【課題】ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。
【解決手段】基板１０、ダイヤモンド半導体層１１、化合物半導体層１２がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層１１を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層１２を（０００１）面の六方晶化合物半導体、あるいは、（１１１）面の立方晶化合物半導体により構成する。これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。 （もっと読む）

【課題】 極めて低い誘電率を有するホウ素炭素窒素膜を成膜することができる
成膜装置を提供すること。
【解決手段】 成膜室１内にプラズマを生成するプラズマ生成手段２と、窒素、ホウ素および炭素材料を導入する導入手段５，９，１０と、プラズマの下部または内部に基板６１を保持する手段６と、基板保持部を昇温する昇温手段７とを備えることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】必要以上にコストをかけることなく、ウエーハ表面の温度やサセプタの表面の温度をより正確に制御して薄膜を気相成長させることができる気相成長法および気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ６上にウエーハ５を載置し、ウエーハ５上に薄膜を気相成長させる方法であって、少なくとも、回転するサセプタ６上のウエーハ表面の温度およびサセプタ表面の温度を連続的に測定し、測定したウエーハ表面およびサセプタ表面の温度データから、所定の温度変異率を基準にしてウエーハ表面の温度および／またはサセプタ表面の温度を別個に抽出し、抽出したウエーハ表面の温度および／またはサセプタ表面の温度を基に、ウエーハ表面の温度および／またはサセプタ表面の温度を制御して薄膜を気相成長させるウエーハ上への薄膜の気相成長法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、低誘電率ホウ素炭素窒
素薄膜を成膜することができる成膜方法を提供することを日的とすること。
【解決手段】前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズ
マを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素
炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】相変化層の形成方法において、電気化学蒸着法で相変化層を形成することを特徴とし、相変化層を構成する元素をそれぞれ含む前駆体と溶媒とを混合して電解質を形成する第１ステップ、陽極板と相変化層の蒸着される基板が設けられた陰極板とを離隔した状態で電解質に漬ける第２ステップ、相変化層の蒸着条件を設定する第３ステップ、及び陽極板と陰極板との間に電圧を印加する第４ステップを含む相変化層の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 誘導加熱を用いて分解温度の高い成膜ガスを安定に分解し、成膜を行うことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】 内部が減圧空間とされる処理容器と、前記減圧空間に成膜ガスを供給するガス供給手段と、カーボンを主成分とする材料により構成され、前記減圧空間に被処理基板を保持する基板保持部と、前記処理容器の外側に設置される、前記基板保持部を誘導加熱するコイルと、前記基板保持部を覆うと共に、前記処理容器から離間させて設置される断熱材と、を有し、前記減圧空間は、前記成膜ガスが供給される成膜ガス供給空間と、前記基板保持部と前記処理容器との間に画成される断熱空間とに分離され、前記断熱空間に冷却媒体が介在されるように構成されていることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ保持体を支持した筒状支持部材をチャンバーに取り付ける際に、確実に取り付けることができ、高い信頼性を有するウエハ保持体の取り付け構造を提供する。
【解決手段】 ウエハ保持体を支持した筒状支持部材１の下端部を支持し且つその下端部外周の少なくとも一部を覆う筒状部３ａを有する支持部品３と、支持部品３と筒状支持部材１の間に配置され且つ筒状支持部材１の下端部外周に設けたフランジ部１ａの上に取り付けられたリング状固定部材４とを備え、リング状固定部材４の外周に形成した雄ネジを支持部品３の筒状部３ａに形成した雌ネジに螺合すると共に、支持部品３の下端突出部３ｂをチャンバー２に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを均一に加熱することができるだけでなく、ウエハ保持体の破損を防止することができる、信頼性の高いウエハ保持体の支持構造を提供する。
【解決手段】 セラミックス焼結体中または表面に電気回路を埋設したウエハ保持体１を筒状支持部材３で支持する支持構造であって、ウエハ保持体１にネジ山が形成されたフランジ部品２が複数のネジ４で取り付けられており、このフランジ部品２のネジ山に筒状支持部材３に設けたネジ山が螺合されている。フランジ部品２に螺合された筒状支持部材３は、回り止めピン５によって固定されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成や平坦化処理において薄膜の応力を制御できる薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理中の基板の曲率半径を測定しながら薄膜形成や平坦化処理を実施して処理の終点を検出し、薄膜形成や平坦化処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】金属層上に化合物半導体層が成長した半導体基板を簡便かつ安価で製造することができる方法、並びにそれによって製造された化合物半導体基板及び素子を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板の製造方法は、（ａ）複数の球形ボールを用意するステップと、（ｂ）基板上に複数の球形ボールをコーティングするステップと、（ｃ）球形ボールがコーティングされた基板上に球形ボールの直径より小さい厚さの金属層を蒸着するステップと、（ｄ）金属層が蒸着された基板から複数の球形ボールを除去するステップと、（ｅ）複数の球形ボールが除去されて露出した基板の表面から化合物半導体層を成長させるステップと、（ｆ）化合物半導体層を側面方向に成長させて金属層上で互いに繋げるステップと、（ｇ）化合物半導体層を目標とする厚さまで成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ウエハ等の被加熱物が収容されるガラス状炭素製プロセスチューブを誘導発熱させて前記被加熱物を加熱するに際し、被加熱物の汚染が生じることなく、被加熱物を２０００℃に近い高温、あるいは２０００℃を数百度程度超える高温に加熱することができる加熱装置を提供すること。
