【課題】成膜材料のマスクパターンへの付着を低減し、大型の被処理基板の成膜にも好適な光ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】処理室と、該処理室内に設けられ、被処理体を載置するための基板載置部と、載置された前記被処理体の表面にＶＵＶ光を照射するためのＶＵＶ光源を備えた光ＣＶＤ装置であって、前記処理室の内部に、更に、前記被処理体の表面に接触して配置されるマスクを設け、このマスクの本体２０１には、梁２０２と共に、成膜用ガスの付着を抑制する温度（１００℃）に前記マスクを保持するための熱線２０３が一体に設けられ、又は、フレーム２０５にも前記マスクの温度を当該温度に保持するための熱線や加熱配管が一定に形成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、成膜の生成効率を向上できる光ＣＶＤ法を用いた基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前記処理用ガスに第１の光を、前記第１の光を透過する第１の透過窓を介して第１の照射をし、前記第１の照射によって発生した第１の成膜ガスを前記処理室内の基板に堆積させて成膜する際に、前記処理室に前記処理用ガスを導入する前に、前記処理用ガスを所定の温度まで加熱し、前記加熱された処理用ガスに第２の光を、前記第２の光を透過する第２の透過窓を介して第２の照射をし、前記第２の照射によって第２の成膜ガスを発生させ、前記第２の成膜ガスと第２の照射によって未反応である前記処理用ガスとを前記処理室に導入し、前記第１の成膜ガスと第２の成膜ガスとを前記基板に堆積させて成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバと、プラズマチャンバ内に取り付けられるサセプタ１２であって、４隅と周辺を有するサセプタ１２と、サセプタ１２とプロセスチャンバ壁との間に接続される複数の導電性ストラップ６０〜６４と、を備え、複数の導電性ストラップ６０〜６４は、サセプタの４隅にそれぞれ接続される４本の導電性ストラップ６１，６２，６３，６４とサセプタ１２の中心１６に接続される導電性ストラップ６０を有する。 （もっと読む）

【課題】処理室の蓋体を安定して保持し、反転させることが可能な蓋体保持治具を提供する。
【解決手段】処理室８１の上部に設けられた蓋体８３を、当該蓋体８３から取り外された状態で保持する蓋体保持治具１において、保持部２は蓋体８３の周縁部を保持し、基体３１、３４、５３は、前記保持部２に保持された蓋体８３を反転させるために当該保持部２を水平な回転軸５２周りに回転自在に支持する。固定機構４は、前記保持部２に対して蓋体８３を固定する固定位置と、当該蓋体８３の固定が開放される開放位置と、の間で固定部材４４を移動させる。 （もっと読む）

【課題】透明性を向上させたＳｉＮxＯyＣz膜、および成膜速度を向上させた薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】被成膜基材２にＲＦバイアスを印加し、１ターンのコイル６にＩＣＰ出力を印加して誘導結合プラズマを発生させ、誘導結合プラズマによって有機金属を含む原料ガスを分解するＣＶＤ法を用いることによりＳｉＮxＯyＣz膜を形成する。ＳｉＮxＯyＣz膜は、x、y及びzそれぞれが下記式（１）〜（３）の範囲である。０．２＜x＜１．５・・・（１）、０．３＜y＜０．８・・・（２）、０．０３＜z＜０．４・・・（３） （もっと読む）

【課題】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。
【解決手段】少なくともハロゲン化アルミニウムガスを含むＩＩＩ族原料ガスと窒素源ガスの原料ガスをベース基板１６表面に沿った流れで供給し、アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層を該ベース基板表面に成長させるアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置において、反応部へ供給するまでの原料ガスの温度を該ガスの反応温度未満とし、かつアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層が成長するベース基板表面に対向する反応部内の面に加熱面を有する第二加熱手段１９を設置したことを特徴とするアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置である。 （もっと読む）

