【課題】成膜室内壁を保護するライナ上にシリコン結晶が形成されるのを抑制する。
【解決手段】チャンバ１の頂部には、プロセスガス２５の供給部４が、内部には、半導体基板６を載置する回転式のサセプタ７と、チャンバ１の内壁を被覆する筒状のライナ２とがそれぞれ設けられている。ライナ２は、サセプタ７の配置される胴部３２と、供給部４の側にあって胴部３０より断面積の小さい頭部３１と、胴部３０と頭部３１をつなぐ段部３２とを有する。サセプタ７には、サセプタ本体３６上にドーナツ状円板３８が設けられており、ドーナツ状円板３８によりライナ２の段部３２の周囲をカバーしながら、プロセスガス２５を供給部４からチャンバ１内に流下させて、下方に配置されたサセプタ７上の半導体基板６に結晶膜を形成する。 （もっと読む）

基板の表面をパターニングするためのプラズマ放電を基板の近くで発生させる装置であって、第１放電部を有する第１電極と、第２放電部を有する第２電極と、第１および第２電極間に高電圧差を発生させるための高電圧源と、第１電極を基板に対して位置決めするための位置決め手段とを備えた装置。本装置は、使用時に、基板に対する第１電極の位置決めを許容したまま、第１電極と基板との間に配置される中間構造をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】原料ガスをあらゆる角度に対して均等な流量で噴出でき、サセプタの対面においては原料ガスの分解、結晶化を抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ２の対面が内部に冷媒を流通する手段を有し、原料ガス導入部が円板状の仕切り１２，１２”により上下方向に仕切られた構成からなる複数のガス噴出口１３を備え、該ガス噴出口１３の少なくとも１つが複数の柱状の仕切り１４により円周方向に仕切られた構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に設けた回転テーブルに複数の基板を、周方向に配置された複数の凹部に夫々載置し、回転テーブルを回転させることにより基板を反応ガスの供給位置に順次通過させて基板上に薄膜を形成する装置において、基板が通過する領域における圧力差により回転テーブルから飛び出すことを防止すること。
【解決手段】基板載置領域の周縁に基板の周方向に沿ってリング状に形成されたリング部材を、回転テーブルを貫通して昇降自在な昇降ピンに固定する。基板を凹部内に搬送した後、昇降ピンを降下してリング部材を基板の表面周縁部に接する位置あるいはわずかに上方位置に置き、基板が浮上しようとしたときに係止して飛び出しを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】基板表面に原料ガスを均一に供給し得る熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】加熱室４にカーボンを含む原料ガスＧを導くと共に原料ガスを加熱して加熱室に配置された基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを形成し得る加熱炉１を具備する熱ＣＶＤ装置であって、加熱室内に、基板をそのカーボンナノチューブ形成面が下面となるように保持し得る基板保持部材11を配置し、この基板保持部材下方の加熱炉底壁部1aにガス供給口５を形成すると共に基板保持部材上方の加熱炉上壁部1bにガス排出口６を形成し、上記基板保持部材の上側に発熱体13を配置し、ガス供給口から導かれた原料ガスを基板保持部材の下面に導くためのガス案内用ダクト体14を設け、このガス案内用ダクト体と基板保持部材との間に反応ガスを分散させる邪魔板15を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置１において、基材Ｗの端部の波状変形や異常なアーク放電を防止する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバと、真空チャンバ内に配備されると共に電源の両極が接続され且つ成膜対象であるシート状の基材Ｗが巻き掛けられる真空チャンバから絶縁された成膜ロール２と、基材Ｗが巻き掛けられていない成膜ロール２の端部２ａ、２ｂを成膜ロール２近傍に発生したプラズマ５から遮蔽する遮蔽部材４と、を備え、成膜ロール２の軸方向の端部２ａ、２ｂは中央部２ｃより小径に形成されていて、端部２ａ、２ｂの外周面と中央部２ｃの外周面との間には段差面２ｄが設けられており、遮蔽部材４がその外周面が成膜ロール２の中央部２ｃの外周面と面一になるように成膜ロール２の端部を覆っており、遮蔽部材４と段差面２ｄとの間には成膜ロール２の軸方向に基材Ｗが成膜ロール２に当接しない間隙が備えられている。 （もっと読む）

