【課題】転位欠陥の少ない良質の大口径｛0001｝面ウェハを、再現性良く低コストで製造し得るためのSiC単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶１を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶１２を成長させる際に、成長する炭化珪素単結晶１２の電子濃度を１×１０^１９ｃｍ^−３以上６×１０^２０ｃｍ^−３以下と高くした状態で単結晶１２の一部もしくは全部を成長させることにより、炭化珪素単結晶１２の転位欠陥を低減させ、高品質で大口径な炭化珪素単結晶インゴット１２を得る。 （もっと読む）

【課題】原子炉または核融合炉の近傍などの過酷な放射線照射環境下においても安定に動作させることが可能な炭化珪素半導体素子およびその運転方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素エピタキシャル膜の上に形成される表面保護膜、層間絶縁膜などの絶縁膜を、ＳｉＯ₂膜とＳｉＮ膜とが交互に積層された多層膜などの超格子多層構造とし
て、絶縁膜内における多数の界面で外部からの放射線を反射、散乱させることにより素子内部への放射線の侵入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得る。
【解決手段】絶縁膜材料として、１，３，５，７−テトラビニルシクロシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロピルシクロシロキサン、１，２，３−トリビニルジシロキサン、１，２，３−トリイソプロピルジシロキサン、ビニルシラン、イソプロピルシラン、ビニルジヒドロキシシラン、イソプロピルジヒドロキシシランなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜された絶縁膜であって、その組成が、Ｓｉ：Ｏ：Ｃ：Ｈ＝α：β：γ：δとし、α＝１としたときに、１．６≦β≦２．０、０．８≦γ≦１６．０、１．２≦δ≦４８．０である絶縁膜である。成膜時に、ＣＯ_２、Ｏ_２、Ｈ_２Ｏ、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、ＣＯ、Ｈ_２、ビニル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基のいずれかを有する鎖状炭化水素、アルコール類、エーテル類を同伴させても良い。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプだけでなく基底面内転位も低減することができるＳｉＣ基板の製造方法及びこれにより作製されたＳｉＣ基板並びに半導体装置を提供する。
【解決手段】マイクロパイプを有するＳｉＣ単結晶基板上に、マイクロパイプを閉塞させるＳｉＣエピタキシャル成長層を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、前記ＳｉＣエピタキシャル成長層の成長工程中に、前記マイクロパイプの閉塞が不完全な状態で前記ＳｉＣエピタキシャル成長層の成長を途中で一旦中断し、１４００℃以上１８００℃以下の雰囲気中に一時的に保持する保持工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 基板が下向きに凸状に反ることによる局所加熱を防止すること。
【解決手段】 本発明は、基板２をサセプタ１の上面に設置して加熱しながらこの基板２上に化合物半導体膜４を堆積させる化合物導体膜の形成方法において、前記サセプタの上面に凹部３を設け、この凹部３は、前記基板２の下方へ凸の反りに対応して基板２の中心が前記サセプタ３に常に非接触で、基板２の外周部が前記サセプタ１に常に接触する深さと広さを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子工学、光学、又は光電子工学に応用するための、弾性的に歪みのない結晶材料製層を形成する方法の提供。
【解決手段】張力下で（又は圧縮して）弾性的に歪みのある第１の結晶層１と、圧縮して（又は張力下で）弾性的に歪みのある第２の結晶層２とを備え、前記第２の層が前記第１の層に隣接している構造体３０を用いて、それらの２つの層間での拡散ステップを備え、それにより２つの層のそれぞれの組成物間の差がほぼ同じになるまで次第に低減され、その後、それらの２つの層が、全体として均質な組成物を有する、結晶材料製のただ単一の最終層を形成する。それらの２つの層のそれぞれの組成物と、厚さと、歪みの程度とを最初に選択することにより、拡散後に、全体として弾性的な歪みを示さない最終層を構成する材料が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面に均一な膜厚で成膜を行なえる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置は、開口部１０を有し、筒状に形成された中間流路構成部材７と、開口部１０に配置された基板保持部材１２と、基板保持部材１２に接続されたサセプタ１３とを備える。中間流路構成部材７は、内面が平面状に形成された底板部８を含む。基板保持部材１２は、平面状の基板保持面１２ｃを有する。基板保持部材１２は、基板保持面１２ｃに形成され、被処理基板１１を配置するための基板配置凹部１２ａを含む。基板保持部材１２は、底板部８の内面よりも基板保持面１２ｃが外側になるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】効率的なエネルギーを印加することのできるガス分離型シャワーヘッドを提供する。
【解決手段】本発明に係るガス分離型シャワーヘッドは、第１のガスと第２のガスとが分離されて供給されるガス供給モジュールと、前記供給された第１のガスと第２のガスとが分離分散されるガス分離モジュールと、複数のホールを備える中空電極(multi hollows cathode)であって、前記分離分散された第１のガスと第２のガスとが前記複数のホールでイオン化され、共通に噴射されるガス噴射モジュールと、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶成長後に電子線照射やアニーリング等の後処理を施さなくても、結晶品質が良好で低抵抗なＭｇドープのｐ型窒化ガリウム系半導体を低価格で得ることができ、後処理による素子の歩留まり低下を防ぐ方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法において、水素及び窒素を含む雰囲気でＶ族原料として実質的にアンモニアのみを使用して、Ｍｇをドープした前記ｐ型窒化ガリウム系半導体１０４を結晶成長させる工程と、前記結晶成長工程後に窒素及び有機窒素原料を主体とし、水素の体積率が４０％以下である雰囲気で冷却する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板温度を適切な分布に制御し、複数枚の基板の成膜時、温度分布の均一性を高めることのできるＣＶＤ装置を提供することである。
【解決手段】化学的気相成長によって基板上に膜を形成するＣＶＤ装置において、基板５を保持するサセプタであって、サセプタは、３分割構造を有し、基板５を保持する基板サセプタ２と、基板サセプタ２の上部に外部から導入されるガス流路を確保するための空隙を有して配置される円柱状の上サセプタ１と、基板サセプタ２の下部にガス流路を確保するための空隙を有して配置される円筒状の下サセプタ３と、サセプタを発熱させるために断熱材４を介して当該サセプタの周囲に配置される高周波コイルと、を備え、基板サセプタ２は、上サセプタ１とともに所定の角度で傾斜して配置される。 （もっと読む）

