【課題】被搬送物を搬送先にまで高精度に搬送することができる搬送装置および搬送方法を提供する。
【解決手段】基板トレイ搬送装置は、基板３を載せた基板トレイ１７を搬送アーム２６によって把持し、載置台５まで搬送する。搬送アーム２６の先端部には、反射型光ファイバーセンサー２５を有している。搬送アーム２６は縁に到達する直前に減速する。その際、センサー２５は載置台５の縁を検出する。搬送アーム２６が減速しているので、センサー２５による縁位置の検出は安定化する。制御装置３７は、センサー２５による縁位置の検出結果に基づき、載置台５の縁から載置台５の中心までの距離と、基板トレイ１７からセンサー２５までの距離とを加えた距離だけ、載置台５の縁から搬送アーム２６を移動させるように、第一の移動機構２８を制御する。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置において、基板面内の温度差を低減する。
【解決手段】シャフト８には突起部であるガイド板１４を設け、ガイド板１４に電磁波が照射される位置にヒーター７を配置する。ガイド板１４がヒーター７からの電磁波によって加熱される。ガイド板１４はシャフト８に取付けられているので、ガイド板１４からシャフト８に熱が移動しシャフト８は高温となる。シャフト８が高温となるので、サセプター６からシャフト８に移動する熱が少なくなり、サセプター６のシャフト８との取付部の温度が低下することが無く、サセプターの温度が均一となる。 （もっと読む）

【課題】純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する
【解決手段】サセプタ１は、ウェハ載置部１１及び固定突起１３により構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、平面状に構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、ＳｉＣウェハを載置するための載置面Ｐ１として機能する。固定突起１３は、各ＳｉＣウェハの外周面ＳＰ１〜３に沿うように３カ所に配置されている。これにより、サセプタ１では、従来のサセプタのようなザグリを設けなくとも、固定突起１３によって各ＳｉＣウェハを所定の位置に固定できる。従って、ザグリとＳｉＣウェハとの間に隙間が形成され、当該隙間によって原料ガスの流れが乱されるということがなくなる。よって、不純物濃度が均一な炭化珪素膜をＳｉＣウェハ上に形成できる。 （もっと読む）

【課題】
従来技術に開示された構成による装置では、シャワーヘッドに設けられた複数のガス吐出孔の配置がガス供給管の配置と一致しており、冷却流路の確保等によるガス供給管の配置制限により、ガス吐出孔の配置も制限され、成膜する基板上での膜均一性を考慮した任意の位置にガス吐出孔を配置できない。
【解決手段】
本発明の気相成長装置は、上記課題を解決するために、シャワーヘッドとシャワープレートとの接面の間に空間を設けることにより、ガス吐出孔を通過したガスが空間を通り、ガス吐出孔とずれた位置に設けられたプレート孔から吐出することを特徴としている。それにより、シャワーヘッドのガス吐出孔位置に制限されること無く、ガスを吐出するプレート孔を設けることができ、供給される反応ガス流のばらつきを抑制し、被処理基板上での膜均一性を確保し得る気相成長装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】内周側仕切板（基板対向面部）の取り外しを容易にすると共に基板取り出しの効率化を図り、作業性に優れた気相成長装置の提供。
【解決手段】気相成長装置１は、チャンバー本体３と、チャンバー本体３に設けられてチャンバー本体３を開閉するチャンバー蓋５と、チャンバー本体３内に設置されて基板９が載置されるサセプタ１１と、サセプタ１１に対向配置される対向面部材１３とを備え、対向面部材１３をサセプタ１１に載置された基板９に対向配置される基板対向面部３７と、基板対向面部３７の周縁部を支持する基板対向面部支持部３９を備えて構成すると共に、対向面部材１３に設けられて該対向面部材１３をチャンバー本体３側に載置する脚部３１と、チャンバー蓋５に設けられて対向面部材１３に対して係脱自在でかつ対向面部材１３を保持できる係合保持機構１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】異種基板上へＺｎＯ系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】異種基板４０上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層４２を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化ＩＩ族金属と酸素原料を用いて、ＺｎＯ系半導体層４４，４６を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハの生産性の向上が図れる半導体気相成長装置を提供する。
【解決手段】円板形状のサセプタ５０１と、サセプタ５０１の同心円周上に複数配置され、それぞれ回転自在に設けられ、基板Ｗを保持するリング形状の基板トレイ５０２と、サセプタ５０１を、該サセプタ５０１の中心軸５０１ｒの周りに回転させることにより基板トレイ５０２を公転させるサセプタ駆動部５０４Ａと、サセプタ５０１の回転駆動に伴って基板トレイ５０２を自転させる基板トレイ駆動部５０６Ａと、基板トレイ５０２を回転自在に支持する回転支持部材（回転治具）５０７と、を有し、回転支持部材５０７は、各基板トレイ５０２の外周部の複数箇所に独立に配置され、サセプタ５０１にそれぞれ回転自在に設けられている。 （もっと読む）

