【課題】バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】α型炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から２度未満のオフ角、〈１１−２０〉方向からのずれが１０度未満のオフ方向で切り出した基板上にエピタキシャル成長させた、ウェハ表面に露出した略三角形状の積層欠陥数がウェハ全面で４個／ｃｍ^２未満であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ内へ処理用ガス（材料ガス）を均一に供給すること。
【解決手段】 表面波励起プラズマ処理装置１００には、チャンバ１内へ材料ガスを導入するためのシャワーヘッド１０Ａが設けられている。シャワーヘッド１０Ａは、上下２段の中空構造を形成する第１室１１および第２室１２を有する。材料ガスは、ガス導入ポート１４から第１室１１へ導かれ、分散板１１ａに穿設されている複数のガス噴出孔１１ｂを通って第２室１２へ移送され、分散板１２ａに穿設されている複数のガス噴出孔１２ｂを通ってチャンバ１内へ放出される。このとき、第１室１１のガス圧力勾配は小さく、第２室１２のガス圧力勾配はさらに小さくなるので、被処理基板Ｓへ向けて材料ガスを均一に供給することができる。その結果、プラズマ処理の均一性も向上する。 （もっと読む）

特にナノ領域で個々の材料成分を堆積する公知方法は顕微鏡のプローブチップと基板の間に電界を使用して運転し、電界に前駆物質ガスを、材料成分を含有する１種の化合物と一緒に導入する。電界の作用下に化合物が分離し、材料成分が遊離し、材料成分が引き続き基板上にプローブチップの下に狭く限られた領域に堆積する。本発明の方法では複数の先駆物質ガス（ＰＧ）を、他の材料成分（Ｃｄ、Ｔｅ）を含有するそれぞれ他の化合物（ＤＭＣｄ、ＤＥＴｅ）と一緒にガス混合物中で、調節可能な混合比で、同時にまたは相前後して使用し、分離された異なる前駆物質化合物（ＤＭＣｄ、ＤＥＴｅ）から分離された材料成分（Ｃｄ，Ｔｅ）から選択された混合比に相当して共通の化合物（ＣｄＴｅ）を形成し、この化合物を基板（Ｓ）に局所的に堆積する。従ってパラメーターを調節した化合物材料、特に化合物半導体を異なる材料成分と一緒に変動できる濃度で堆積できる。有利に異なるスペクトル帯域の間隙を有するナノ構造化された、堆積されたナノポイントからのフォトダイオードまたは発光ダイオードを有する半導体部品を形成することもできる。
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【課題】均質で高品質の高密度カーボンナノチューブを提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板上にＴｉＮから成るバッファ層を生成する。そのバッファ層の上に、１×１０^-5Tprrの真空度で、パルスアークプラズマを用いて、１００〜３００回程度の範囲でパルスアークを発生させて、粒径５ｎｍ以下のＣｏナノ粒子を堆積させる。その後、カーボンナノチューブを成長させると、平均外径４ｎｍ、平均外径５ｎｍで、基板に垂直に、相互に平行性の高い高密度のカーボンナノチューブ集合体が形成される。この集合体は電気的特性や機械的特性が均質で且つ良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長時におけるウェーハの表裏面での温度差に起因する結晶欠陥の発生を未然に防止すること。
【解決手段】 本発明では、エピタキシャル成長装置において、チャンバーの内部にウェーハを載置するためのサセプターを配設するとともに、このサセプターと対向する位置にヒータープレートを配設し、これらサセプターとヒータープレートとの間に反応ガスを導入するとともに、サセプター及びヒータープレートを加熱するように構成した。特に、前記サセプターの近傍に電磁誘導によって前記サセプターを加熱するための第１のコイルを配置するとともに、ヒータープレートの近傍に電磁誘導によって前記ヒータープレートを加熱するための第２のコイルを配置した。 （もっと読む）

【課題】 ハイドライド気相エピタキシャル成長法において欠陥の少ない良好なアルミニウム系III族窒化物結晶を製造するためには、表面吸着種の表面拡散を促すために高温が必要である。しかし、装置構造によっては高温の発現が困難であった。また、HVPEに特有の腐食性雰囲気下では反応部材の耐食性が、結晶への不純物混入の観点から問題となる。
【解決手段】 ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域の加熱支持台上に保持された基板を加熱しながら当該基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物を製造する方法において、該加熱支持台が窒化アルミニウムからなり且つ発熱抵抗体を内蔵した加熱支持台を用いる。 （もっと読む）

【課題】 高速かつ安価に成長することが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 加熱された金属シリコン（Ｓｉ溜７）に吹き付けた塩化水素ガスを、炭化水素ガスと同時に加熱した炭化珪素基板５上に供給し、熱分解反応させて化合物半導体結晶を成長させるＨＶＰＥ法にて炭化珪素単結晶を成長する。 （もっと読む）