【課題】高価な装置を用いずに透明性に優れた酸化マグネシウム膜を効率良く簡便に形成すること。
【解決手段】原料水溶液として、酢酸マグネシウム四水和物１０ｇを水１９０ｇに溶解し、さらにエチレングリコールを２ｇ添加したものを用意する。原料水溶液を原料霧化装置２の霧化容器２１内に入れると共に、反応空間６１の底部にセットした基板８をヒータ７によって４００℃まで昇温させる。超音波振動子２２を作動させて原料水溶液を霧化し、空気に原料水溶液のミストをキャリアさせた原料ガスを反応空間６１に供給する。基板８の表面に沿って原料ガスが流れると、基板８の表面に酸化マグネシウム膜が形成される。形成された膜は、膜厚が厚くなっても透過率が低下しないことが確認された。また、エチレングリコールの代わりにジエチレングリコールを用いても同じ結果が得られることが確認された。 （もっと読む）

【課題】簡便にＡｌＮ半導体を製造することができると共に、ＡｌＮの成長速度をより広い範囲で制御することが可能であり、尚且つ、不純物の混入のおそれを可及的に排除して、結晶性に優れた電子デバイス用のＡｌＮ半導体が得られるＡｌＮ半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】III族元素以外の不純物成分の合計が０．００１重量％以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ₃ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させる電子デバイス用のＡｌＮ半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤ法やＣＶＤ法では、膜厚の増加に対しガスバリア性が飽和しやすい問題に対して、更に高いガスバリア性を持った透明、もしくは半透明なガスバリア性積層体の製造方法とガスバリア性積層体を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】低いプロセス温度で形成でき、高い水蒸気バリア性と高い光透過性とを備え、かつ、プラスチック基板等のフレキシブルな有機材料からなる基板の封止に使用できる、ＳｉＮｘ膜のバリア膜を提供する。
【解決手段】
表面波プラズマＣＶＤ装置を用いて、窒素Ｎと珪素Ｓｉの原子比率を表す比率Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ）が０．６０から０．６５の間である窒化珪素（ＳｉＮ_ｘ）からなるバリヤ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】大型基板であっても、基板とマスクとを精度良くアライメントを行うことができる技術を提供する。
【解決手段】プラズマCVD装置1は、真空処理槽2内に反応ガスを導入し、サセプタ4上に配置された基板10上にマスク7を介してCVD法で成膜するもので、マスク支持機構58と、駆動部53と、CCDカメラ51と、アライメント制御部6とを備える。真空処理槽2の本体部22には、マスク支持機構58の作動部材55を真空処理槽2の外部から内部へ貫通し且つアライメントの際マスク支持機構58の作動部材55が三次元的に移動可能な形状に形成された動作用孔部23を有する。マスク7を基板10から離間させた状態で、基板10とマスク7との重なり部分の像をCCDカメラ51で取り込み、アライメント制御部6にて得られた結果に基づき駆動部53を動作させ、マスク7のアライメントを行う。 （もっと読む）

【課題】大型の重たい基板を大気から遮断して加熱処理またはその上に膜を形成したい製造工程がある。そのためには、大型の真空装置を必要とし、基板の搬送移動は大掛かりになり、デバイス製造のコストを押し上げていた。
【解決手段】加熱した高温の加圧ガスを加熱したプレートの溝から基板に向けてライン状に吹き付ける。当該ガスは基板を支持しながら加熱する。吹き出し溝に挟まれて配置した排気溝から当該ガスは排気される。この構造は大気の進入を遮蔽し、またプレート内部からのガスが大気に放出されるのを遮蔽する。この遮蔽構造は１ｍを超える重たい基板であっても、それを１）浮上させて支持し、２）気体で断熱し、３）ガスで加熱し、４）大気から遮蔽して熱処理または成膜処理を常圧で行うことを可能にし、製造コストを押し下げる。 （もっと読む）