【課題】膜厚均一性に優れたエピタキシャル膜を形成することが可能であり、且つ、チャンバ内における反応ガスの逆流を防止することが可能なエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハを包含する直方体形の内部空間を有するチャンバ１０を用い、センター導入口２１Ｃおよびサイド導入口２１Ｒ，２１Ｌからの反応ガスを板状部材１７に衝突させて整流化させるとともに、センター導入口２１Ｃからのガス導入量がサイド導入口２１Ｒ，２１Ｌからのガス導入量よりも大きい条件下で、ウェーハ上にドーパント濃度が異なる複数のエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】加熱した触媒により処理ガスを活性化し、この処理ガスから生成する活性種を用いて基板に対して処理を行うにあたり、触媒を加熱するための給電部位の断線や短絡を防止すること。
【解決手段】ウエハＷに対向するように島状に複数の棒状体のセラミックヒータ３１処理容器１の天板に固定して配置すると共に、このセラミックヒータ３１の下方側の先端部にガス拡散板１１のガス吐出孔１３に対向するように金属触媒層４４を設けて、セラミックヒータ３１（抵抗発熱線４２）により金属触媒層４４を間接的に加熱して処理ガスを活性化する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ成膜を行う際、成膜用原材料を効率よく使用して材料コストの低廉化及び省資源化を図る。
【解決手段】プラズマ用ノズル１６と、基材１０の成膜部位１２との間に、整流用治具１４を配置する。この整流用治具１４には、プラズマ供給路２０と、原材料供給路２２と、これらプラズマ供給路２０と原材料供給路２２が合流した成膜用合流路２４と、成膜部位１２を通過したプラズマ放電ガス及び未反応の原材料を排出するための排出路２６と、排出路２６中の未反応の原材料をプラズマ供給路２０に戻すための回収路２８とが形成される。プラズマ放電ガスとともに排出路２６の立ち上がり通路３４に流通した未反応の原材料は、冷却管３８を流通する冷却媒体によって冷却されることで凝縮し、液相となって回収路２８から成膜用合流路２４の鉛直通路３０に導入される。その後、プラズマ放電ガスによって揮発・再活性化された原材料は、成膜部位１２に再供給される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に成膜する際に、基板間での膜厚のばらつきを抑制する。
【解決手段】チャンバ（２）内で複数の基板（１）に膜を形成する成膜装置は、保持機構（３）と、ガス導入管（５）と、を有する。保持機構（３）は、天板（６）と底板（７）とを有し、チャンバ（２）内で天板（６）と底板（７）との間に、複数の基板（１）を該基板の板面に直交する第１の方向（Ｔ）に所定の間隔を空けて保持する。ガス導入管（５）は、第１の方向（Ｔ）に沿って延び、材料ガスを噴射する噴射口（５ａ）が第１の方向（Ｔ）に並べて設けられている。天板（６）と底板（７）のうちの少なくとも一方は、複数の基板（１）を保持する保持機構（３）の領域から、ガス導入管（５）の噴射口（５ａ）が形成された部分を越えて存在している。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマＣＶＤ装置の真空容器内の部品表面に付着する膜状物質の剥離を低減する。
【解決手段】太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する平行平板型プラズマＣＶＤ装置であって、真空容器内に設けられ、この太陽電池基板を戴置する基板電極と、これに対向する高周波電極とを備え、この高周波電極の基板電極に対向する面に、溶射によってＡｌより融点の高い金属膜を形成している。 （もっと読む）

【課題】第１反応ガスと第２反応ガスとの混合を抑制する分離ガスによって第１及び第２反応ガスが希釈されるのを低減できる成膜装置を提供する。
【解決手段】本成膜装置は、基板載置領域を一の面に含む回転テーブル；容器内の第１供給領域に配置され、一の面へ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部；第２供給領域に配置され、一の面へ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部；第１及び第２反応ガスを分離する分離ガスを吐出する分離ガス供給部と、分離ガス供給部からの分離ガスを第１及び第２の供給領域へ向けて供給する分離空間を形成する天井面とを含み、第１及び第２供給領域の間に配置される分離領域；第１及び第２供給領域に設けられる第１及び第２排気口；を備え、第１及び第２排気口の少なくとも一方が、対応する供給領域へ向かって分離領域から供給される分離ガスを、反応ガス供給部が延びる方向に沿った方向に導くように配置される。 （もっと読む）

【課題】駆動機構の複雑化やフットプリントの増加を最小限に抑えつつ、防着板によって構成されたシールド空間の排気コンダクタンスを向上し、残留ガスを効果的に減少させた成膜装置を提供する。
【解決手段】シールド空間に開口部を設け、真空ポンプと真空チャンバとの間の排気口を封止可能な可動板を、成膜時に前記開口部を塞ぎ前記排気口を開く第１のポジションと、被処理基板搬送時に前記開口部と前記排気口の両方を開く第２のポジションと、前記排気口を封止する第３のポジションと、に移動可能なように構成された成膜装置。 （もっと読む）

