【課題】チャンバの内壁に堆積するウォールデポの剥離を促進する気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０は、チャンバ３、複数のランプ４１、送風手段５、及び一対の第１開閉扉を備える。チャンバ３は、ウェーハ１が設置されるサセプタ２を内部に配置し、原料ガスＧを内部に導入する。チャンバ３は、サセプタ２の上方を覆う第１隔壁３１、及びサセプタ２の下方を覆う第２隔壁３２を有する。複数のランプ４１は、第１隔壁３１を介してウェーハ１及びサセプタ２を加熱する。送風手段５は、第１隔壁３１の上面に冷却用空気（冷却媒体）Ａを送風する。一対の第１開閉扉は、原料ガスＧが導入されて、サセプタ２を越える下流側の内部領域３ｎと対向する外部領域３ｍに冷却用空気Ａの送風を堰き止めることができる。 （もっと読む）

【課題】種々の成膜法が利用可能な連続成膜装置を提供する。
【解決手段】真空中で搬送される基材Ｓの表面に成膜粒子を供給して皮膜を形成する連続成膜装置であって、真空チャンバ−１と、真空チャンバー１内に回転自在に支持され、基材Ｓを巻き掛けて搬送する成膜ロール４と、前記基材Ｓを成膜域に供給する巻出ロール５および成膜後の基材を巻き取る巻取ロール６と、前記成膜ロール４に対向して配置されたスパッタ蒸発源７１，７２，７３を備える。さらに前記成膜ロール４の下部に一対の回転円筒状電極１１，１２をそれぞれ成膜ロール４と平行に備える。前記一対の回転円筒状電極の少なくとも一方は円筒状ターゲット１３を備える。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する
【解決手段】
横型ホットウォールＣＶＤ装置の反応室２５に位置する凸状発熱体１７は、ＳｉＣウエハＢ１が載置される位置に対して、上流側に配置される。凸状発熱体１７によって、混合ガスの流れに対して適度な乱流を発生させつつ、材料ガスを加熱できる。また、ＳｉＣウェハＢ１に対して上流側で材料ガスを加熱できる。これにより、上流側において、材料ガスの熱分解を促進できるので、反応室２５におけるＣ／Ｓｉ比を均一にできる。よって、ＳｉＣウエハＢ１上に形成する炭化珪素膜の不純物濃度を均一にし、局所的に高くなることを防止できる。さらに、ＳｉＣウエハＢ１に対して上流側でのみ凸状発熱体１７により加熱を行うので、反応室２５の全体の温度を上昇させない。よって、炭化珪素膜の成長レートを低下させることもない。 （もっと読む）

【課題】雰囲気ガスの渦流を原因とするシリコンウェーハの外周部の不純物汚染を低減可能なシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハが支持リングを介して載置される遮蔽板の直径が、シリコンウェーハの直径より２０ｍｍ以上大径化し、各遮蔽板の上下間隔を５〜５０ｍｍとした。よって、シリコンウェーハの直径方向の外方で各遮蔽板の隙間に渦流緩衝空間が形成される。これにより、雰囲気ガスの渦流を原因とした炉壁から発生したニッケルなどの不純物によるシリコンウェーハの外周部の汚染を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制し、且つカバーを容易に着脱できるようにする。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置の誘電体カバー１２は、下面とこの下面に続く側端とを有する被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を含んでいる。誘電体カバー固定具１８Ａは、誘電体カバー１２の被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１における下面に当接し、誘電体壁６を支持する支持部材としての支持梁１６と誘電体壁６のうちの少なくとも一方との間で被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を挟むようにして被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を支持する支持部１８Ａ１，１８Ａ２と、この支持部１８Ａ１，１８Ａ２に接続され、一部が被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１の側端の側方に配置され、支持梁１６との位置関係が変化しないように固定される被固定部１８Ａ３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】イオン種等の荷電粒子の影響を回避し得る反応種生成方法、および反応種生成装置、並びに反応種による処理方法、および反応種による処理装置を提供する。
【解決手段】希ガス１を励起種に励起させるための第１の反応容器１１と、第１の反応容器１１内でプラズマを生成させるための電源１２及び電極１３と、第１の反応容器１１にて希ガス１を励起させるときに生成された荷電粒子が、第１の反応容器１１外に漏れるのを抑制する接地されたメッシュ１４と、第１の反応容器１１にて励起された希ガス１を移送させる流路と、励起された希ガス１とプロセスガス３とが混合される第２の反応容器１６と、プロセスガス３をプロセス領域４に導入するプロセスガス供給流路１５とを備える。プロセス領域４にて、励起された希ガス１によってプロセスガス３から励起された希ガス１に比べて短寿命である反応種を生成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの外周側に位置するプロセスチャンバー部に設置されている、ウェーハ搬送部とプロセスチャンバー部を仕切るゲートバルブ部近傍部の温度低下を改善する。
【解決手段】ウェーハ搬送部２８とプロセスチャンバー部２１とを仕切るゲートバルブ部２９の近傍温度を制御可能とする。ゲートバルブ部２９とプロセスチャンバー部２１との間に新たな仕切部３２を設け、本仕切部３２の材質はプロセスチャンバー部２１と同じ材質とし、さらに仕切部３２の内部には、温度制御可能なヒータ３３および熱電対３４を設け熱電対３４の温度に基づいてヒータ３３の制御を行う。 （もっと読む）

