【課題】半導体ウェーハの加熱効率を向上させたＣＶＤ装置用加熱ユニットを提供すること。
【解決手段】ウェーハを載置するサセプタ１０をその下方から加熱するヒーター２と、前記ヒーター２の下方に配置し、該ヒーター２からの熱輻射を遮断するヒートシールド４，５とを備えたＣＶＤ装置用加熱ユニットにおいて、前記ヒーター２と前記ヒートシールド４，５との間に、前記ヒーター２と離間して配置する六方晶窒化ホウ素（ＨＢＮ）板３を備えた。 （もっと読む）

【課題】反応ガス同士をより確実に分離することが可能な原子層（分子層）成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器１０内に回転可能に設けられ、基板が載置される回転テーブル２；第１の反応ガスが供給される第１の領域４８１と第２の反応ガスが供給される第２の領域４８２とを分離するために、該第１および第２の領域の天井面よりも低い天井面と、分離ガスを供給する分離ガス供給部４１，４２とを有する分離領域；該分離領域において、回転テーブル２と反応容器１０の内側面との間に配置される上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂ；を有する成膜装置とする。上ブロック部材４６Ａ，４６Ｂは、前記分離領域における回転テーブル２の回転方向上流側に、前記分離ガスが流通可能な空間Ｓが形成されるように配置される。 （もっと読む）

