【課題】
半導体製造装置に於ける不純物の原子層成長及び原子層ドーピングに関して、原子レベルでの制御性を向上し、又高濃度ドーピングを可能とするものである。
【解決手段】
Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面を有する基板を処理室に搬入する工程と、少なくとも前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面に不純物がドーピングされたエピタキシャル膜を成長させる工程とを有し、該エピタキシャル膜を成長させる工程は、不純物の成長とエピタキシャル膜の成長工程とを交互に所要数繰返す工程を含み、前記ドーピングは、少なくとも所要の不純物を含むドーピングガスとキャリアガスとを前記処理室に供給する工程であり、前記成長工程は少なくとも、シリコンを含むガスを前記処理室に供給する工程である。
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【課題】低い抵抗値であって、かつ、厚さが均一であるバリアメタルが形成された半導体回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体回路装置の製造方法は、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）を原料としてＴｉＮ膜を化学気相蒸着法（ＣＶＤ）にて成膜後、プラズマ処理した第１膜を形成するステップを備えている。更に半導体回路装置の製造方法は、第１膜の上に、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）の流量を毎分２〜５ｍｇとして化学気相蒸着法（ＣＶＤ）にてＴｉＮ膜を成膜して第２膜を形成するステップとを備えている。 （もっと読む）

【目的】ＳｉＣ基板を大面積化しても、ＳｉＣ基板上に形成されるエピタキシャルＳｉＣ膜のドーピング濃度分布を均一化することができるエピタキシャルＳｉＣ成膜装置を提供すること。
【構成】両端に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管内に断熱材を介して第一ホットウォール２と第二ホットウォール７が中心軸方向に並べて配置され、第一ホットウォール２に設けられる反応室空間内にＳｉＣ結晶基板４を取り付ける支持部材が配置され、該第一ホットウォール２に対向する位置の前記耐熱円筒管の外周に前記第一ホットウォール２を誘導加熱する装置が設けられ、前記第二ホットウォール７は、内部に前記耐熱円筒管の軸に平行な方向に設けられるガス流路であって、一端が反応ガス流入口に接続されて流入する反応ガスを整流し、他端は前記第一ホットウォール２内の前記反応室空間に通じるガス流路を備えるエピタキシャルＳｉＣ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド等の単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する単結晶基板を簡単かつ大量に製造することが可能な方法を提供する。
【解決手段】気相合成法によるエピタキシャル成長が可能な材料であって、その表面が、エピタキシャル成長が可能な結晶面に対してオフ角を有する材料を基板として用い、基板のオフ角を有する表面にイオン注入を行って、基板の表面近傍に結晶構造の変質した層を形成し、気相合成法によって基板のオフ角を有する表面上に結晶成長を行い、次いで、成長した結晶層と基板とを分離させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の基板に含まれる転位が、基板上の成長層へ伝播することを抑えることができ、また成長層での新たな転位の発生を抑制することができる単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の表面にアルカリエッチングによってエッチピットを形成する工程と、前記エッチピットを形成した表面に、熱酸化処理により酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に保護膜を形成する工程と、前記エッチピット外部の保護膜及び酸化膜を除去する工程と、前記保護膜を形成した面に、単結晶を成長させる工程と、を有する単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

本出願は、成長の媒体としての希ガスの存在下でMOVPEによって基板上に窒化インジウムを成長させるための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜質の均一性が高く、成膜速度も速い、特にＣＶＤ法による半導体薄膜の製造方法と装置を提供すること。
【解決手段】反応炉のチャネルおよびこのチャネルに配置した基板を加熱しながら、チャネルの入り口から反応ガスをキャリアガスとともにチャネル内に導入し，基板上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜の製造方法において、反応ガス、または反応ガスとキャリアガスの各一部を、チャネルの入り口から分岐した補助ガス流路に案内し、前記基板の上方部からチャネル内に導入する方法、かつこの方法を実施するよう構成した装置。 （もっと読む）