【課題】有機金属組成物の提供
【解決手段】ゲルマニウム含有膜の蒸着前駆体として用いるのに好適なゲルマニウム化合物を含有する組成物が提供される。かかる組成物を用いる、ゲルマニウムを含有する膜の堆積方法も提供される。かかるゲルマニウム含有膜は電子装置の製造において特に有用である。 （もっと読む）

【課題】不純物の付着がほとんどなく、均一な薄膜の形成が可能で、成長薄膜の面内均一性を向上させることができる半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】反応管１２と、該反応管１２内に配置されるサセプタ２０と、該サセプタ２０上に配置された基板２２Ａに負圧をかけてこれを保持する負圧発生手段と、を備え、前記基板２２Ａの結晶成長面の法線と鉛直下方向とのなす角度が１８０°未満となるように、前記基板２２Ａが設置されることを特徴とする半導体薄膜製造装置である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の製造方法及びＳｉＣ基板並びに半導体装置において、低コストで効率的にマイクロパイプを閉塞させること。
【解決手段】マイクロパイプＭＰを有するＳｉＣ単結晶基板１上にＳｉＣエピタキシャル成長層２を化学的気相成長させるＳｉＣ基板の製造方法であって、ＳｉＣ単結晶基板１表面に露出したマイクロパイプＭＰの開口部における短径と該マイクロパイプＭＰを閉塞するＳｉＣエピタキシャル成長層２の層厚との相関関係を予め求めておく工程と、ＳｉＣ単結晶基板１表面に露出したマイクロパイプＭＰの開口部の中で最大の短径を調べる工程と、前記相関関係に最大の短径を対応させて決定した目標層厚でＳｉＣエピタキシャル成長層２を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

本発明は、水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：ＳｉＨｎ１（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｙは２，３または４であり；ｎ１は、０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たす。
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本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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【課題】 強酸等に対する耐腐食性に強く、摺動抵抗を減少させることができ、それ程温度を高くしなくても、不必要な部分に反応副生成物が付着することを抑制することができる真空排気系を提供する。
【解決手段】 真空処理室Ｔからの排気ガスを排出する排気路２と、排気ガス中の排気物を捕捉することが可能なトラップ装置１と、トラップ装置を通過した排気ガス中の有害物質を無害化する除害装置Ｅと、を有する真空排気系において、真空処理室とトラップ装置との間の排気路の内面及びトラップ装置内の排気ガスと接する面に、フッ素系樹脂層３０，３２，３４，３６，３８，４０がコーティングする。これにより、強酸等に対する耐腐食性に強く、摺動抵抗を減少させることができ、それ程温度を高くしなくても、不必要な部分に反応副生成物が付着することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長させるＳｉＣ層の結晶性を良好にして表面平坦性を向上させることができる単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４とを有するＳＯＩ基板１を準備し、上記ＳＯＩ基板１を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ膜に変成させ、上記単結晶ＳｉＣ膜をシード層５としてエピタキシャル成長させることにより単結晶ＳｉＣ層６を形成する方法であって、上記エピタキシャル成長の際、少なくともエピタキシャル成長温度に達するまでの１１００℃以上の温度域において、毎秒２５℃以上の昇温速度で急速加熱を行ってエピタキシャル成長させることにより、エピタキシャル成長過程での昇華による部分的なシード層５の消滅が防止され、結晶性と表面の平坦性の良好な単結晶ＳｉＣ層６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶ＡｌＮ基板を用いつつ結晶性にすぐれた窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】配向性を有する多結晶窒化アルミニウムからなり、主面上に複数のステップ１０Ｓが形成された基板１０と、前記基板の前記主面上に設けられた単結晶の窒化物半導体層２５とを備えた窒化物半導体ウェーハ１及び前記窒化物半導体層２５の上に設けられた電極を備えた窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】従来技術では被処理物だけでなく金属電極、多孔金属電極、固体誘電体がプラズマにさらされるため、長時間使用すると反応性生物が付着したり、エッチングされたりして徐々に電極としての性能が低下する。
【解決手段】仕切り板を境にして分離された第１および第２チャンバーと、第１チャンバーにガスを供給・排気するガス供給部と、第２チャンバー内に設けられたプラズマ生成用電極とを備え、仕切り板が部分的に誘電体板から形成され、前記電極は誘電体板を介して第１チャンバー内に電界を形成して前記処理ガスによりプラズマを生成し、第１チャンバー内に設置される被処理物をプラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ装置のガス供給ゾーンにおける材料ガスの反応を抑えて、パーティクル発生を抑える。
【解決手段】 ＣＶＤ装置１０は、材料ガスをガス供給ゾーン５１に供給する２重に構成されたガス供給管２６、２７を備えている。ガス供給管２６、２７を通る材料ガスは、その先端に設けられた微小なオリフィス２８、２９を通って、成膜ゾーン５２に到達してウェハ４１、４２上に薄膜を形成する。材料ガスは、ガス供給管２６，２７のオリフィス２８，２９に至るまでは所定の高圧を維持しており、ガス供給ゾーン５１で断熱膨張することによって材料ガスは冷却され、材料ガスの温度は反応温度以下に低下する。 （もっと読む）