【課題】 ガスウィンドウ方式のレーザＣＶＤ法による配線修復処理を含むＦＰＤ基板の製造方法において、レーザＣＶＤ処理工程におけるＣＶＤ被膜の厚さや密度等に関する厳密な管理を要することなく、修復されるＦＰＤ基板の歩留まりを向上させ、それにより製造コストを低減すること。
【解決手段】 配線欠陥修復ステップと配線面洗浄ステップとの間に、ＦＰＤ基板上の配線欠陥部分の上に形成された導電性被膜部分を含む微少領域を覆うようにして、所定の絶縁性樹脂を局部的に微量塗布する樹脂塗布ステップと、局部的に微量塗布された絶縁性樹脂を強制的に硬化させる樹脂硬化ステップとを設け、それにより、ＦＰＤ基板上の配線欠陥修復部分を含む微少領域に、配線面洗浄ステップに先立って、絶縁性樹脂による保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を招くことなく、反応室内の急激な圧力変動が抑制できるようにする。
【解決手段】原料ガス供給開閉弁１０５，酸化ガス供給開閉弁１０６，およびパージガス供給開閉弁１０７は、例えば、開閉の速度を０．０１秒程度で行う高速の開閉弁である。開閉弁制御部１０９は、原料ガス供給開閉弁１０５および酸化ガス供給開閉弁１０６の開速度を、閉速度より遅くなるように制御する。原料ガス供給開閉弁１０５および酸化ガス供給開閉弁１０６は、例えば、空気圧により弁体を駆動（開）することで弁の開閉を行う。また、空気圧の制御は、電磁弁により行う。開閉弁制御部１０９は、この電磁弁に対する信号（電圧）を制御することで、各開閉弁の開速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜装置によりコーティング膜上に無機膜を成膜する際に、無機膜の割れ／抜け等の欠陥を引き起こすコーティング膜の平滑性悪化を防止する機能性フィルムの製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】
コーティング膜成膜装置２０内で、フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂを送り出し、支持体Ｂ上にコーティング膜を成膜し、支持体Ｂを大気圧より減圧下でフィルムロール４２に巻き取る。次いで、フィルムロール４２を真空成膜装置２２内に装填し、フィルムロール４２から連続的に支持体Ｂを送り出し、コーティング膜上に無機膜を成膜し、支持体Ｂをフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】表層がＴｉからなる金属配線の表面に形成される絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法
により形成された窒化ケイ素膜を用いても、金属配線と導電部材との間の接触抵抗が抑制
された電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表層がＴｉからなる金属配線１７、１８の表面に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを形成した後に窒化ケイ素からなる第２
の絶縁膜３７ｂないし３８ｂを形成し、第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂ及び第１の絶縁
膜３７ａないし３８ａにプラズマエッチング法によってコンタクトホール５１、５２を形
成して前記Ｔｉからなる金属配線１７、１８の表面を露出させる工程を備える電気光学装
置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを、前記窒化ケイ素からな
る第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂの形成時にボール状窒化ケイ素が形成しない材料で形
成する。 （もっと読む）

【課題】電極の加熱による湾曲変形や電極支持部材の破損を防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して被処理物９に接触させ、被処理物９を表面処理する装置であって、複数の電極３１を電極３１の長手方向と直交する方向に並べる。これら電極３１の長手方向の両端にそれぞれ絶縁体からなる一対の電極端支持部材３５を配置する。各電極端支持部材３５にて、各電極３１の端部を長手方向への変位を許容しつつ支持する。 （もっと読む）

デュアルチャンバ「塔」として構成されるガス蒸着システム（１０００）は、一方が他方より垂直方向に上側である２つの反応チャンバアセンブリ（３０００）を支持するためのフレーム（１１４０）を含む。各チャンバアセンブリ（３０００）は、搭載ポートを通して単一の第４．５世代（ＧＥＮ４．５）ガラスプレート基板を受容するようにサイズ決定される中空アセンブリ（３０７０）を包囲する、外壁アセンブリを含む。基板は、中空アセンブリ（３０７０）の内側で水平に配置され、チャンバアセンブリ（３０００）は、中空アセンブリ（３０７０）の外部に配置され、基板の頂面を覆って実質的に水平に方向付けられた層状ガス流を生成するように構成される、取外し可能かつ清掃可能な三角形投入（３１５０）および排出（３２５０）プレナムを含む。
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【課題】プラズマ発生に起因する被処理体へのダメージを抑制しつつ，好適なプラズマ処理を行う。
【解決手段】半導体ウエハＷにプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室１０１と，半導体ウエハＷを，プラズマ処理室１０１内に配置するための載置台１０２と，該プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生装置１０８とを少なくとも含むプラズマ処理装置１００において，マイクロ波発生装置１０８に，断続的なエネルギー供給可能なもの使用している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理装置において、処理ガスを確実にプラズマ化し処理効率を確保する。
【解決手段】電極３１と磁石４１を交互に並べる。磁石４１と電極３１との間に吹出し路６５を形成する。支持部２１によって被処理物９を支持する。吹出し路６５に導入部１１，１３の導入孔６３を連ねる。処理ガスを導入孔６３から吹出し路６５へ導入する。 （もっと読む）

