【課題】ＧａＮ等の窒化物半導体薄膜を作製する基板として、非単結晶基板であるグラファイトを基板として使用するとＧａＮ薄膜が多結晶となり結晶中の欠陥が多くなる為、フォトダイオードに使用することが出来なかった。
【解決手段】グラファイト基板上にアモルファスカーボン層を設け、アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜を成長させた後、ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層を形成し、低温成長バッファ層上にｎ型ＧａＮ層を形成し、ｎ型ＧａＮ層上にＩｎ_xＧａ_1-xＮあるいはＡｌ_yＧａ_1-yＮからなる光吸収層を形成し、光吸収層上にｐ型ＧａＮ層を形成し、ｐ型ＧａＮ層上にｐ型ＧａＮコンタクト層を形成することが可能となり、グラファイト基板上に直接フォトダイオードを作製することで低コストで優れた特性を有するフォトダイオードを実現できる。 （もっと読む）

【課題】複数の排気路の排気流量を各々調整することにより、真空容器内における処理ガスの気流を制御して基板へのガス流れを一定に保つこと。
【解決手段】第１のバルブ６５ａが介設された第１の排気路６３ａと、第２のバルブ６５ｂが介設された第２の排気路６３ｂと、から真空容器１内の雰囲気を夫々真空排気できるようにして、真空容器１内の圧力が処理圧力Ｐとなるように第１のバルブ６５ａの開度を調整すると共に、第１の排気路６３ａの排気流量と第２の排気路６３ｂの排気流量とをレシピに応じた設定値にするために、バタフライバルブ６７の開度Ｖをテーブル８６に記載された値に設定し、次いで差圧計６８の測定値がテーブル８６に記載された差圧ΔＰとなるように第２のバルブ６５ｂの開度を調整する。 （もっと読む）

【課題】被処理物をステージ兼接地電極の固体誘電体層として代用するプラズマ処理装置において、空気の処理空間への微量混入を防止する。
【解決手段】第１ステージ部２１の第１金属表面２１ａを被処理物９にて覆う。第２ステージ部２２の固体誘電体層２５の内側誘電部２６を被処理物９の外周部９ｅにて覆う。処理ヘッド１０をステージ２０に対し相対移動させながら、吹き出しノズル１５から処理ガスを吹き出し、電極１１とステージ２０との間に電界を印加する。ステージ２０には、内側誘電部２６の表面から延びてステージ２０の処理ヘッド１０と対向する側以外の面へ抜ける通気孔２９を設ける。好ましくは、第１ステージ部２１と第２ステージ部２２との対向面どうし間に間隙を形成し、これを通気孔２９とする。 （もっと読む）

流体分配マニホールドは第1プレート及び第2プレートを有する。前記第1プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第1プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第1プレートを変形可能にする厚さを有する。前記第2プレートは、長さ次元、幅次元、並びに、前記第2プレートの長さ次元及び幅次元のうちの少なくとも1つにわたって前記第2プレートを変形可能にする厚さを有する。少なくとも前記第1プレート及び前記第2プレートの少なくとも一部は、流体流を導く流路を画定する凹凸パターンを画定する。前記第1プレート及び前記第2プレートは1つとなって、前記長さ次元と前記幅次元のうちの少なくとも1つに沿った高さ次元において非平面形状を形成する。
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【課題】被処理基板に対して均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、チャンバ２と、チャンバ内で基板Ｇが載置される、下部電極として機能する基板載置台３と、基板載置台３と対向するように設けられ、高周波電力が印加される上部電極１５と、チャンバ２内に処理ガスを導入するシャワーヘッド５と、チャンバ２内を排気する排気装置２８とを具備する。上部電極１５は、２つの電極部材１６、１７からなり、これら電極部材１６、１７に高周波電力が印加された際に各電極部材に定在波が形成され、電極部材１６、１７に形成された複数の定在波の総和によって前記電極平面に形成される電圧分布が均一になるように、電極部材１６、１７の配置またはこれらに形成される定在波の分布が調整される。 （もっと読む）

流体分配マニホールドは、第１のプレートと第２のプレートとを備える。少なくとも第１のプレートおよび第２のプレートの少なくとも一部は、レリーフパターンを画成する。レリーフパターンによって画成される流体流配向パターンを第１のプレートおよび第２のプレートが形成するように、第１のプレートと第２のプレートとの間に金属結合剤を配設する。
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【課題】基体温度が高温（例えば、５９０℃以上）のみならず低温（例えば、４５０〜５５０℃）であっても膜中に残留する塩素濃度を効率よく低減することができ、かつ、酸化錫の結晶粒が大きく成長した膜を成膜することができる酸化錫膜付き基体の製造方法の提供。
【解決手段】加熱した基体上に、気化した塩化錫、酸化ガスおよび気化したアンモニア類を含有する原料ガスを吹き付けて酸化錫を成膜する、酸化錫膜付き基体の製造方法。 （もっと読む）

