【課題】周方向全体に渡ってカスプ磁場によるプラズマの閉じこめ効果を高めることでプラズマ処理の均一性を高める。
【解決手段】減圧された処理室内に処理ガスのプラズマを生成することにより基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，処理室の周囲に沿って上下に離間して設けられた２つのマグネットリング２１０，２２０を有し，各マグネットリングは内周面にその周方向に沿って２個ずつ交互に極性が逆になる順序で同じように配列された多数のセグメント２１２，２２２を有する磁場形成部２００を備え，磁場形成部は，下部マグネットリング２２０を上部マグネットリング２１０に対して周方向にずらして配置することで上下の磁極配置をずらしたものである。 （もっと読む）

【課題】半導体又は液晶パネル製造装置における排ガス処理系配管内における珪フッ化アンモニウムの付着・堆積を抑制して、排気配管または排気設備の清掃周期を短くする珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともプロセスガスとしてアンモニアガス、クリーニングガスとしてフッ素化合物、及びプロセスガス又はクリーニングガスのいずれかに珪素化合物を含有するガスを使用する薄膜形成装置（Ａ）から、該薄膜形成装置（Ａ）で発生する排ガス（Ｇ）を処理する燃焼式排ガス処理装置（Ｂ）に該排ガス（Ｇ）を移送するための排ガス処理系配管（Ｃ）内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法であって、珪フッ化アンモニウムが堆積する可能性のある排ガス処理系配管（Ｃ）部を加熱して、該配管内表面温度を１２０〜１６０℃に維持することを特徴とする、排ガス処理系配管（Ｃ）内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。また、電気特性が優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置を生産性高く作製する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置の処理室に設けられた複数の凸部を備える電極から、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入し、高周波電力を供給し、グロー放電を発生させて、基板上に結晶粒子を形成し、該結晶粒子上にプラズマＣＶＤ法により微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極保護膜として用いた場合に電極の放電開始電圧を低くでき、且つ、製造コストが低い酸化マグネシウム膜を提供すること。
【解決手段】酸化マグネシウム膜１は、酸化マグネシウム薄膜部４と、その表面から成長して酸化マグネシウム薄膜部４と一体になっている酸化マグネシウム板状結晶５の集合体６とを有している。酸化マグネシウム膜１は、熱分解により酸化マグネシウムを生成するマグネシウム化合物の溶液を基材２の表面に塗布して熱処理することにより形成した下地層３の表面に、大気開放下での化学気相析出法（ＣＶＤ法）によって酸化マグネシウム薄膜部４の表面に酸化マグネシウム板状結晶５を成長させることにより形成される。この酸化マグネシウム膜１を電極保護膜として用いたプラズマ生成電極は、放電開始電圧が従来よりも３０％以上低減されている。 （もっと読む）

【課題】電極保護膜として用いた場合に電極の放電開始電圧を低くでき、且つ、製造コストが低い酸化マグネシウム膜を提供すること。
【解決手段】酸化マグネシウム膜１は、酸化マグネシウム薄膜部４と、その表面から成長して酸化マグネシウム薄膜部４と一体になっているウィスカー５とを有している。酸化マグネシウム膜１は、基材２の表面に、大気開放下での化学気相析出法（ＣＶＤ法）によって酸化マグネシウム薄膜部４を形成し、この表面からウィスカー５を成長させることにより形成される。この酸化マグネシウム膜１を電極保護膜として用いたプラズマ生成電極は、放電開始電圧が従来よりも３０％以上低減されている。 （もっと読む）

【課題】容器が加熱された場合でも、装置内の雰囲気の気密性を保持することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器２の容器突出部２ａと蓋体３の蓋体突出部３ａとの接触面には、Ｏリング４、５が環状に二重に設けられている。容器突出部２ａには、Ｏリング４、５の間に形成された隙間６に、不活性ガスを流入させるためのガス流入口７と、その不活性ガスを隙間６から流出させるためのガス流出口８が形成されている。ガス流入口７とガス流出口８は、対向して形成されている。ガス流入口７から流入した不活性ガスは流出口８に向かって流れ、隙間６内に充満する。この隙間６内に充満した不活性ガスの層によって、処理容器２内の気密性が保持される。 （もっと読む）