【課題】均一な成膜を行うことができるＤＣアークプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１は、プラズマガン４及び陽極部５と、反応容器３と、を備え、プラズマガン４及び陽極部５は、プラズマＰを発生させ、反応容器３は、プラズマガン４及び陽極部５が互いに対向するように取り付けられると共に発生させたプラズマＰをその内部で囲うように設けられた反応室６と、反応室６に隣接しその内部に基板２が配置される成膜室７と、を含んでいる。反応室６と成膜室７との間の対向壁部８ｃには、プラズマＰによって活性化させた原料ガスが通過する孔が複数形成され、反応室６の壁部８は、絶縁体で構成されている。このＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１によれば、反応室６の壁部８に電流が流れ込んで放電空間内の電流密度が不均一になるのを抑制でき、成膜速度のばらつきを防止できる。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ低コストの構成で、基材上への均一なガス供給を可能にして高質の表面処理を実現する。
【解決手段】基材１２を特定方向に搬送しながら、その表面に向けて表面処理用ガスを供給することにより、基材１２の表面処理を行う。具体的には、円筒状外周面を有して当該外周面が基材１２の表面に隙間２３をおいて対向し、基材１２の搬送方向と略直交する方向の軸を中心に回転する回転体２４と、回転体２４を当該回転体２４が基材１２の表面に対向する部位を残して覆う覆い部材１４と、この覆い部材１４が基材１２の表面に対向する面と当該基材１２の表面との間に電界を形成する手段とを備える。覆い部材１４内に供給された表面処理用ガスが回転体２４の回転に伴いその外周面に巻き込まれて隙間２３に導かれかつこの隙間２３から電界形成領域に供給されてプラズマを生じさせるように、回転体２４及び覆い部材１４が配置される。 （もっと読む）

プラズマ処理装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバの内部に配され、ワークを支持するプラテンと、ワークの前面に隣接するプラズマシースを有するプラズマを、プロセスチャンバの内部に発生させるように構成されたプラズマ源と、インシュレーティング調整部とを備える。インシュレーティング調整部は、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状の一部がプラズマに対向するワークの前面によって形成される面と平行にならないように、境界の形状を制御する。プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状を制御することで、ワークに衝突する粒子の入射角の範囲を広げることができる。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化したときにおいても、シャワープレートの付着物に起因するガス吐出孔の目詰まり、被処理基板の成長層への不純物混入を抑制するとともに、安価にカバープレートを作製する。
【解決手段】本発明のカバープレートユニット４０は、ガス通過孔Ｈ２を有する中心プレート４１と、中心プレート４１を載置するための載置部が形成された周辺プレート４２と、周辺プレート４２を保持するリング部材４４とを備え、周辺プレート４２は、中心プレート４１の周辺に配された複数のプレート片４２ａに分割されている。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性のみならず、耐酸化性にも優れるガスバリア膜の製造方法、および、これを利用する太陽電池用ガスバリアフィルム、および、ディスプレイ用ガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】ガスバリア膜の成膜のためのプラズマ放電を開始した後に、所定の時間が経過する前のプラズマを、前記ガスバリア膜の製造に用いないことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成であっても、成膜品質の向上を実現し、且つ、材料ガス消費量の抑制を実現した気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る気相成長装置５０は、サセプタ１２の面内から鉛直方向に隆起するように、円柱型の形状を有したサセプタ凸状部位１２ａが複数設けられている。各サセプタ凸状部位１２ａの先端は、基板１０を載置することができ、サセプタ凸状部位１２ａに対して１対１で基板１０が載置される構成となっている。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１と、真空容器１１の壁の内面１１１Ａと外面１１１Ｂの間に配置された高周波アンテナ２１と、前記高周波アンテナ２１と前記真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器１１内に形成することができる。また、仕切材１６により、真空容器１１内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ２１がスパッタされることや高周波アンテナ２１の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴを気相成長させる原料ガスを一定の流れで基板に供給できるメンテナンス性のよいリモートプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のリモートプラズマＣＶＤ装置Ｍは、処理すべき基板Ｓが載置される基板ステージ３を有する上方に開口したチャンバ本体１ａと、チャンバ本体の上面開口に着脱自在に装着される蓋体１ｂと、チャンバ本体内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段７と、基板ステージ上の基板がプラズマに曝されないように基板上方に設けられた複数の透孔を有する板状の遮蔽部材８ｃとを備える。蓋体の下面周縁部に周方向の間隔を存して垂設した複数本の支持部材８ａと、これら支持部材の下端部に連結される支持フレーム８ｂとを有し、遮蔽部材の周縁部を支持フレームに遮蔽部材の熱膨張または熱収縮が許容されるように載置される。 （もっと読む）

