【課題】ＨＦ系溶液に対するエッチングレートが小さいシリコン窒化膜を、成膜温度を上げることなく形成する基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室内に収容された基板上に薄膜を形成する基板処理方法であって、Ｃｌ元素を含有する第１の処理ガスを処理室内に供給する第１の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第１の処理ガスを排出させる第２の工程と、第２の処理ガスを処理室内に供給して基板上に薄膜を生成する第３の工程と、不活性ガスを処理室内に供給して処理室内から第２の処理ガスを排出させる第４の工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数繰り返し、第２の工程では、処理室内から第１の処理ガスを排出させた後も不活性ガスを処理室内に引き続き供給する。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板形成用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。III族窒化物半導体基板形成用基板１は、III族窒化物半導体膜１３上に、III族窒化物半導体層を成長させ、下地基板１１を除去し、III族窒化物半導体基板を得るために使用されるものである。 （もっと読む）

単結晶ＳｉＣ基板上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させるための方法が記載される。この方法は、チャンバ内において単結晶ＳｉＣ基板を少なくとも１４００℃の第１温度まで加熱する工程と、キャリアガス、シリコン含有ガス、及び、炭素含有ガスをチャンバに取り入れる工程と、及び、ＳｉＣ基板の表面上のＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる工程とを備える。ＳｉＣ基板は少なくとも３０℃／分の速度で第１温度まで加熱される。ＳｉＣ基板の表面は、基板材料の底面に対して１°から３°の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基底面転位などの欠陥が著しく低減された炭化珪素結晶からなる半導体基板を製造することが可能な、半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、炭化珪素単結晶基板を用い、上記炭化珪素単結晶基板の表面を水素エッチング処理する第１水素エッチング工程と、上記炭化珪素単結晶基板の上記第１水素エッチング工程において水素エッチング処理された表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、上記バッファ層の表面を水素エッチング処理する第２水素エッチング工程と、上記水素エッチング処理されたバッファ層の表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなる仕上層を形成する仕上層形成工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱により加熱対象物を加熱する加熱装置において、加熱対象物の温度分布を制御すること。
【解決手段】加熱対象物をその内部に収容する処理容器と、処理容器を囲むように設けられたコイルと、前記コイルに高周波を供給し、加熱対象物の周囲に誘導磁界を形成して、電磁誘導により加熱対象物を誘導加熱するための高周波電源と、コイルにより形成される前記誘導磁界中に設けられ、その周囲の誘導磁界を緩和して加熱対象物の温度分布を制御するための導体により構成される温度分布制御部材と、を備えるように加熱装置を構成する。例えば前記温度分布制御部材を、コイルに対して任意の位置に移動することができるように構成し、処理条件に応じてその位置を調整することで容易に温度制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】触媒反応に伴う化学エネルギーを利用することによって使用電力量を低減でき、酸化亜鉛等の金属酸化物の薄膜、窒化ガリウムや窒化アルミニウム等の金属窒化物の薄膜、および珪素窒化物の薄膜などを、低コストで効率良く基板に堆積させる堆積装置および堆積方法を提供する。
【解決手段】第１の原料ガスを導入する導入部と、前記導入部から導入された前記第１の原料ガスから反応性ガスを生成する触媒を収容する触媒容器と、前記触媒容器から前記反応性ガスを噴出する反応性ガス噴出部であって、前記反応性ガスの噴出方向に沿って内径が小さくなる縮径部と、前記噴出方向に沿って内径が大きくなる拡径部と、を含む当該反応性ガス噴出部とを含む触媒反応装置；基板を支持する基板支持部；および、前記反応性ガス噴出部から噴出される前記反応性ガスと反応して前記基板に膜を堆積させる第２の原料ガスを供給する供給部；を備える堆積装置。 （もっと読む）