【課題】窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る、誘電体被覆電極及びそれを用いたプラズマ放電処理装置の提供、そして、これにより良質で緻密な薄膜を有する基材を安価に提供する。
【解決手段】本発明の誘電体被覆電極、すなわち、導電性の金属質母材を誘電体で被覆した角筒型の誘電体被覆電極であって、前記誘電体の空隙率が１０体積％以下であることを特徴とする誘電体被覆電極及びそれを用いたプラズマ放電処理装置を用いて薄膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】処理領域が不連続に設定されたワークに対してプラズマ処理を施す際に、プラズマの発生を安定的に維持して、活性種の生成を速やかに行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、１対の電極２、３と、電源回路７と、ガス供給手段８と、プラズマ噴出口５と、制御手段１７０とを備え、制御手段１７０により、ガス供給手段８を、プラズマ生成空間３０にキャリアガスを供給した状態で、処理ガスの供給を停止することにより、プラズマを生成し、このプラズマを維持する非処理モードと、プラズマ生成空間３０にキャリアガスと処理ガスとの混合ガスを供給することにより、処理ガスを活性化して活性種を生成し、この活性種をプラズマ噴射口５から噴出してワーク１０の被処理面１０１をプラズマ処理する処理モードとに切り替え可能なように構成されている。 （もっと読む）

基板に第III族金属窒化膜を蒸着させるための装置であり，窒素源から窒素プラズマを生成するプラズマ発生器と，基板に第III族金属窒化物を蒸着させるために，第III族金属を含む反応試薬を，窒素プラズマから生じる反応性窒素種と反応させる反応室と，プラズマ発生器から反応室への窒素プラズマの通過を促進させるプラズマ導入口と，窒素プラズマの通過用の１又はそれ以上の流路を有するバッフルとを備える。バッフルは，プラズマ導入口と基板との間に配置され，プラズマ導入口と基板との間で窒素プラズマが直通することを防止する。
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電源に接続されている２以上の相対する電極の間に形成される処理空間において大気圧グロー放電プラズマを用い、該処理空間において前駆体と酸素を含むガス組成物を用いて、ポリマー基材を生産するためのプラズマ処理装置および方法。無機材料の第１層を、ポリマー基材上に、該ポリマー基材の表面に実質的に垂直に測定された該ポリマー基材の断面の最大山谷高低差として定義されるＲ_ｔ−値の少なくとも１００％の最大厚さ（ｄ３）で付着させる。無機材料の第２層は第１層の上に付着させ、ここにおいて、処理空間において酸素は３％以上の濃度を有し、電源を、２以上の相対する電極間の間隙を横切るエネルギーが４０Ｊ／ｃｍ^２以上になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜された膜質を均一化し、膜の効率を向上させることが可能な成膜装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、成膜ガス６が導入される反応容器２の反応室２１内に２つの電極３１，３２を対向して配置し、２つの電極３１，３２に高周波電力を供給することによってプラズマ４０を生成し、成膜ガス６を分解して２つの電極３１，３２の間に搬送される基板１の表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、２つの電極３１，３２のうち、一方の電極３１の電極板３１ａには、成膜ガス６を放出するガス吹出部５が設けられ、電極板３１ａは、ガス吹出部５の領域よりも広く形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜された膜厚を均一化し、膜の効率を向上させることが可能な成膜装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、成膜ガス６が導入される反応容器２の反応室２１内に２つの電極３１，３２を対向して配置し、２つの電極３１，３２の一方に高周波電力を供給することによってプラズマ４０を生成し、成膜ガス６を分解して２つの電極３１，３２の間に搬送される基板１の表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、２つの電極３１，３２のうち、一方の電極３１の電極板３１ａには、成膜ガス６を放出する複数のガス吹出口５が設けられ、ガス吹出口５は、千鳥状に配置され、電極板３１ａの端部には、成膜ガス６をプラズマ４０の生成部から排気するガス排気部８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ表示装置の製造工程で用いられる、従来より薄いマスク装置のシャドーマスクを提供する。
【解決手段】基板６が真空処理装置１０内に搬入され、マスク装置１と基板６との位置合わせが行われる。マスク装置１は、枠体８と、枠体８上に配置される金属からなるテープ状のシャドーマスク２と、シャドーマスク２の一端を固定する固定装置３と、シャドーマスク２の他端部を水平方向から鉛直方向に変換する変換部材４と、他端に取り付けられた重り５とを有しており、重り５によってシャドーマスク２に張力が印加される。シャドーマスク２は、張力により弛まないので基板６との間に反応プラズマが入らない。従来より薄いシャドーマスク２によって、マスク装置１の周辺部分にある基板６表面も、より均一に成膜する事が出来る。 （もっと読む）