少なくとも１つの試料を支えるためのプロセスチューブであって、炭化ケイ素で構成され、シリコンを含浸され、炭化ケイ素で被覆されたプロセスチューブと、プロセスチューブを高真空へと真空排気するポンピングシステムと、１つ以上のプロセスガスを、真空排気されたプロセスチューブへと導入するための１つ以上のガス入口と、プロセスチューブを加熱し、それにより、プロセスチューブ内の１つ以上のプロセスガスと少なくとも１つの試料とを加熱してプロセスチューブ内で少なくとも１つの試料上に化学気相成長により材料を堆積させるヒータと、を備える化学気相成長システム。
（もっと読む）

【課題】選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長
させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱した状態で前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第１の処理ガスとエッチング系の第２の処理ガスとを共に供給する第１のガス供給工程と、
前記処理室内に、前記第２の処理ガスよりエッチング力の強いエッチング系の第３の処
理ガスを供給する第２のガス供給工程と、
を少なくとも含み、前記第１のガス供給工程と前記第２のガス供給工程とを少なくとも１回以上実施し、前記基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部のハードウェアに対してダメージを生じさせないインシチュウ・クリーニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】電子デバイス製作に用いられる堆積チャンバー１０のクリーニング方法は、以下のステップを含む：堆積チャンバーの外部にある遠隔チャンバー４６に、前駆体ガス４４を供給する；遠隔チャンバー４６内で該前駆体ガス４４を活性化させて反応性の化学種を形成する；遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ該反応性の化学種を流す；および、遠隔チャンバー４６から堆積チャンバー１０へ流れ込んだ反応性の化学種を用いて、堆積チャンバー１０の内部をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の表面粗さＲｍｓは２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコン層又はシリコン基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を、少ない工程で低コストに形成することが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハ１１の一面１１ａに対して、ウエットエッチング法によって異方性エッチングを行う。シリコンウエーハ１１の一面１１ａに対して、異方性エッチングを行うと、シリコンウエーハ１１の一面１１ａに微細な凹凸１２が形成される。この微細な凹凸１２は、例えば（１１１）面からなる傾斜面１２ａ，１２ｂで構成された溝１４が、周期的に多数形成されたものであればよい。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ層１２は、シリコン基板１１の格子定数と、エピタキシャル層１３の格子定数との間の格子定数をもつ、第３族元素と第５族元素との化合物が選択されればよい。例えば、エピタキシャル層１３が上述した３Ｃ−ＳｉＣから形成される場合、シリコン基板１１の格子定数０．５４３ｎｍと、エピタキシャル層１３の格子定数０．４３５ｎｍとの間の、０．４６９ｎｍの格子定数をもつ砒化ホウ素が好ましく選択される。 （もっと読む）