【課題】簡易に生産性の向上が図れる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板４が周方向に沿って設置される円盤状のディスク１と、ディスク１をその中心軸回りに水平に回転させる回転機構（回転軸）２と、ディスク１に基板４を設置するためのホルダ５と、ディスク１に対向して配置され、ディスク１との間にガス流路１１を形成する対向板６と、複数の基板４を加熱するヒーター３とを備え、ホルダ５のガス流路１１に面した成長面５ａと基板４のガス流路１１に面した成長面４ａとが同一平面上に位置するように、ホルダ５と基板４が配置され、且つディスク１のガス流路１１に面した成長面１ａよりもホルダ５の成長面５ａが対向板６側に突出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】特性の向上を図ることが可能な基板、エピタキシャル層付基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、{０００１}面の＜１−１００＞方向におけるオフ角度θが０°超え８°以下の六方晶系ＳｉＣ基板としての基板２と、基板２の表面に形成されたＳｉＣエピタキシャル成長層としての耐圧保持層２２およびｐ領域２３と、耐圧保持層２２およびｐ領域２３の表面に形成された絶縁膜としての酸化膜２６と、酸化膜２６の下の領域（ｐ領域２３の上層）と酸化膜２６との界面（ＭＯＳ界面）に流れる電子を供給するため、上記領域と隣接する位置に形成された導電領域としてのｎ^＋領域２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】80torr程度を超えるような高圧下におけるプラズマＣＶＤ法による単結晶ダイヤモンドの製造においても、基板温度の上昇を抑制して、良質な単結晶ダイヤモンドを速い成長速度で合成することを可能とする。
【解決手段】合成室内の圧力を80torr以上とするプラズマCVD法による単結晶ダイヤモン
ドの製造方法において、ヘリウムガスを添加した原料ガスを用いることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】反応室内部の温度をその場で測定して精度良く反応室内の堆積物量を推定し得る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】サセプタ２および断熱材３を備えた反応室内の温度を監視して反応室内部の堆積・付着による堆積物量を推定する薄膜形成の装置洗浄システムにおいて、装置内加熱装置５の出力値測定用の熱電対温度計６の測定値と、反応室内の雰囲気温度測定手段用放射温度計７の測定値との相関を用いて堆積物量を推定する薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物単結晶の自立基板を製造する方法を提供することである。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に、フラックス法で育成されたＩＩＩ族窒化物単結晶６よりも硬度の低い中間層３を気相成長法で形成する。中間層３上に、ＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜５を気相成長法によって形成する。ＩＩＩ族窒化物単結晶６を種結晶膜５上にフラックス法によって育成する。ＩＩＩ族窒化物単結晶６を基板１から剥離させることによって自立基板を得る。 （もっと読む）

【課題】垂直方向への貫通転位が抑制されて、結晶品質が優れたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＩＩＩ族窒化物層２上にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）なる組成のＥＬＯ成長層４が形成されてなり、ＥＬＯ（Epitaxial Lateral Overgrowth）成長層４は、ＩＩＩ族窒化物層２上に形成された炭素からなるマスクパターン３を用いて形成されたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板１０。 （もっと読む）

