【課題】核生成速度が速く、粒子密度が高いダイヤモンド膜を得ることができる導電性ダイヤモンド膜が形成された基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に対する前処理として、銅、アルミニウム、ガラスのいずれかからなる基板上に、ダイヤモンドナノ粒子の含有量が、ダイヤモンドナノ粒子分散溶液全体に対して０．００１〜０．１質量％であるダイヤモンドナノ粒子分散溶液を塗布した後、基板温度を２５０℃以上として、化学気相成長法により、前記基板上に導電性ダイヤモンド膜を合成する。 （もっと読む）

【課題】プロセスガスの前反応を減じる層析出装置を提供する。
【解決手段】チャンバ（１０）が設けられており、該チャンバ（１０）が、被覆したい少なくとも１つの基板（１３）を受容するための基板キャリア（１２）と、隔壁（２３）を備えるプロセスガス室（１１）とを有しており、前記隔壁（２３）が、プロセスガス室（１１）の第１のセグメント（２１）をプロセスガス室（１１）の第２のセグメント（２２）から仕切っており、かつ前記少なくとも１つの基板（１３）を前記隔壁（２３）に対して相対的に運動させる装置（４４）が設けられているようにした。 （もっと読む）

基板上に薄膜材料を堆積させるための方法を開示し、その方法は、一連のガスフローを同時に薄膜堆積装置の配送ヘッドのアウトプット面から基板の表面に向けることを含み、前記一連のガスフローは第一の反応性気相材料、不活性パージガス及び第二の反応性気相材料を少なくとも含み、前記第一の反応性気相材料は前記第二の反応性気相材料で処理した基板表面と反応することができ、１つ以上のガスフローは前記基板の表面を前記配送ヘッドの前記面から分離することに少なくとも寄与する圧力を提供する。このような方法を実施することができる装置も開示される。
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【課題】本発明は、均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得ることにある。
【解決手段】本発明は、基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造において、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を熱処理するバッチ式の熱処理装置に用いられる石英製品に含まれる例えばアルミニウム等の金属を除去することの可能な石英製品のベーク方法等を提供する。
【解決手段】
構成部品に石英製品（処理容器２、基板保持部３）を含む熱処理装置にて、当該石英製品２、３が未だ半導体基板の熱処理に使用されていない段階等において、基板保持部３に多数枚のダミー基板ＤＷを保持させて処理容器２内に搬入し、次いで、塩素を含むガスと水素とを供給し、当該反応容器２内を加熱雰囲気にして石英製品２、３をベークすることにより当該石英製品２、３中の金属を飛散させてダミー基板ＤＷに付着させ、その後、ダミー基板ＤＷを搬出する。 （もっと読む）

【課題】金属元素や金属元素の化合物を基板上に形成する場合に、パーティクルが発生しないような薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
金属元素を供給する供給源に対向して配置されている部材表面を粗面化するようにした。図１に示されるように、ウエハ２５を保持する基板ホルダ１１の金属元素供給源と対向する面に凹凸を形成した。このように凹凸を形成すると、金属元素が堆積した場合、平坦な面と比べて、付着性が向上し、粗面化された面からは簡単には剥がれ落ちない。 （もっと読む）

【課題】 全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は、成膜装置内において、化学式ＸＢ₂（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成るとともに表面に自然酸化膜が形成された基板に、真空中での加熱処理を施すことによって、自然酸化膜を除去するとともに基板の表面に原子ステップ構造を表出させる工程と、引続き成膜装置内において、基板の表面が大気に触れない状態で基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅ含有組成物を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｔｅ−Ｄの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Ｒが、１〜１０個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基；Ｃ_6-12の芳香族基；ジアルキルアミノ基；有機シリル基；及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含むＴｅ含有組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】ウェハを浮かせた状態で支持することにより、ウェハ面内全体を均一な温度分布に制御し、均一な膜厚の良質な結晶膜を成膜させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１内でベルヌーイチャックによってウェハ１０２を浮かせた状態で支持するホルダ１０３と、ウェハ１０２表面に結晶膜を成膜するためのプロセスガスを供給するプロセスガス供給部１０４と、成膜後のプロセスガスを含むチャンバ１０１内のガスをチャンバ１０１外へと排気する排気部１０５とを備えることを特徴とする。これにより、ウェハ１０２面内の温度分布を均一に制御でき、結果としてウェハ１０２表面に成膜される結晶膜の膜厚の分布の均一性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】セルサイズが６０ｎｍ以下の半導体記憶装置において、トンネル絶縁膜や電極間絶縁膜に高誘電率絶縁膜を導入した場合の電荷保持特性の劣化を防ぐ。
【解決手段】半導体装置は、セルサイズが６０ｎｍ以下であって、埋め込み絶縁膜１０４を含むシリコン基板１０１のチャネル領域に形成されたトンネル絶縁膜１０２と、前記トンネル絶縁膜１０２上に形成された第１の導電層１０３と、前記埋め込み絶縁膜１０４及び前記第１の導電層１０３上に形成された電極間絶縁膜１０５と、前記電極間絶縁膜１０５上に形成された第２の導電層１０６と、前記第１の導電層１０３、前記第２の導電層１０６、及び前記電極間絶縁膜１０５の側壁に形成された側壁絶縁膜１０７と、前記側壁絶縁膜１０７上に形成された層間絶縁膜１０８と、を有し、 前記トンネル絶縁膜１０２又は前記電極間絶縁膜１０５は高誘電率絶縁膜を含み、前記側壁絶縁膜１０７は、所定の濃度の炭素及び窒素、並びに１×１０^１９Ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の濃度の塩素を含む。 （もっと読む）