【課題】熱膨張差により同軸管外部導体と防着板との相対位置が変位しても安定した電気的な接続を維持することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】長手方向に熱伸び可能とされた放電電極３に電力を供給する芯線１４ａの周囲を覆うとともに接地された同軸シールド１２Ｓと、放電電極３に対向して基板８を支持する基板テーブル２と、基板テーブル２の面に沿う方向であって、放電電極３の長手方向と交差する方向に熱伸び可能とされ、基板テーブル２とともに放電電極３および基板８の周囲を覆う防着板４と、少なくとも同軸シールド１２Ｓに取り付けられ、防着板４に対して放電電極３の熱伸び方向、および、防着板４の熱伸び方向に相対移動可能とされるとともに、同軸シールド１２Ｓと防着板４とを電気的に接続する同軸シールド側接続部と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む導電性金属酸化物膜の電気的特性を改善する。
【解決手段】炭素を含有する導電性金属酸化物を成膜した後、導電性金属酸化物膜９２に酸化作用を有する酸化性ガスを接触させる酸化性後処理工程を実行する。好ましくは、導電性金属酸化物膜９２の加熱や酸化性ガスの活性化によって上記酸化作用を発現又は促進させる。酸化性後処理工程後の導電性金属酸化物膜９２に対し、還元作用を有する還元性ガスを接触させる還元性後処理工程を実行する。好ましくは、導電性金属酸化物膜９２の加熱や還元性ガスの活性化によって上記還元作用を発現又は促進させる。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。
【解決手段】基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に形成された炭化アルミニウム層１２とを備える。炭化アルミニウム層１２の下地基板１１と反対側の面には、炭化アルミニウム層１２の｛１−１００｝面１２１が露出している。
炭化アルミニウム層の｛１−１００｝面１２１は、下地基板１１の主面１１０に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極を管状にし、この電極内の空間に冷却液を流して電極を冷却する際、上記電極内空間にガス溜まりが形成されるのを防止し、冷却効率を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置１の太い管状の第１電極１０の軸方向をほぼ水平に向け、その上側又は下側に第２電極２０を配置し、両電極１０，２０間に放電空間４２を形成する。冷却液を第１電極１０に供給又は排出する細い給排管３２，３４を第１電極１０に接続する。給排管３２，３４のうち少なくとも排出管３４の管内空間３４ａと第１電極内空間３３との連通部３４ｂを、第１電極１０の上側管壁１１の内面の近傍に配置する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系半導体層の上方に、濡れ層を形成するステップおよびその濡れ層の窒化処理を行うステップを介して遷移層を形成する方法であり、酸化亜鉛系半導体層の表面を保護する機能を有するほか、形成した遷移層は、それからの窒化ガリウム系半導体層をエピタキシャル成長法で成長する際に緩衝層として使用でき、窒化ガリウム系半導体層の結晶品質を有効に高める。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を行うときにマスクとして使用するフィルムを搬送する時に、これに生じる張力を調整することで、フィルムの延びを防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ステージよりも上流側にあるダンサーローラ１１２ａと、処理ステージよりも下流側でフィルムテープ１０１に搬送のための駆動力を与えるアクチュエータ１１７とをみ、ダンサーローラ１１２ａは、一定の力に応じてフィルムテープ１０１に張力を与え、張力が増大すると一定の力とは反対の方向に移動してフィルムテープ１０１を送り出す。フィルムテープ１０１は、処理ステージでワークピース１６のプラズマジェット５によって処理される部分上に開口部１００が位置するように配置され、開口部１００を介してプラズマジェット５による処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】平面アンテナや誘電体窓を周方向に均一に冷却できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理容器１００の側壁１４０に誘電体窓１０５を冷却するための冷媒流路１４５を設ける。冷媒流路１４５には、相変化させることなく液相又は気相の冷媒が流される。側壁１４０の周方向に伸びる冷媒流路１４５の少なくとも一部は、上流から下流に向けて漸次断面積が小さくなる。ここで、冷媒流路１４５の断面積を小さくすれば、冷媒の流速が大きくなり、熱伝達率が大きくなる。冷媒流路１４５の断面積を上流から下流に向けて漸次小さくすると、冷媒の温度上昇に伴う温度差の低下分を熱伝達率の向上分により補うことができ、冷媒流路１４５の長さ方向における熱移動量をほぼ一定にすることができる。このため、平面アンテナ９０５や誘電体窓１０５を周方向に均一に冷却することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】基板処理に関するプログラムの編集画面において、編集画面の編集部分を、コンピュータ上のツールで変換することなく編集の内容を一目で理解できるようにする。
【解決手段】 基板処理に関するプログラムの編集画面を表示する表示手段と、編集画面に表示される各種キーの操作をキーログとして収集するキーログ収集入力手段と、キーにより編集された編集画面をキーログに関連付けて記憶手段に保存するキーログ保存手段と、記憶手段に保存された編集手段とキーにより編集された部分の画面表示形式を、区別可能に変更する表示形式変更手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面温度を上げないで表面の膜を加熱処理する方法として、加熱した熱容量の大きい固体を瞬時に接触させ離す方法がある。例えば基板に加熱したローラを回転させ線接触させる。しかし、基板のたわみやゴミなどで、基板の支持台との熱接触が均一にできないという課題がある。このために、大面積基板の均一な再現性のある熱処理が可能でなかった。
【解決手段】支持台と基板の間に粘性材を挿入する。均一な再現性のある熱接触が可能となった。屈曲可能なシート状の樹脂基板上の塗布膜に回転加熱ローラを接触させて膜を焼成する熱処理が可能となった。 （もっと読む）