【目的】
電流密度分布を均一化し、均一な発光強度分布及び高い発光効率の得られる、量産性に優れた高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質と成膜速度を確保でき、触媒線のねじれや振動を抑えて触媒線を安定させ、膜厚の均一性を確保することができ、特に、大面積の成膜領域に成膜を行う場合に有効な触媒化学気相成長装置を提供すること。
【解決手段】触媒化学気相成長装置は、真空チャンバ３と、基板Ｓを保持するホルダ１と、触媒線６と、交流電源装置８とを具備する。各触媒線６の長さは２ｍ以上あり、各触媒線６は、反応室２内を垂直方向に垂下し、反応室２内の下部の領域で鉛直方向に折り返されるようにして真空チャンバ３に吊り下げられる。前記基板と前記触媒線間の間隔を６０〜２００ｍｍとする。これにより、良好な膜質と成膜速度を確保できる。また、電源は触媒線に交流電圧を印加することで触媒線のねじれや振動が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内におけるエッチング処理の均一性を向上する。
【解決手段】プラズマ生成用の高周波電力が供給される下部電極３に対向する上部電極４に対し，電気特性調整部５０を設ける。電気特性調整部５０は，処理空間Ｋから上部電極４に流れ込む電流の電流値が最大にならないように，プラズマＰから見た上部電極４側の回路の電気特性を調整できる。エッチング処理時に，前記回路が共振しないので，エッチング処理の面内均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】垂直方向に折り返すようにチャンバの内部に吊り下げられた触媒線のねじれを抑制し、所望の精度で成膜を行うことが可能な触媒化学気相成長装置、特に、大面積の成膜領域に成膜を行う場合に有効な触媒線化学気相成長装置を提供すること。
【解決手段】触媒線６がＺ軸を中心に時計回りの方向にねじれるとき、折り返し部６３は、円柱部３０ｂ，３０ｃから離れ、円柱部３０ａ，３０ｄに近づくように図中矢印で示す方向にＺ軸回りに回転する。回転した折り返し部６３の垂下部６１側の端部が円柱部３０ａに当接し、垂下部６２側の端部が円柱部３０ｄに当接して触媒線６のねじれがＹ軸方向で規制される。また、このとき、垂下部６２は平板部２０から離れ、垂下部６１は平板部２０に近づく如く位置ずれする。位置ずれした触媒線６の垂下部６１が平板部２０の端部２１ｃに当接して触媒線６の位置ずれがＸ軸方向で規制される。 （もっと読む）

【課題】大電流が触媒線に流された場合でも、触媒線又は触媒線と接続された接続端子からの放電を抑制することができる触媒化学気相成長装置を提供すること。
【解決手段】触媒線６、接続端子１２、及び電源回路８を有する触媒線発熱回路２０を、接地された真空チャンバ３に対して電気的にフローティング状態となるように設ける。仮に触媒線発熱回路２０の電位がグランド電位であると、触媒線６に電力が印加される際に、触媒線６又は接続端子１２から、真空チャンバ３の外壁内面等に向けて放電が発生してしまうことが懸念される。しかしながら、触媒線発熱回路２０はフローティング状態であるので、その電位がグランド電位となることはなく、電源回路８により大電流が触媒線６に流された場合でも、触媒線６又は接続端子１２からの放電を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層本来の性能を低下させることなく、有機エレクトロルミネッセンス基板上の電極接続部にのみパッシベーション層が被覆しないようにパターニング成膜することのできる有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法とそれに用いるマスクを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に、第一電極と、前記第一電極上に有機発光層を含む有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層を挟んで第一電極と対向するように第二電極を有し、前記第二電極上にパッシベーション層を有し、前記パッシベーション層上に接着層を有し、前記接着層上に封止基板を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記パッシベーション層は、マスク開口部の上下端に突起部を設けたパッシベーション層成膜用マスクを用いて、ＣＶＤ法によりパターニング成膜される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができ、かつ、歩留まりの高い薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】本発明の実施の形態１に係る薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板１０の上に少なくともゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体層１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５及び保護層１６を具備する薄膜トランジスタの製造方法であって、保護層１６が真空紫外光ＣＶＤ法により形成されるものであり、ゲート絶縁層１２の上の全面に保護層１６となる膜を成膜する工程と、保護層と１６なる膜をパターニングなしにエッチングしソース電極１４とドレイン電極１５の表面を露出させ保護層１６のパターンを形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体層を構成する化合物半導体と異なる材料からなる基板とこの上に成膜されたＩＩＩ族化合物半導体層を有し、発光波長の波長分布σが５ｎｍ以下の化合物半導体ウェーハを提供する。
【解決手段】サファイア基板上にＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を成膜し発光波長の波長分布σが５ｎｍ以下の化合物半導体ウェーハの製造方法であって、反り量Ｈが−１０μｍ＜Ｈ＜０の範囲であり、直径Ｄが５０ｍｍ〜１５５ｍｍの範囲であり、厚さｄが０．４ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲であるサファイア基板上に、合計の厚さが８μｍ以上１５μｍ以下のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程を有し、前記サファイア基板の前記直径Ｄと前記厚さｄとが、下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする化合物半導体ウェーハの製造方法。
０．７×１０^２≦（Ｄ／ｄ）≦１．５×１０^２ （１） （もっと読む）