基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。
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【課題】 基板上の成膜時間を短くするとともに、デバイスの特性低下を抑制すること。
【解決手段】 真空容器１内に高周波による電磁波を形成し、電磁波によって原料ガスのプラズマを発生させて、基板５上の成膜対象面に成膜を行なうプラズマ成膜方法において、電磁波をパルス状に形成するとともに、変調器１６を用いて電極３のパルスの単位時間当たりのオン時間を膜厚方向で変更させるようにする。これにより、成膜によって形成される層間の界面を良好に保ち、デバイス特性の低下を抑制することができる。また、オン時間を適宜長くすることで、成膜時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造に際し、より効率的な清浄化処理を行う方法を提供することである。
【解決手段】 絶縁性表面の一部に、金属からなる導電領域が露出した基板を、処理チャンバ内に搬入する。処理チャンバ内に、有機酸を、蒸気またはミストの状態で導入し、基板を清浄化する。有機酸の蒸気またはミストの導入を停止し、続いて成膜用の原料ガスを、処理チャンバ内に導入して、基板上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 低温で高ストレスのシリコン窒化膜を形成することができるシリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】 まず、反応管２内にジクロロシランを供給し、半導体ウエハＷにジクロロシランと反応した反応物を形成する。次に、反応管２内に水素ラジカルを供給してこの反応物と反応させ、反応物に含まれる塩素を除去する。続いて、反応管２内を４０Ｐａ〜１００Ｐａに設定し、この設定した反応管２内にアンモニアラジカルを供給する。これにより、アンモニアラジカルと反応物とが反応して、半導体ウエハＷにシリコン窒化膜が形成される。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン窒化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ電極のインピーダンスの整合調整を短時間化する。
【解決手段】 原料ガス条件及び高周波電力条件を含むプラズマ加工条件を入力として、プラズマ加工条件に対応するプラズマ電極のインピーダンス指令値をインピーダンス整合器に出力するニューラルネット４２と、プラズマ加工条件に対応する最適なインピーダンス指令値をニューラルネットに学習させる教師部４４とを備えた制御装置を設け、教師部により、過去のプラズマ加工条件と、プラズマ加工条件に対応するインピーダンス指令値の実績値とに基づいて、入力されるプラズマ加工条件に対応する最適なインピーダンス指令値を出力するようにニューラルネットに学習させ、未知のプラズマ加工条件に対しても、インピーダンスの整合調整を短時間化する。 （もっと読む）

【課題】触媒体の基板に対する輻射熱を抑制するとともに分解種を基板に到達させ、高品質な薄膜を製造する薄膜製造装置、薄膜の製造方法、および薄膜積層体を提供すること。
【解決手段】１以上の種類の原料ガスを減圧下において反応させ、チャンバ１７に配置されたＳｉ基板２１上に薄膜を形成する薄膜製造装置１において、チャンバ１７に配置され、原料ガスを導入する１以上のガス導入管１３と、ガス導入管１３の開口部に配置されるとともにＳｉ基板２１と所定の距離に保たれ、原料ガスを分解する触媒体１０と、未分解の原料ガスを吸着し、チャンバ１７に滞留させないシュラウド８２と、を有し、分子線として原料をＳｉ基板２１に照射する。 （もっと読む）

【課題】これまでＡｌＮ、または、０．９以上の高ＡｌＮモル分率のＡｌＧａＮの選択横方向成長は不可能であった。
【解決手段】ＧａＮに対してすでに応用されている選択横方向成長技術を前記材料に応用する。ＡｌＮの横方向成長の困難さを克服するため、半導体成長用基板の主面の一部に、窒化物系半導体層の成長を抑制する加工部を形成し、前記加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚が、非加工部から成長する窒化物系半導体層の膜厚の１／１０以下であるようにしてエピタキシャル基板を構成する。 （もっと読む）

【課題】レジストを用いることなく、微細化を図り、しかもプロセスの煩雑さを改善した、サファイア基板上への窒化物薄膜の製造方法及び窒化物薄膜装置を提供する。
【解決手段】サファイア基板上への窒化物薄膜の製造方法において、高温水素処理を行ったサファイア基板に電子線を照射し、この電子線処理基板に有機金属化学堆積法によって窒化物薄膜を堆積し、窒化物薄膜を描画する。 （もっと読む）

【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、１３００℃以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型伝導層をＣ添加のＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体層で構成したエピタキシャル結晶であって、ｐ型伝導層の結晶性及びｐｎ接合の急峻性に優れ、ＨＢＴ等の電子デバイス用基体として有用なエピタキシャル結晶を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板上に、ｐ型不純物として炭素が添加されたＩｎＧａＡｓを主成分とするｐ型伝導層を含む複数のエピタキシャル層が積層された化合物半導体エピタキシャル結晶において、前記ｐ型伝導層がアンチモンを０．５〜１０モル％含有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法による欠陥のないダイヤモンド、とりわけ、ｎ型半導体特性の確実に向上したダイヤモンドの合成方法を提供する。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法によるダイヤモンド薄膜の合成方法において、ダイヤモンド基板を反応性イオンによってエッチング処理し、この処理面に炭素源を含む原料ガスあるいはさらにリンを含むｎ型ドープ源を供給し、プラズマにより原料ガスを分解・析出するＣＶＤ法により欠陥のない高品質ダイヤモンド薄膜、とりわけ欠陥のないｎ型ダイヤモンド薄膜を生成させる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ逆電圧が十分に高い発光素子を収率良く得ることができるＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後降温する際に、成長終了時の温度と同じ温度にて、成長終了直後からキャリアガスに不活性ガスを用い、かつ窒素源の流量を減少し、その後の降温過程の途中で窒素源の供給を停止することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 （もっと読む）