成膜装置は、２２０ｃｍ²以上の面積を有する下地（１）上にＣＶＤによって透明導電膜を堆積するための成膜室（３）と、有機金属蒸気を含む第１のガスを輸送する第１のガス管と、酸化剤蒸気を含む第２のガスを輸送する第２のガス管と、第１と第２のガス管を結合させて第１と第２のガスを混合するためのガス混合空間（１２）と、そのガス混合空間おいて混合された反応ガスを成膜室内へ導入するガス導入手段（１０）と、成膜室から排ガスを排出するための排気装置（６）とを含む。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料の選択的体積のための方法を含む。基板が反応室内に置かれる。基板は第１の面と第２の面とを有する。第１の面と第２の面は半導体材料先駆物質に対して露出されるが、それは、先駆物質からの半導体材料の成長が成長段階の前に誘導期を有し、且つ、成長段階の開始が第１の面におけるよりも第２の面における方が長い時間を要するという条件の下で行われる。第１の面と第２の面の露出は、成長段階が第１の面で生じるのには十分であるが成長段階が第２の面で生じるに足るほどには長くない時間にわたって行われる。
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本発明は、
−ケイ素イオンまたはゲルマニウムイオンのビームを使用して、基材を照射することによる核生成サイト（４）の形成と、
−形成された核生成サイト上でのナノストラクチャー（８）の成長
とを含むナノストラクチャーの形成方法に関する。
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【課題】 基板上に構造体をパターン加工するための装置及び方法を提供すること。
【解決手段】 走査先端部を有するイメージング装置と、発光装置と、走査先端部の周りにあって、分解されたときに基板上での化学気相堆積法に適したものとなる材料の蒸気を有する空間とを含む、基板上に構造体をパターン加工するための装置であり、この発光装置は、蒸気を分解できない強度を有する光ビームを、走査先端部付近の光ビームが引き起こす電磁場が蒸気を分解するのに十分な程強くなるように、走査先端部上に射出するように適合される。 （もっと読む）

エッチング剤又はアッシング処理を受けた有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の表面に疎水性を回復するための方法。これらの膜は、これらの膜の低く安定な誘電特性を確保するために集積回路の製造で絶縁材料として使用されている。該方法は、これらの膜に応力誘起ボイドが形成されるのを防止する。有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜は、ビア及びトレンチを形成するためにエッチング剤又はアッシング試薬による処理を受けてパターン化されるが、その処理が以前に存在していた炭素含有部分の少なくとも一部を除去するようなものであるため、前記有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性が削減される。ビア及びトレンチはその後金属で充填され、アニール処理を受ける。膜がエッチング剤又はアッシング試薬に当てられた後、アニール処理にかけられる前に、膜を強化剤組成物と接触させ、炭素含有部分の一部を回復し、有機ケイ酸塩ガラス誘電体膜の疎水性を増大させる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラズマ・チャンバから構成された直線プラズマ放電開口部（９，２７，２８，３０）及びこの直線プラズマ放電開口部の領域内に多重極磁場装置を有するＥＣＲプラズマ源に関する。少なくとも２つの個々の分波器（３，４）が、中心にある分波器として存在する。これらの分波器（３，４）はそれぞれ、部分プラズマ・チャンバ（１，２，２１，２２，３２，２３）内に配置されている。直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）及び多重極磁場装置（１０，１１，３８，３９）が、各部分プラズマ・チャンバ（１，２，２１，２２，３２，２３）に沿って存在する。少なくとも２つの直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）が、ＥＣＲプラズマ源の少なくとも１つのプラズマ放電開口部（９，２７，２８，３０）を形成するように、これらの直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）は、向き合って配置されている。
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エピタキシャル層を基板（３）上に成長させるための回転ディスク式反応器（１）において、ディスクの回転軸から異なる半径方向距離にある基板に向かうガスが、実質的に同一の速度を有する。軸から離れたディスクの部分（１０ａ）に向かうガスは、軸に近いディスクの部分（１０ｄ）に向かうガスよりも、高濃度の反応ガス（４）を含むとよく、これによって、軸（１４）から異なる距離にある基板表面の部分は、単位面積当りにつき、実質的に同一量の反応ガス（４）を受ける。所望の流れパターンが反応器内において達成され、基板へのエピタキシャル層の均一な堆積と成長を可能にする。

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流動性絶縁材料から残留炭素堆積物を除去する方法。流動性絶縁材料はケイ素、炭素および水素を含むもので、流動性酸化物材料またはスピンオン流動性酸化物材料である。残留炭素堆積物は、流動性絶縁材料をオゾンに曝露することによってその流動性絶縁材料から除去される。流動性絶縁材料は、半導体基板上に配置されたトレンチの中に絶縁層を形成するために使用される。 （もっと読む）

ケイ素クラスターを気相中で分裂させる、炭化ケイ素層の形成方法。ケイ素クラスターは、ＶＩＩ族含有成分等のケイ素エッチングガスにより分裂させることができる。本発明の方法により形成した層を有する半導体デバイスも開示される。
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