【課題】第１の反応ガスと第２の反応ガスとの混合を効果的に抑制することにより、回転テーブルの回転速度の増大を通してスループットの向上を図る。
【解決手段】本成膜装置は、回転テーブルの中心と外周上の異なる２つの点とをカバーするように延び第１及び第２の領域に分ける分離領域であり、第１分離ガスで分離領域を第１及び第２の領域より高圧に維持可能な分離領域；第１分離ガスの回転テーブルの中心から外周への流れを抑制して、分離領域を第１及び第２の領域より高圧に制御する圧力制御部；第１の領域にて回転テーブルへ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部；第２の領域にて回転テーブルへ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部；第１反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第１の領域を通して排気する第１排気口；及び第２反応ガスと分離領域からの第１分離ガスとの両方を合流して第２の領域を通して排気する第２排気口を備える。 （もっと読む）

【課題】製膜に寄与しなかったガスが基板周辺へ向かう排気ガス流れを低減して放電電極間スリットから排気する排気ガス流量を増加させることにより、製膜条件の分布による基板周辺の膜質低下を抑制した真空処理装置を提供する。
【解決手段】放電電極６から製膜ガスを噴出し、放電電極６のプラズマ雰囲気で製膜ガスの分解及びラジカル生成を行って基板に真空プラズマ処理を行う真空処理装置１Ａが、基板テーブルと放電電極６との面間距離を狭めるガスブロックバリア材３０を基板から所定の距離が離れた前記基板テーブルの周縁部に取り付け、プラズマ雰囲気から基板の端部を経て防着板７の背面へ、または真空排気部へ流出するガス流れの流路面間幅を狭めて、ガス流れ流路の圧力損失を増加させるガスブロックバリア構造部を備えている。 （もっと読む）

【課題】高密度プラズマを発生させるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】円筒形電極１を有する円筒チャンバー部と、前記円筒チャンバー部を、ガス導入口１０を有する第１チャンバー室２と、ガス排出口１１を有する第２チャンバー室３とに仕切るように、前記円筒チャンバー部に配置されたオリフィス４と、前記第２チャンバー室内において前記円筒形電極の中心軸に設置されている棒状電極と、前記第１チャンバー室において設置された、前記円筒形電極とは異なる電位を印加できるサブ電極６とを具備したプラズマ発生装置において、前記円筒形電極と棒前記状電極の間に電界を印加しプラズマを発生させ、さらに、前記円筒形電極と前記サブ電極間に電界を印加してプラズマを発生させ、前記第１チャンバー室と前記第２チャンバー室のプラズマ領域が前記オリフィスの穴を通して接続している。 （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室に接続された複数のガス供給管の前記反応室内の複数の出口からIII族原料ガスとＶ族原料ガスとを前記反応室内に供給して前記反応室内に配置された基板上に窒化物系半導体層を成膜する気相成長方法であって、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを互いに異なる出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント以上の窒化物系半導体を含む第１半導体層を成長させる工程と、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを混合して同じ出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント未満の窒化物系半導体を含む第２半導体層を成長させる工程と、を備えた気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 成長領域に供給された原料ガスが予熱領域へ侵入するのを防ぎ、均質で安定した組成の超電導薄膜を成膜可能なＣＶＤ装置、及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】 ２枚の遮蔽板によってテープ状基材の走行方向に３分割された反応室と、これら２枚の遮蔽板で挟まれた成長領域に原料ガスを噴出する原料ガス噴出部と、反応室内のガスを排気するガス排気部と、テープ状基材を加熱するサセプタと、遮蔽板とサセプタの間に形成されたテープ状基材が走行するための開口部を備え、反応室内でサセプタ直上を走行するテープ状基材の表面に原料ガスを供給し化学反応させることにより、このテープ状基材の表面に超電導薄膜を成膜するＣＶＤ装置において、サセプタに略直角に遮蔽ガスを噴出する遮蔽ガス噴出部を備えている。 （もっと読む）

【課題】反応室の内部に設けられる石英製の部材の損傷を防止しつつ、石英製の部材から剥がれた反応生成物が被形成体に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】本実施形態の発光素子の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法を用いて基板上にIII族窒化物半導体層を形成するものである。そして、本実施形態の発光素子の製造方法は、第１組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０１）、清掃工程（Ｓ１０２）、第２組目のウェハ群の製造工程（Ｓ１０３）、及びチップ化工程（Ｓ１０４）を含んで構成されている。ここで、第１組目のウェハ群の製造工程において、ＭＯＣＶＤ装置の反応室に設けられる保護部材に反応生成物が付着する。そして、清掃工程において、ブラスト処理を用いて保護部材に付着する反応生成物の除去を行う。これにより、保護部材の受ける損傷を抑制しつつ、第２組目のウェハ群の製造工程において、ウェハへの反応生成物の混入が抑制される。 （もっと読む）