【課題】基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板１５を支持する底面サセプタ部１４ａと、サセプタ１４ａ，ｂの上面に沿って流れる材料ガス流を供給するノズル１１と、を含む。サセプタ１４ａ，ｂは、それぞれが基板と同一材料からなる、底面サセプタ部１４ａの上面に基板に嵌合する凹状の基板保持部を画定する外周サセプタ部１４ｂとサセプタ１４ａ，ｂの裏面を画定する底面サセプタ部１４ａとから構成されていること、外周サセプタ部１４ｂは、基板１５の上面と同一平面となる基板保持部を囲む上面を有しかつ、基板保持部を囲む上面が基板の上面の結晶面方位と同一の結晶面方位を有する。 （もっと読む）

【課題】無機層の間に有機層が形成されているバリア性積層体であって、有機層と上下の無機層との密着性が良好であり、且つ曲げ耐性も良好で水蒸気透過率も低いバリア性積層体およびその製造方法の提供。
【解決手段】（Ａ）重合性酸性化合物またはオリゴマーもしくはポリマーである酸性化合物、（Ｂ）重合性化合物および（Ｃ）シランカップリング剤を含む第１の有機層用組成物を第１の無機層の上に適用し、硬化させる第１の有機層形成工程と、前記第１の有機層の上、または前記第１の有機層の上に設けた１層もしくは２層以上の有機層の上に、（Ｄ）重合性化合物および（Ｅ）シランカップリング剤を含む第２の有機層用組成物を適用し、硬化させる第２の有機層形成工程と、前記第２の有機層の上にプラズマ製膜法によって第２の無機層を形成する工程とを含むことを特徴とするバリア性積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐熱性、耐衝撃性、及び寸法安定性に優れたガスバリア性積層体フィルムを提供する。
【解決手段】籠型シルセスキオキサン構造を有した硬化性樹脂を含んだ硬化性樹脂組成物からなり、引張応力−ひずみ曲線における引張弾性率が２０００MPa以上、線膨張係数が８０ppm/K以下、及びガラス転移温度が３００℃以上である第一の層と、籠型シルセスキオキサン構造を有した硬化性樹脂を含んだ硬化性樹脂組成物からなり、引張応力−ひずみ曲線における引張弾性率が１００MPa以上であって第一の層の引張弾性率未満であり、かつ、降伏点を有して塑性変形を示す第二の層とが積層され、この積層物の一方の面、又は両方の面には、ガスバリア層が設けられていることを特徴とするガスバリア性積層体フィルムである。 （もっと読む）

【目的】
シングルドメインの高品質且つ平坦な結晶層を成長できるフローチャネル方式のＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板と平行に基板側から不活性ガスを噴出する第１のチャネル、材料ガスを噴出する第２のチャネル及び不活性ガスを噴出する第３のチャネルがこの順で層状に構成されたノズルを備え、第２のチャネルには、酸素含有化合物を噴出する第１のサブチャネル及び有機金属化合物を噴出する第２のサブチャネルが基板と平行方向に交互に並んで配置され、ノズルから噴出されたガスは、少なくとも基板端まで当該ノズル端から延長された天板および底板で構成されたフローチャネルで誘導される。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを形成するための成膜方法、およびこれらの成膜方法を用いて形成されたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】成膜方法は、長尺の基板をドラムの表面の所定の領域に巻き掛け、所定の搬送方向に搬送しつつ、所定の真空度のチャンバ内で基板の表面に無機膜を形成する方法であり、チャンバ内に基板の表面に無機膜を形成する成膜部と、水分を吸着する機能を有する金属を基板以外のものに蒸着する蒸着部とが設けられており、成膜部により基板の表面に無機膜を形成する前、および無機膜の形成中の少なくとも一方のタイミングで蒸着部による蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。
【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。 （もっと読む）

【課題】基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光デバイスを成膜する気相成長装置において、基板保持凹部１４ａに基板１６を保持したときに、基板１６のオリフラ部１６ａと基板保持凹部１４ａの内周面との間に生じる隙間に、該隙間の形状と同一の形状を有し、基板の厚さと同一の厚さを有する嵌合部材２８を配置する。 （もっと読む）