【課題】 原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給ＣＶＤ法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】支持台の上に基板を置き、基板を支持台から加熱するのでなく高温のガスを吹き付けることにより基板上の膜を高温アニールして膜を形成する、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成するときに基板と支持台の密着がゴミや空気、基板ゆがみのために不完全であった。このために、大面積基板の均一な再現性のある熱処理が可能でなかった。
【解決手段】支持台と基板の間に粘性材を挿入する。均一な再現性のある熱接触が可能となった。屈曲可能なシート状の樹脂基板でも高温ガスを吹き付ける熱処理が可能となった。 （もっと読む）

本明細書に開示された実施形態は、一般に、陽極処理されたガス分配シャワーヘッドを有する装置に関する。大面積平行プレートＲＦ処理室では、ＲＦ戻り経路を思い通りに配置することが難題でありうる。アークの発生は、ＲＦ処理室内で頻繁に起こる問題である。ＲＦ処理室内でのアーク発生を減らすためには、サセプタにストラップを結合してＲＦ戻り経路を短くすること、処理中にサセプタに対して、セラミックシャドウフレーム、絶縁シャドウフレームまたは陽極処理されたシャドウフレームを結合すること、および室壁に最も近いシャワーヘッドの端部に、陽極処理されたコーティングを付着させることが可能である。この陽極処理されたコーティングは、シャワーヘッドと室壁の間のアークの発生を減らすことができ、したがって膜の特性を改良し、付着速度を増大させることができる。
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【課題】加工時や使用時に生じる熱による寸法変化が起こりにくく、且つ変質しにくく、したがって、長期にわたり高く安定したガスバリア性を保持することができる透明ガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルムを加熱処理し、特定の熱収縮率となるように収縮させてプラスチック基材フィルムとし、該プラスチック基材フィルムの少なくとも一方の面に蒸着膜を設けて蒸着フィルムとし、さらに、該蒸着フィルムを加熱処理して、特定の熱収縮率となるように収縮させ、該収縮させた蒸着フィルムの蒸着膜が設けられた面に、ガスバリア性塗布膜を設けることを特徴とする透明ガスバリア性フィルム。 （もっと読む）