【課題】バイアス電源等の設置を不要とすることができ、基板に対して原料ガス中の炭素のみを効果的に提供してカーボンナノチューブを垂直配向で成長させ、製造することのできるプラズマＣＶＤ装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１と、チャンバ１に連通するプラズマ発生部３およびガス提供部２と、チャンバ１内でカーボンナノチューブを成長させる基板Ｋが載置される載置部４と、を備えてなるプラズマＣＶＤ装置１０であり、ガス提供部２からは少なくとも炭素原料ガスが導入されるようになっており、チャンバ１内において、プラズマ発生部３と基板Ｋの間にバルク状の遮蔽材５が配設されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥が低く、高次シラン混入の少ない高品質なアモルファスシリコン薄膜を大面積で得るために、広い面積に渡り陰極凹部（ホロー）にプラズマを発生させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】真空容器２内に、被成膜基板１３を置くための接地電極１１と、該接地電極と２〜５００ｍｍの間隔を空けて配置され高周波電源１５に接続された陰極３と、該陰極と前記接地電極との間に配置された電位シールド板８とを備え、前記陰極は、前記接地電極に対向する側に対向面５と複数の凹部４とを有する。前記電位シールド板は、前記陰極の各凹部と相対する各位置に、該各凹部の電位シールド板と平行な平面への投影面積の５０〜２５０％の投影面積を有する貫通孔９が形成されている。前記陰極と前記電位シールド板とは、最近接部の間隔が０．１〜２０ｍｍとなるよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】反応ガスがライナ等の基板周囲の部材に接触することを防止し、反応生成物が付着するのを防ぐことができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、チャンバ１内に不活性ガス２５を供給する不活性ガス供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられ、半導体基板６が載置されるサセプタ７とを有する。ライナ２は、反応ガス２６の流路となる頭部３１と、サセプタ７を内部に配置する胴部３０とが、スリット３８を介して配置されており、スリット３８から不活性ガス２５が流下するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】反応管内の清掃を不要にし得るカーボンナノチューブ形成用のＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】反応管２１内に水平方向で配置された基板Ｋの表面に原料ガスＧを供給して熱化学気相成長法によりカーボンナノチューブを形成するための熱ＣＶＤ装置１であって、上記反応管２１内で所定の隙間を有して上下に複数の基板Ｋを保持し得る基板ホルダー体１１と、この基板ホルダー体１１を載置する台座板１９とを具備するとともに、基板Ｋを保持した基板ホルダー体１１により、反応管２１内を、それぞれ原料ガスＧが供給される下の基板Ｋ表面と台座板１９との間および基板Ｋ同士間の反応空間部７と、上の基板Ｋ表面および台座板１９表面と当該反応管２１内壁面との間の原料ガスＧが供給されない非反応空間部８とに区画し得るようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】金属膜を成膜するための成膜装置の真空チャンバーを大気開放する際に、金属膜が発火するおそれを短時間で低減することを目的とする。
【解決手段】基板１０６に金属膜を成膜するための成膜装置の真空チャンバー１０１に配備された構成部品であるチムニー１０４や防着板１０７の外面に開口する多数のガス供給孔を設ける。構成部品の表面に付着した金属膜に対して、前記ガス供給孔から酸素を含むガスを供給し、金属膜を裏面側からも酸化させる。これにより、真空チャンバー１０１から構成部品を大気中に出して金属膜の除去処理を行っても発火しなくなる。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板であっても短時間にカーボンナノチューブを形成することができる化学気相成長方法および化学気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して比較的小さいヘッド３０を所定の方向に所定の速度で相対的に移動させる。ヘッド３０には、基板Ｗに還元ガスを供給する還元室４０と炭素源ガスを供給する炭素源室５０とを設けている。また、基板Ｗに対するヘッド３０の相対移動方向に沿って還元室４０を炭素源室５０よりも前段側に設ける。基板Ｗの表面に配置された触媒が還元室４０または炭素源室５０に対向しているときには、その触媒を加熱することにより還元処理およびカーボンナノチューブの成膜処理を行う。大面積の基板Ｗであっても還元室４０および炭素源室５０の雰囲気置換に長時間を要することはなく、短時間にカーボンナノチューブを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】被成膜体の非成膜部位を除く部位に被膜を成膜するとともに、成膜部位における硬度の低下を抑制することが可能な被膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着室３０内に円柱状のプラズマ３ａを発生させると共に真空蒸着室３０内に材料ガスを供給し、被成膜体である第１シャフト１０にパルス電圧を印加して第１シャフト１０の表面にＤＬＣ膜１２１を形成する。第１シャフト１０のＤＬＣ膜１２１を形成しない非成膜部位であるヨーク１１には、ＤＬＣ膜１２１を形成すべき成膜部位であるスプライン嵌合部１２との間に、スプライン嵌合部１２におけるＤＬＣ膜１２１の硬度の低下を抑制するための隔離間隔をおいて、ヨーク１１を遮蔽する治具４１を装着する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの分解効率を上げ、基板に対する処理速度の向上を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生管６を囲む様に設けられ、少なくとも該プラズマ発生管６の内壁近傍にプラズマ生成領域１２を生成するプラズマ発生手段９，１１と、前記プラズマ発生管６の上流側から処理ガスを供給するガス供給手段１６と、前記プラズマ発生管６の下流側に隣設され、プラズマ化された処理ガスによって基板３を処理する処理室４と、前記ガス供給手段１６と前記プラズマ生成領域１２上端の間に設けられ、前記プラズマ発生管の内壁近傍の処理ガス密度が濃くなる様処理ガスの流れを整える整流板１７と、前記処理管から処理ガスを排気する排気手段２８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】品質の良いアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物の結晶を得るため反応温度を得るとともに、反応器内のガス対流をできるだけ抑止することができる結晶成長装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物を基板上に気相成長させる結晶成長装置１は、縦管８と横管７とから構成されるＴ字状の反応器を備えている。結晶成長装置１は、縦管８と横管７に臨んだ領域には、基板を保持するタングステン製の加熱支持台２２と、加熱支持台２２を誘導加熱する高周波コイル２４と、横管７に導入されＩＩＩ族ハロゲン化物を基板上に供給するハロゲン化物ガス管１５と、横管７に導入され窒素源ガスを基板上に供給する窒素源ガス管１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高品質な成膜を維持するために必要となるチャンバー内の清掃の頻度を低減し、稼動率を向上したＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ装置１００は、チャンバー１と、チャンバー１内に原料ガスを供給するための原料ガス供給装置２と、廃棄ガスをチャンバー１内から排出するための廃棄ガス処理装置１２とを備える。チャンバー１に設置された加熱ステージ６は、基板５を保持するための機構を有し、その周囲に、加熱ステージ６を原料ガス及び廃棄ガスによる腐食あるいは廃棄ガス中の反応生成物の付着を防止するためのヒーターカバー１０が設置されている。ヒーターカバー１０にはシールガスを噴出する複数のガス噴出口１６が設けられ、ヒーターカバー１０の表面と廃棄ガスとの間に、原料ガスと反応しない不活性ガスの層、シールガス層を、基板５の外周から３０ｍｍ以内の範囲にわたり作り、ヒーターカバー１０への付着物の量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】パージガスの量を従来と比較して減らすことが可能となり、原料ガスの流れへの影響を減らしたり、絞り穴を大きくして観察部の視野を広くしたりすることができるガス処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を処理用ガスで処理するガス処理装置１であって、ガス処理室２と、処理中の前記被処理体３を観察可能な観察窓が形成されたパージガス室３０と、前記観察窓からの観察方向上で、前記観察窓と前記被処理体３の載置位置との間に絞り穴が形成された絞り部材と、前記パージガス室３０内にパージガスを導入するパージガス導入口と、を備え、前記パージガスの導入方向が、前記観察方向からみて前記絞り穴の重心線からずれるように前記パージガス導入口が配置される。 （もっと読む）