【課題】 ＨＣｌガスの流量を増やしても、Ｇａ融液との反応時間を長くしてＧａＣｌガスの流量を増加させることができる窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置は、窒化ガリウム系化合物半導体層を基板８の表面に成長させるための気相成長室７と、複数のＧａ融液槽６を有するＧａ融液貯留装置１６と、複数のＧａ融液槽６の内部雰囲気空間をＨＣｌガスが順次流通するようにＨＣｌガスを供給するＨＣｌガス供給管１と、Ｇａ融液５とＨＣｌガスとの反応により生じたＧａＣｌガスを気相成長室７内に供給するＧａＣｌガス供給管４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ドロップレットの発生を避けて、長波長の光を発生できる窒化物系半導体発光素子のためのエピタキシャルウエハを作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子のためのエピタキシャルウエハを作製する方法では、Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ（０＜Ｘ１≦１）からなる表面を有する基板１１上に、第１の温度Ｔ１でＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ（０≦Ｘ２≦１）層１９が成長される。Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層１９上にＧａＮ層２３が第２の温度Ｔ１で成長される。Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層１０は基板１１の表面を覆っている。Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ（０≦Ｘ２≦１）層１９の成長温度（Ｔ１）はＧａＮ層２３の成長温度（Ｔ２）よりも低い。基板１１は、ＩｎＧａＮテンプレートまたはＩｎＧａＮバルク基板であることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０の上に第１バッファー層３０を形成する第１バッファー層形成工程と、前記第１バッファー層３０の上に、複数の開口を有するマスク４０を形成するマスク形成工程と、前記第１バッファー層３０の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層６０a、６０bを形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層６０a、６０bの上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの混入を抑制した高品質なＳｉＣ単結晶薄膜を安定して製造することができる気相成長装置および単結晶薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ガス供給口１とガス排気口２を有する反応容器内に、ウエハ搭載部を有するサセプタ３と、カバープレート８を固定保持するための支持部６と、を備えた気相成長装置を用い、前記ウエハ搭載部に単結晶ウエハ７を搭載し、前記支持部６により前記単結晶ウエハ７と前記サセプタ３に対向した壁面との間にカバープレート８を固定支持して、前記単結晶ウエハ７表面に単結晶薄膜をエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】大口径にすることも可能な単結晶を基板として使用する、ＧａＮ層を含む積層基板及びその製造方法並びに基板を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】（１１１）シリコン基板３上に化学気相堆積法によりゲルマニウム層７をヘテロエピタキシャル成長させるゲルマニウム成長工程、得られたシリコン基板３上のゲルマニウム層７を７００〜９００℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程、及び、引き続いてゲルマニウム層７上にＧａＮ層９をヘテロエピタキシャル成長させるＧａＮ成長工程、を含むＧａＮ層含有積層基板１の製造方法、及びこの製造方法により得られるＧａＮ層含有積層基板１、並びに基板１を用いて製造されたデバイス。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶ウェハを高温で加熱処理した後にウェハ裏面の表面粗さが悪化することを効果的に抑制することができるウェハ保持方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素ウェハ１１をウェハ保持具に保持して加熱するに当たり、ウェハ保持具２１のウェハ保持面２１ａと炭化ケイ素ウェハ１１の裏面との隙間形成を防止する手段を用いること。 （もっと読む）

【課題】常温で固体の有機金属化合物をキャリアガスに随伴させて供給する供給装置において、有機金属化合物を長時間にわたって安定して供給する。
【解決手段】 供給装置は、カラム型の２つの容器１ａ、１ｂと、容器１ａ、１ｂの内部をその下端で連絡する連通管５とを有する。容器１ａの上部にはガス導入管２が設けられており、容器１ｂの上部にはガス導出管３が設けられている。容器１ａの内部には、有機金属化合物１０、およびガス導入管２から導入されたキャリアガスを分散させる分散材１１が、容器１ａの底部からこの順番に充填されている。もう一方の容器１ｂには、有機金属化合物１０が充填されている。 （もっと読む）

【課題】排気手段内の汚染物質が処理室内へ逆拡散（逆流）することを抑制する基板処理装置を提供する。
【解決手段】減圧下で基板を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に所望のガスを供給するガス供給手段２３２と、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気手段２３１と、ガス供給手段２３２に設けられる第１のバルブ１７７等と、排気手段に設けられる第２のバルブ２４２と、処理室２０１内の圧力を検知する圧力検知手段と、第１のバルブ１７７等、第２のバルブ２４２、及び圧力検知手段をそれぞれ制御する制御手段２４０と、を有し、制御手段２４０は、第１のバルブ１７７等を開けて処理室２０１内に不活性ガスを供給しつつ、第２のバルブ２４２を開けて処理室２０１内の雰囲気を排気し、所定時間の経過後に圧力検知手段にて検知した圧力が所定の基準圧力未満であればリーク無と判定し、検知した圧力が所定の基準圧力以上であればリーク有と判定する。 （もっと読む）