【課題】液晶や太陽電池などの製造において、プラズマＣＶＤ装置の大面積化の要求のため、大面積の領域に均一なプラズマを発生させて、高周波電極の隅部での膜厚増加を抑え、プラズマの成膜領域の全面積で均一な成膜厚を実現する。
【解決手段】大面積基板に成膜を行うプラズマＣＶＤ装置であって、真空容器１内に被成膜処理を行う基板６を戴置する基板電極４と、これに対向する高周波電極５と、高周波電極５に高周波電力を供給する高周波電力部２と、真空容器１内に成膜ガスを供給するガス供給部３と、高周波電極５を囲むように設けられたシールド電極１０と、高周波電極５の隅部を覆うように、基板電極４に対向して設けられたコーナープレート１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】該方法には、ＴＥＯＳ酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。 （もっと読む）

【課題】複数種類の面方位のＹＡＧ（Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２）のいずれにも簡易な工程でＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】半導体素子１０において、ＹＡＧ基板１２は、面方位（１００）、（１１０）、（１１１）のいずれかの単結晶基板として形成される。半導体素子１０を製造する場合、まずＹＡＧ基板上にＴＭＡｌガスを供給し、ＩＩＩ族元素であるアルミニウムにより核形成層１８を形成する。次に核形成層１８の表面にＮＨ_３ガスを供給して核形成層１８の表面をＶ族化してＡｌＮからなるＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４を形成する。次にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４上にＴＭＡｌガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスを供給してＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０を形成する。最後にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０上にＩＩＩ族窒化物半導体層１６を成長結晶させる。 （もっと読む）

【課題】ロール電極の内部を流通する冷却液が、ロール電極を構成する部材どうしの接合面を通してロール電極の外面へ漏れ出たとしても、処理の安定性が損なわれるのを防止するプラズマ表面処理装置の提供。
【解決手段】ロール電極１の円筒部２０の端壁部３０Ｌを構成する複数の部材３１Ｌ，３３Ｌどうしの接合面５４Ｌが、冷却液路６０に達して内側接合線５５Ｌを形成し、かつ端壁部３０Ｌの外面に達して外側接合線５６Ｌを形成している。端壁部３０Ｌの外面における、放電面２１ａとの境界１ｂと外側接合線５６Ｌとの間に、端壁部３０Ｌの周方向に沿って延びる溝４１Ｌを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体又は液晶パネル製造装置における排ガス処理系配管内における珪フッ化アンモニウムの付着・堆積を抑制して、排気配管または排気設備の清掃周期を短くする珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともプロセスガスとしてアンモニアガス、クリーニングガスとしてフッ素化合物、及びプロセスガス又はクリーニングガスのいずれかに珪素化合物を含有するガスを使用する薄膜形成装置（Ａ）から、該薄膜形成装置（Ａ）で発生する排ガス（Ｇ）を処理する燃焼式排ガス処理装置（Ｂ）に該排ガス（Ｇ）を移送するための排ガス処理系配管（Ｃ）内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法であって、珪フッ化アンモニウムが堆積する可能性のある排ガス処理系配管（Ｃ）部を加熱して、該配管内表面温度を１２０〜１６０℃に維持することを特徴とする、排ガス処理系配管（Ｃ）内における珪フッ化アンモニウムの堆積抑制方法。 （もっと読む）