【課題】低価格で低抵抗な炭化珪素半導体基板とその製造方法を提供すること。
【解決手段】０．０５μｍから２．００μｍの範囲の厚さを有する炭化珪素半導体基板の薄層１ｃと、該薄層１ｃの一方の主面に堆積される半導体機能領域形成用炭化珪素半導体層７と、前記薄層１ｃの他方の主面に堆積され支持基板となるグラファイト層４と該グラファイト層４の表面にコーティングされる炭化珪素組成薄膜５ａとを備える炭化珪素半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドのガス吐出孔の塞がりを防止することにより、供給される反応ガス流のばらつきの発生を抑制し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０は、複数のガス吐出孔Ｈ３・Ｈ５を配設したシャワーヘッド２０と、シャワープレート３０に対向して設けられ、かつ複数のプレート孔３１を配設したシャワープレート３０とを備え、シャワーヘッド２０からガス吐出孔Ｈ３・Ｈ５及びシャワープレート３０のプレート孔３１を通して反応室１内にガスを供給して被処理基板３に成膜する。シャワーヘッド２０のガス吐出孔Ｈ３・Ｈ５と、シャワーヘッド２０のガス吐出孔Ｈ３・Ｈ５に対向するシャワープレート３０のプレート孔３１におけるヘッド側表面孔３１ａとのいずれか一方が他方よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮ半導体の成長におけるドロップレットの発生が低減される、III族窒化物系発光素子を作製する方法が提供される。
【解決手段】、４９０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピーク波長を有する光を発生する活性層２１を形成する。障壁層２３ａの成長は、時刻ｔ１〜ｔ２において摂氏８８０度の成長温度Ｔ_Ｂで行われる。時刻ｔ２〜ｔ３の間で、長炉１０の基板温度を温度Ｔ_Ｂを温度Ｔ_Ｗに降下する。時刻ｔ３〜ｔ４で原料ガスＧ_Ｗを成長炉１０に供給して、アンドープＩｎ_０．２Ｇａ_０．８Ｎ井戸層２５ａを温度Ｔ_Ｗで障壁層２３ａ上に成長する。成長温度Ｔ_Ｗは摂氏８００度である。原料ガスＧ_Ｗは、III族原料と共に、ＮＨ_３及びモノメチルアミンを含む。モノメチルアミンの流量とアンモニアの流量との流量比（［モノメチルアミン］／［アンモニア］）が１／１００００以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体光素子の作製プロセス中、半導体ウェハにダメージを与えることを抑制可能な半導体光素子の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１１の上に、活性層１７を含む半導体積層１３を成長する第１工程と、第１工程の後に、半導体積層１３の上に、所定の膜応力および所定の厚みを有するシリコン酸化膜２１を形成する第２工程と、第２工程の後に、シリコン酸化膜２１の上に形成したレジスト２３を用いてシリコン酸化膜２１を半導体積層１３の表面が露出するまでエッチングすることにより、シリコン酸化膜２１にストライプ状の溝２５を形成する第３工程と、第３工程の後に、溝２５に、ｐ型クラッド層１９の他の一部１９ｂを成長する第４工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の結晶面方位を規定して表面の微細な凹凸を抑制した炭化珪素基板上のエピタキシャル相に半導体装置を形成することによって、その電気的特性を改善する。
【解決手段】炭化珪素半導体基板上に形成する半導体装置として、基板の（０００−１）面から０°超で以上１°未満傾斜した面上に成長したエピタキシャル層に、Ｐ型あるいはＮ型領域をイオン注入により選択的に形成して製造したダイオード、トランジスターなどとする。 （もっと読む）

【課題】気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶種基板からの気相成長により得られたダイヤモンド単結晶基板であって、励起光の集光スポット径が２μｍの顕微ラマン分光法で、種基板層と気相成長層の界面に顕微焦点を設定して測定したダイヤモンド固有ラマンシフトが、界面の、０％より大きく２５％以下の領域（領域Ｃ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−１．０ｃｍ^−１以上−０．２ｃｍ^−１未満のシフト量であり、界面の領域Ｃ以外の領域（領域Ｄ）では、歪みのないダイヤモンドの標準ラマンシフト量から−０．２ｃｍ^−１以上＋０．２ｃｍ^−１以下のシフト量である。 （もっと読む）

水素ガス及びハロゲン含有ガスを含む混合ガスを使用して、複数の成長段階同士の間にＣＶＤ反応チャンバを洗い流すことによって、エピタキシャル成長工程の間のメモリ効果を低減する方法を提供する。 （もっと読む）