【課題】触媒体の劣化を抑制させて生産性を向上させたＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置を用いて製造する半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】シャワープレート２４が、チャンバ本体２１の空間Ｓを２つに区画し、成膜を行う第一室Ｓ１と、第一室Ｓ１を除く第二室Ｓ２とを形成する。また、接続端子ホルダ３１が、各接続端子３２をそれぞれ第二室Ｓ２に配置し、触媒体Ｗの両端部を、それぞれ第二室Ｓ２にまで案内する。そして、第一調整バルブＶｃ１が、第一室Ｓ１の圧力を「第一目標圧力」に調整し、第二調整バルブＶｃ２が、第二室Ｓ２の圧力を「第一目標圧力」よりも低圧の「第二目標圧力」に調整する。 （もっと読む）

【課題】ウエハに傷やスリップの発生をより確実に抑制し、かつパーティクル汚染を生じさせない縦型ウエハボートを提供する。
【解決手段】ウエハを搭載するための棚部が形成された複数本の支柱と、前記支柱の上下端部を固定する天板及び底板とを備えた、ＳｉＣ質基材の表面にＳｉＣ被覆膜が形成された縦型ウエハボートにおいて、前記棚部におけるウエハ当接部が第１のＳｉＣ被膜形成後に研磨によるフラット化処理を行い、その上面に第２のＳｉＣ被膜が形成され、かつその表面の表面粗さＲａが０．１μｍ以上０．９μｍ以下であって、前記ウエハ当接部を除く部分が、第１のＳｉＣ被膜形成後にその上面に第２のＳｉＣ膜が形成され、かつその表面粗さＲａが１．０μｍ以上８．０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の気相成長装置において、実際の対向板温度を確認して対向板の温度を制御可能にする。
【解決手段】対向板７の温度測定を行う対向板用熱電対１３と、冷却ジャケット８における対向板７との接触面の温度測定を行う冷却ジャケット用熱電対１４ａ〜１４ｃとを設置し、対向板７と冷却ジャケット８の対向板接触面との温度の関係から、冷却ジャケット８に内蔵された冷却ジャケット用ヒータ１２を加熱させて、冷却ジャケット８の対向板接触面の温度を変化させることにより、適切な対向板温度にフィードバックさせて対向板７の温度を安定させる。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】固体基板上のＣＶＤリアクタとそのウェハ上にエピタキシャル層を蒸着させる装置のリアクタ・サイクルの低減と、構成部品の低コストおよび長寿命と、高精度の温度制御とを提供する。
【解決手段】リアクタ内にウェハ・キャリヤ１１０を装着し、装着位置と蒸着位置Ｄの間を移動する。蒸着位置では、ウェハ・キャリヤは、中間サセプタを必要とせずに、回転式スピンドル１２０の上端に取り外し可能に取り付けられる。リアクタは、単一ウェハまたは同時に複数のウェハを処理できる。１つの変形形態では、スピントルを通るウェハ支持アセンブリの熱放散の低減と、そのための新規の加熱機構。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭの１情報保持性及び信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜及びゲート電極を順次形成し、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極の側部を少なくとも覆うシリコン窒化膜を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法であって、減圧ＣＶＤ法により所定の厚みのシリコン窒化物層を形成する工程と、減圧雰囲気下で前記シリコン窒化物層を窒素に暴露させる工程とを繰り返し行って、前記シリコン窒化物層を複数積層することにより、前記シリコン窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面が平坦で結晶成長速度が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一処理室内において、基板を急速に加熱、冷却できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室４１内において基板Ｗを処理する装置であって、処理室４１内において基板Ｗを載置させる載置台４５と、載置台４５に載置された基板を温度調節する第１温度調節機構５０と、処理室４１内において載置台４５から上方に基板Ｗを持ち上げる昇降機構６０と、昇降機構６０によって載置台４５から上方に持ち上げられた基板Ｗを温度調節する第２温度調節機構７２とを有し、第１温度調節機構５０と第２温度調節機構７２により、基板Ｗが互いに異なる温度に温度調節される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記膜および前記基板表面の境界近傍であって、前記膜の周縁部と前記基板表面とが接する部分を含む領域を成長促進領域として、前記基板表面に成長原料を導き、少なくとも前記成長促進領域上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制することができるとともに、設備の稼動ロスを低減できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ディスク２に載置された基板３の被成膜面と対向する位置に、ディスク２の中心部を中心とする同心円状に配置された複数の冷却タンク７ａ〜７ｃを備える。複数の冷却タンク７ａ〜７ｃと、ディスク２との間には、対向板８が設けられる。また、ディスク２に載置された基板３を、冷却タンク７ａ〜７ｃと対向する側から加熱するヒータ１を備える。各冷却タンク７ａ〜７ｃと対向板８との間の距離を、それぞれ独立に変更する冷却タンク駆動手段１１ａ〜１１ｃを備える。本構成により、対向板８に温度分布の温度勾配を容易に小さくすることができ、対向板８に付着した膜の剥離を抑制できる。 （もっと読む）