【課題】従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることのできる原子層成長装置を提供する。
【解決手段】原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。リアクタ容器１４には、筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けするための仕切板１５ｃが設けられ、２層構造となっている。原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器の一方の端の側に設けられ、リアクタ容器の一方の端から他方の端に向けて筒形状の長手方向に沿って、原料ガスを第１層の空間内に流す。ガス排気部は、リアクタ容器の他方の端で原料ガスの流れを折り返して第２の層の空間中を筒形状の長手方向に沿って一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成し、且つ、プラズマの密度分布をより均一にすることができると共に、パーティクルの発生や高周波アンテナの導体のスパッタリングによる基体の汚染を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、高周波放電による誘導結合方式のプラズマ処理装置において、真空容器１１と、前記真空容器１１の壁の内面１１１Ｂと外面１１１Ａの間に設けられたアンテナ配置部１２と、前記アンテナ配置部１２に配置された周回しないで終端する１個の高周波アンテナと、前記アンテナ配置部１２と前記真空容器の内部１１２を仕切る誘電体製の仕切材１５とを備え、前記高周波アンテナ１３の長さが、当該高周波の1/4波長の長さよりも短いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性や耐化学特性などの機能に優れた被膜を、安価に大面積の基材に対して形成可能であり、とくに凹凸のある立体形状の基材に対しても適用可能な被膜形成方法および装置を提供する。
【解決手段】噴出口から基材に向けて噴出させた不活性ガスに、高周波電圧を常圧下で印加して、不活性ガスをプラズマ化させることにより発生させたプラズマ化不活性ガスに対し、プラズマ化不活性ガスの噴射方向と交差する方向に反応ガスを供給して該反応ガスとプラズマ化不活性ガスを合流させることにより、反応ガスの少なくとも一部がプラズマ化されてなるプラズマ化反応ガスを発生させ、該プラズマ化反応ガスを、プラズマ化不活性ガスとともに基材に向けて吹き付けることにより、基材表面に、非晶質素材からなる被膜を形成することを特徴とする基材の被膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】結晶の質と堆積プロセスの効率とを向上させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、プロセスチャンバー（１）の床を形成し、少なくとも１つの基板（５）が置かれるサセプタ（２）と、プロセスチャンバー（１）の天井を形成するカバープレート（３）と、プロセスチャンバー（１）の中にプロセスガスおよびキャリアガスを導入するためのガス注入エレメント（４）とを備える。サセプタ（２）の下には多数の加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）が互いに隣り合って配置され、プロセスチャンバー（１）に面するサセプタ（２）の表面とプロセスチャンバー（１）の中にあるガスとを加熱する。カバープレート（３）の上の熱消散エレメント（８）は、サセプタ（２）からカバープレート（３）に移る熱を消散させる。高い熱伝達能力を持つ熱伝達結合ゾーン（Ｚ１−Ｚ８）は高い熱出力
【数１３】


を持つ加熱ゾーン（Ｈ１−Ｈ８）の位置に対応する。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着プロセスの装置に関する。一の実施例では、蒸着用反応装置蓋アセンブリが提供されており、これは、第１のシャワーヘッドアセンブリとアイソレータアセンブリとが蓋サポートの上に隣り合って配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリと排気アセンブリとが、蓋サポートの上に隣り合って配置されており、アイソレータアセンブリが、第１及び第２のシャワーヘッドアセンブリの間に配置されており、第２のシャワーヘッドアセンブリがアイソレータアセンブリと排気アセンブリとの間に配置されている。 （もっと読む）