ｃｏａｔ（商標）８５０またはヘレウス（Ｈｅｒｅａｕｓ）社のヘレウス反射コーティングである請求項１に記載の部品。
【請求項６】
前記部品が、前記プロセスチャンバに少なくとも部分的に受け入れ可能なペデスタルであって、前記ペデスタルが、多くの熱シールドを含み、そのうちの少なくとも１つに、前記プロセスチャンバ内に熱を誘導するために前記熱反射コーティングが設けられる請求項１に記載の部品。
【請求項７】
前記部品は、前記プロセスチャンバを少なくとも部分的に取り囲むように構成されるプロセスチューブである請求項１に記載の部品。
【請求項８】
前記部品は、前記プロセスチャンバ内部に配置されるように構成されるライナーチューブである請求項１に記載の部品。
【請求項９】
前記部品は、前記プロセスチャンバ内部のプロセスチューブとライナーチューブとの間に配置されるように構成される熱シールドである請求項１に記載の部品。
【請求項１０】
前記部品は、前記熱反射コーティングによって互いに隔てられる２つ以上の石英プレートの構成物である請求項１に記載の部品。
【請求項１１】
前記部品は、前記プロセスチャンバ内部に配置されるように構成されるガス注入器である請求項１に記載の部品。
【請求項１２】
加熱されたガス状のプロセス雰囲気を含むように構成されるプロセスチャンバと、先行する特許請求の範囲のいずれか１項に記載の１つ以上の部品と、を含む半導体処理装置。
【請求項１３】
半導体処理装置の構成要素を処理する方法、ただし前記装置が、加熱されたプロセスガスを使用し、前記構成要素が、動作中に、前記加熱されたプロセスガスにさらされる方法であって、
前記構成要素の表面にアモルファスＳｉＯ２粒子から構成されるコーティングを少なくとも部分的に設けるステップ、
を含む方法。
【請求項１４】
前記反射コーティングの表面が、火炎研磨によって密封される請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
塗布されるコーティングが、２５０ｎｍから２６５０ｎｍの間の電磁波波長に対して０．９５以上の平均反射率を有する請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記アモルファスＳｉＯ２粒子コーティングは、アレムコ（Ａｒｅｍｃｏ）社のＱｕａｒｔｚ−Ｃｏａｔ（商標）８５０またはヘレウス（Ｈｅｒｅａｕｓ）社のヘレウス反射コーティングである請求項１３〜１５のうちのいずれか１項に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００９−３０２５４７（Ｐ２００９−３０２５４７Ａ）
【公開日】平成２１年１２月２４日（２００９．１２．２４）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００９−１５８２２５（Ｐ２００９−１５８２２５）
【出願日】平成２１年６月１２日（２００９．６．１２）
【出願人】（５０１３８００７０）エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． (26)
【氏名又は名称原語表記】ＡＳＭ ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ Ｎ．Ｖ．
【住所又は居所原語表記】Ｔｈｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ ３７２３ ＢＧ Ｂｉｌｔｈｏｖｅｎ Ｒｅｍｂｒａｎｄｔｌａａｎ ７−９
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月２４日（２００９．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１５８２２５（Ｐ２００９−１５８２２５）
【出願日】平成２１年６月１２日（２００９．６．１２）
【出願人】（５０１３８００７０）エーエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． (26)
【氏名又は名称原語表記】ＡＳＭ ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ Ｎ．Ｖ．
【住所又は居所原語表記】Ｔｈｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ ３７２３ ＢＧ Ｂｉｌｔｈｏｖｅｎ Ｒｅｍｂｒａｎｄｔｌａａｎ ７−９
【Ｆターム（参考）】
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