【課題】安価で、耐腐食性で、導電性の、親水性コーティングを有する燃料電池構成部品を提供する。
【解決手段】周期表のＩＶｂ及びＶｂ族の元素の二成分又は三成分の窒化物又はオキシナイトライドを含むコーティング２０を基板１２の上に有する燃料電池構成部品１０。コーティング２０には、ＴｉＺｒＮ、ＮｂＴｉＮ、ＴａＺｒＮ、及び、ＮｂＴｉＯ_xＮ_y、ＴｉＺｒＯ_xＮ_y、及びＴａＺｒＯ_xＮ_y（０．００１≦ｘ≦１、０．１≦ｙ≦２）を含むオキシナイトライドが含まれる。燃料電池構成部品１０は、双極板であってもよく、複数のランド１６及びチャネル１４により画定されたガス流動場が型押しされていてもよい。基板１２は、ステンレス鋼のような金属であってもよい。 （もっと読む）

【課題】ポリタイプの単一性に優れ、高い結晶品質を得ることができる半導体を容易に作成する。
【解決手段】 平滑面１０ａを研磨してスクラッチ傷を形成することにより、平滑面１０ａに多数の線状の凹部１０ｂ，１０ｂ，１０ｂ・・・を設ける。その後に近接昇華法により、ステップフロー成長を行う。凹部１０ｂ，１０ｂ，１０ｂ・・・の壁面が平滑面１０ａに対して切り立った角度で露出しているため、当該壁面を起点として原子を平滑面１０ａに沿った方向に吸着させることができる。すなわち、確実にステップフロー成長を行わせることができる。 （もっと読む）

基体からの酸化物の取り除きについての方法は、提供される。当該方法は、基体がそれに形成された酸化物層を有するプロセス・チャンバーにおいて基体を提供すること、及び、順次の酸化物の取り除きのプロセスを行うこと、を含む。順次の酸化物の取り除きのプロセスは、基体から酸化物層を部分的に取り除くためにＦ_２を含有する第一のエッチング・ガスの流動に対して第一の基体温度で基体を露出させること、第一の基体温度から第二の基体温度まで基体の温度を上昇させること、及び、基体から酸化物層をさらに取り除くためにＨ_２を含有する第二のエッチング・ガスの流動に対して第二の温度で基体を露出させることを含む。一つの実施形態において、フィルムは、順次の酸化物の取り除きのプロセスの後に続くことで、基体に形成されることがある。

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【課題】 本発明の課題は、供給装置に依存せず、長期間一定の濃度で安定して有機金属化合物を供給することが可能な気相成長用担体担持有機金属化合物及びその製法、並びに当該化合物を充填した気相成長用有機金属化合物充填装置を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、常温で固体の気相成長用有機金属化合物に対して不活性な担体に該有機金属化合物を担持させた後に破砕した気相成長用担体担持有機金属化合物であって、粒径0.84mm未満の担体担持有機金属化合物を含まないことを特徴とする、気相成長用担体担持有機金属化合物によって解決される。 （もっと読む）

【課題】ＡｌやＢ等の単原子状態で存在していられる寿命が短い活性の高い材料を用いて成膜を行う場合にも、均質で結晶品質が良好な膜を成膜することを可能とする。
【解決手段】基板２００上に１種又は複数種の成膜原料Ｇを気相で供給し、成膜原料Ｇの少なくとも一部を分解させて、基板２００上に成膜原料Ｇの構成元素を含む膜を気相成長させるに際して、基板２００の直上を基板面に対して略水平方向にレーザ光Ｌが通るように、基板２００に対して少なくとも一方向からレーザ光Ｌを照射しながら、成膜原料Ｇの供給を実施する。 （もっと読む）