【解決手段】被加熱物が収容されるガラス状炭素製プロセスチューブ１と、前記ガラス状炭素製プロセスチューブ１を収容し、冷却が施される冷却式石英製外套体２と、前記ガラス状炭素製プロセスチューブ１と前記冷却式石英製外套体２との間に前記ガラス状炭素製プロセスチューブ１を囲繞するように配設された断熱体３と、前記冷却式石英製外套体２の外側に配設され、前記ガラス状炭素製プロセスチューブ１を誘導発熱させるための高周波誘導コイル４とを備えた加熱装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素単結晶基板上に高品質で基底面転位の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上に、表面での基底面転位密度が10²/cm²以下である炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、上記炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長で形成する際に、成長装置内でエピタキシャル成長を1回以上中断する。 （もっと読む）

【課題】
装置の複雑化や、大型化を招くことなく、多様な成膜条件に適用可能なガス混合器、これを用いた成膜装置、及び面内均一性の高い薄膜を形成できる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】
少なくとも二以上の混合室を備えるガス混合器において、第一混合室に、混合しようとする二種以上のガスがそれぞれ導入される二以上の導入口と、一以上の排出口とを設けるとともに、第二混合室に、第一混合室に設けられた排出口と連通し、第一混合室から排出されたガスが導入される一以上の導入口と、一以上の排出口とを設け、第一混合室及び／又は第二混合室に設けた排出口を、同じ混合室に設けられた導入口に対して、ガスの流れ方向において重ならないように配設する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面へのパーティクルの付着を防止して、結晶欠陥の発生を防ぐことができると共に、稼働率を高くすることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】成長室１０１内のガスを排気する排気系１０５は、第一の排気ライン１１１、第二の排気ライン１２１、排気ポンプ１０８、副生成物除去フィルタ１０７、第一のバルブ１０６および第二のバルブ１２２を有している。副生成物除去フィルタ１０７は、第一の排気ライン１１１に、排気ポンプ１０８よりも上流側に位置するように設けられて、成長室１０１外に向かって流れるガスから副生成物を除去する。基板１５０の搬送を行う際には、第一のバルブ１０６を閉鎖し、かつ、第二のバルブ１２２を開放した状態で、排気ポンプ１０８を稼働させて、成長室１０１内のガスを第二の排気ライン１２１を介して排気する。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体素子を製造するための高品質炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハであって、エピタキシャル薄膜が炭化珪素単結晶基板上に形成された第1のエピタキシャル薄膜とこの第1のエピタキシャル薄膜内に形成された第2のエピタキシャル薄膜とを有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも、製造方法が簡単であって製造コストの低い発光ダイオード、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】断面の円換算径０．０１〜１００００μｍ、かつ長さ０．１μｍ以上である突起形状を有する金属酸化物半導体と、突起形状を有する金属酸化物半導体を被覆する金属化合物半導体からなり、いずれか一方がｐ型、他の一方がｎ型であることを特徴とする発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板Ｗの自然酸化膜を低温で除去することが可能であり、単結晶のＳｉＧｅ膜を成長させることが可能な、膜形成装置３を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｗ上の自然酸化膜を揮発性物質に変換するための三フッ化窒素ガス供給手段３５および水素ラジカル供給手段３０と、シリコン基板Ｗを加熱する手段と、を備えたエッチング室２０と、シリコン基板Ｗ上にＳｉＧｅ膜を成長させるための原料ガスの供給手段５０を備えたＳｉＧｅ成長室４０と、エッチング室２０からＳｉＧｅ成長室４０に対して、シリコン基板Ｗを管理雰囲気下で移送する基板移送室１６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶から成る基板上に特性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体を形成することが可能な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供することである。
【解決手段】 二硼化物単結晶から成る基板表面をフッ酸水溶液によってエッチングする工程と、次に塩化水素ガスと水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とし、かつ基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングした後に窒化ガリウム系化合物半導体を成長する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、上記炭化珪素単結晶薄膜の表面粗さのRa値が0.5nm以上1.0nm以下であり、その炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長する際の材料ガス中に含まれる、炭素と珪素の原子数比(C/Si比)が1.0以下である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板上に基底面転位の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板１上に、異なる窒素濃度をもつ複数の層を有して基底面転位密度を抑制する抑制層２と抑制層２上に形成された活性層３とを有する炭化珪素単結晶薄膜を形成してなるエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、特に抑制層２が基板１側から活性層３側へと階段状に窒素濃度が低減した構造を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法。 （もっと読む）