【課題】被加熱体の劣化を抑制することができる基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置４０は、内部を真空状態に維持可能であってウエハ１４を処理する処理容器４２と、処理容器４２内であって少なくともウエハ１４の載置領域を囲むように設けられる被加熱体６０と、処理容器４２内壁と被加熱体６０との間であって、被加熱体６０を囲むように設けられる断熱体６６と、被加熱体６０内にガスを供給する第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０と、処理容器４２の外側に設けられ、被加熱体６０を誘導加熱する磁気コイル６２と、被加熱体６０内に設けられ、第１のガス供給ノズル７０及び第２のガス供給ノズル８０から供給されたガスと被加熱体６０との接触を抑制する保護壁９４と、を有する。 （もっと読む）

薄膜太陽電池を堆積するためのクランプユニットおよび信号給電方法を提供する。クランプユニットは、電極板モジュール、信号給電モジュール（２０１）および支持フレームを含む。電極板モジュールにシールドカバー（２０４）が設けられる。信号給電モジュール（２０１）は、胴部セクションおよびヘッド部セクションを含み、ヘッド部セクションが矩形形状の信号給電表面である。信号給電モジュール（２０１）のヘッド部セクションは、電極板モジュールの給電ポートと表面接触して接続される。給電ポートは、電極板モジュールのカソード板の背面側の中心部分に配置されるくぼんだ矩形表面上に設けられる。クランプユニットは、事実上、定在波効果および表皮効果を除去し、歩留まりを改善し、コストを低減することができる。
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【課題】昇降自在に設けられた上部電極の上部空間に処理ガスが回り込んでも，それを容易に排出する。
【解決手段】処理室１０２の天井壁１０５に下部電極１１１に対向して昇降自在に設けられ，処理ガスを導入する多数の吹出孔１２３を設けた上部電極１２０と，各電極とその間の処理空間の周囲を囲むシールド側壁３１０と，シールド側壁の内側に設けられ，処理空間の雰囲気を排気する内側排気流路３３０と，シールド側壁の外側に設けられ，上部電極と天井壁との間の空間に回り込んだ処理ガスを排気する外側排気流路１３８とを設けた。 （もっと読む）

【課題】ガスガイドプレートが貫通穴を有していても、薄膜の結晶性に対する影響が抑えられ、かつ、他の部品に反応生成物が堆積することを抑制することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＯＣＶＤ装置１００は、反応ガスを供給して基板の被成膜面を成膜する成膜装置であって、基板２を保持する基板保持台３と、基板保持台３に対向して配置され、基板２の被成膜面に対向する位置に貫通穴７を有するガスガイドプレート６と、基板保持台３とガスガイドプレート６との間に反応ガス８ａを流す反応ガス配管８とを備えている。ガスガイドプレート６における基板２に対向する側において、貫通穴７にガス流の下流側で接する下流側端部１３は、上流側で接する上流側端部１２よりも、基板２の被成膜面との最短距離が長い。このため、反応ガス８ａが、貫通穴７を通じて吹き出すことが抑制される。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスが早期にプラズマ化することで、被処理体に対する成膜などの処理が良好になされないのを改善する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバ、チャンバ内に設けられたプラズマ発生源、チャンバ内で被処理体を支持する支持台、プラズマ発生源と前記支持台との間に配置されてプラズマ発生源側空間と被処理体が配置される前記支持台側空間を隔てる仕切材、支持台側空間にプロセスガスを供給するプロセスガス導入部、を備えることで、プロセスガスをプラズマ源近傍を通すことなく、基板近傍にのみ流すことができ、そのガスは基板近傍でプラズマにより分解され、より多くのラジカルを基板表面に到達させることができ、例えばＣＶＤプロセスの場合、ＳｉＨ_３ラジカルがより多く基板表面まで到達することになり、それにより欠陥密度の少ない良い特性の膜が得られる（光劣化に対して強くなるなど）。 （もっと読む）

【課題】形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、プラズマ源と成膜室を隔壁板により隔離したプラズマＣＶＤ装置により多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成する。本方法によれば、磁気特性の劣化をもたらすことなく保護層を成膜でき、かつ、１５０℃未満の低温成膜も可能である。これにより、レジストを残留させたまま保護層の成膜が可能であり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減も可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度を非接触で正確に測定することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置５０は、半導体基板６が収容されるチャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、半導体基板６を加熱するヒータ８と、チャンバ１の外部に設けられ、半導体基板６からの放射光を受光して半導体基板６の温度を測定する放射温度計４４と、半導体基板６と放射温度計４４との間で放射光の光路４８を覆う管状部材４７とを有する。管状部材４７には、不活性ガス供給部４から不活性ガス２５が供給される。管状部材４７は、外周面に内周面より放射率の低い材料を用いて構成されることが好ましい。 （もっと読む）