【課題】 公転サセプタ内に配置できる自転サセプタの個数を増加する。
【解決手段】 反応容器２内に回転自在に配置され、反応容器２内にエピタキシャル成長室を区画する公転サセプタ４と、前記公転サセプタ４内の外周部に円周方向に沿って間隔を隔てて設けられた複数の開口部と、各開口部９に回転自在に嵌合され、基板１１と、ヒータの加熱により当該基板を均一に加熱する均熱板１５とを収容する筒状の自転サセプタ１０と、前記自転サセプタ１０の外周部に設けられたフランジ１２と、前記フランジ１２を前記公転サセプタ４に回転自在に支持する軸受１３と、前記均熱板１５の外周部に設けられ、前記軸受１３の上方に配置される外歯車部１７と、前記反応容器２内面に設けられ前記外歯車部１７と噛み合う内歯車部１８と、前記公転サセプタを回転させる回転駆動装置と、を備え、前記外歯車部１７と前記内歯車部１８との噛み合わせ部２３を前記反応容器２の内面側に近接させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体デバイスにおいて、マイクロパイプだけでなく残留ひずみや、残留ひずみに起因する基底面内転位の積層欠陥への拡張も低減し、通電中における素子の劣化を抑制すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣエピタキシャル成長層２の成長工程が、積層に伴ってマイクロパイプが閉塞される第１のエピタキシャル成長層２ａを成長する閉塞層成長工程と、第１のエピタキシャル成長層２ａ上に積層してもマイクロパイプが維持される第２のエピタキシャル成長層２ｂを成長する非閉塞層成長工程とを少なくとも一つのマイクロパイプが閉塞し切らない間にそれぞれ１回又は複数回有している。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶基板１の表面近傍又はＳｉＣエピタキシャル成長層２の中間領域に、ブリスタリングが生じない条件で水素又は希ガス元素のイオン注入を行う工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、マイクロパイプだけでなく基底面内転位及び積層欠陥も低減すること。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板１上に、ＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣエピタキシャル成長層２の成長工程が、積層に伴ってマイクロパイプが閉塞される第１のエピタキシャル成長層２ａを成長する閉塞層成長工程と、第１のエピタキシャル成長層２ａの途中に不純物濃度が３×１０^１９ｃｍ^−３以上の第２のエピタキシャル成長層２ｂを少なくとも一層成長する歪み層成長工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】均熱部材および被処理基板に位置ずれが生じても、被処理基板の温度分布を均一にすることのできる気相成長装置を実現する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバ１内に、成膜処理を施す被処理基板１１と、被処理基板１１を加熱するための基板加熱ヒータ１２と、被処理基板１１と基板加熱ヒータ１２との間に配置され、被処理基板１１表面の温度を均一にするための均熱部材９と、被処理基板１１の成膜面を鉛直下向きに被処理基板１１を保持するとともに、均熱部材９と被処理基板１１との間に隙間２５が形成されるように均熱部材９を保持する基板保持部１２とを備え、均熱部材９と基板保持部１２とが、環状部材であるリング状突起４３を介して互いに接しており、リング状突起４３の内側に、被処理基板１１が配置されるようになっている。 （もっと読む）

実施形態は、サセプタ及びこれを備える半導体製造装置を提供する。実施形態に係るサセプタは、ウェハがローディングされ、底面が傾いたポケットを一つ以上含む。実施形態に係る半導体製造装置は、反応チェンバと、反応チェンバ内で熱を発生する加熱手段と、ウェハがローディングされ、少なくとも一つは底面が傾いたポケットを一つ以上含むサセプタと、前記サセプタに軸結合される回転軸と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶速度やドーピング濃度を直径方向のどの位置においても略一定にすることができる半導体結晶の成長方法およびそのための製造装置を提供する。
【解決手段】限定された空間Ｓ内に、誘導加熱手段５４の熱影響力の強い部分と弱い部分、あるいは反応ガスの流れの強い部分と弱い部分を、限定された空間Ｓの中心部からずれるように偏在的に設けるとともに、これらの環境下に基板を周回移動させることにより、基板における結晶の成長速度とドーピング濃度を全体として平均化させるようにしたもので、具体的には、ガスの導入口７２ａを壁の側面に近接させた位置に配置し、ガスの排出口７２ｄをこれとは反対側の壁の近傍に配置する。あるいは、誘導加熱手段５４の中心をサセプタの中心および輻射部材５６の中心に対してずらした位置に設置した装置により成膜する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の温度分布を均一にするとともに、被処理基板の割れを防ぐことのできる気相成長装置を実現する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバ１内に、成膜処理を施す被処理基板１１と、被処理基板１１を加熱するための基板加熱ヒータ１２と、被処理基板１１と基板加熱ヒータ１２との間に配置され、被処理基板１１表面の温度を均一にするための均熱部材９と、被処理基板１１の成膜面を鉛直下向きに保持するとともに、均熱部材９を保持する基板保持部１２とを備え、被処理基板１１と均熱部材９との間には隙間２５が形成されており、基板保持部１２は、基板保持部１２における均熱部材９を保持する均熱部材保持面４１に、均熱部材９のない露出部４０を有している。 （もっと読む）