【課題】成膜工程とクリーニング工程の繰り返しの間に、真空槽の温度上昇を抑え、かつ槽内を効率良く均一にクリーニング可能なプラズマ成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本願の成膜方法は、真空槽内にプラズマを発生させながら成膜対象物に膜を形成する成膜工程と、一回又は複数回の成膜工程毎に、真空槽内にクリーニングガスを導入してクリーニングを行うクリーニング工程を有する。クリーニング工程において、クリーニングガスは、真空槽に導入される前に活性化されて真空槽に導入される際にイオンまたはラジカルを含み、かつ、真空槽内のカソード電極に高周波電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】バッチ式基板処理装置であって、複数枚の基板を同時に処理することができ、基板処理時に、雰囲気を組成するためのガスの供給及び排出を行うためのガス供給管及びガス排気管が、チャンバの内部に互いに対向して配置され、チャンバ内に搬入された基板に対して基板処理ガスを均一に供給できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る複数枚の基板を同時に処理可能なバッチ式基板処理装置１は、複数枚の基板１０に対して基板処理空間を提供するチャンバ２０と、複数枚の基板１０を搭載支持するボート３０と、基板１０の積載方向に沿って一定間隔で配置された複数のヒータ７０と、チャンバ２０内に配置されたガス管ベース３００とを備え、該ガス管ベースに、ガス供給管１００及びガス排気管２００が連結されている。 （もっと読む）

【課題】シランカップリング剤の加水分解に必要な水分が不足することを防止して、未反応の官能基が被膜の表面に残存することを防止できる表面処理方法および表面処理装置を提供する。
【解決手段】大気圧よりも低い圧力下で処理剤を気化させ、処理剤の雰囲気に被処理基板を晒すことで被処理基板上に処理剤の被膜Ｃ１を形成する表面処理工程を有し、表面処理工程の後に、被処理基板を冷却する冷却工程と、被処理基板の表面に水分を供給する水分供給工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】真空中で迅速に基板を反転させる技術を提供する。
【解決手段】本発明の基板反転装置２０は、真空槽であるチャンバー２１内において、基板５０を昇降させる昇降機構６０と、基板５０を挟んで保持する把持部４１ａ、４２ａを有する基板保持機構４Ａ〜４Ｄと、基板保持機構４Ａ〜４Ｄの把持部４１ａ、４２ａを回転させて基板５０の上下関係を反転させる基板回転機構３０とを有する。本発明においては、基板５０を保持した状態で、水平方向に延びる直線を回転軸として基板回転機構３０を１８０°回転させる。 （もっと読む）

【課題】 真空中で基板全体の温度を正確に測定しその測定結果に基づいて、基板全面で均一な温度分布を与えるための温度分布の管理と、基板の温度制御と、が可能な基板処理技術を提供すること。
【解決手段】 基板処理装置は、第１の処理室内で、基板を加熱するための複数のヒータを有する加熱部と、第１の処理室から第２の処理室に基板を搬送する間に、加熱部により加熱された基板の温度を測定する複数の温度測定部と、第２の処理室内で、基板を再加熱するための複数のヒータを有する再加熱部と、温度測定部の測定結果に基づき、再加熱部の出力を制御する出力制御部と、を備える。 （もっと読む）