【課題】被処理物の温度をより均一にすることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物２の温度を制御する温度制御機構３０が、アノード電極３１に設けられる。温度制御機構３０は、加熱器３３、冷却管３４、および低熱伝導物質３５を含む。冷却管３４は、端面３１Ｔからアノード電極３１の内部に入り込み、アノード電極３１の表面３１Ｓに沿うように加熱器３３と並んで延設される。冷却管３４には端面３１Ｔ側から冷却用媒体が通流される。低熱伝導物質３５は、端面３１Ｔから冷却管３４を取り囲みつつアノード電極３１の内部に入り込むように所定の長さＬ２で延在し、冷却管３４の長手方向における一部とアノード電極３１との間を埋める。低熱伝導物質３５は、冷却管３４の長手方向における残部とアノード電極３１とが直接接触している部分の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて生じるリーク電流を抑えつつ、表示装置の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】基板３０１と、基板３０１に形成されている複数の薄膜トランジスタＴＦＴと、を有する表示装置であって、薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極３０３と、ゲート電極３０３の上側に配置される微結晶半導体層３０５と、微結晶半導体層３０５上に配置される非晶質半導体層３０６と、を有し、非晶質半導体層３０６の水素濃度が、１２ａｔｏｍ％以下である、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】蓋体の開閉動作に必要なスペースを抑制することができる処理装置およびそのメンテナンス方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ６０内で被処理体に所定の処理を施す処理装置であって、処理チャンバ６０は、チャンバ本体６１と、このチャンバ本体６１の上に開閉可能に設けられた蓋体６２と、この蓋体６２を開閉する開閉装置６３とを具備し、開閉装置６３は、蓋体６２を、蓋体６２がチャンバ本体６１に接触せずに垂直方向に回転可能な非接触回転位置まで上昇させることが可能な昇降機構１５０と、蓋体６２を垂直方向に回転させる回転機構１６０と、蓋体６２が垂直状態でチャンバ本体６１と重ならない位置まで蓋体６２をスライドさせるスライド機構と１４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージ電極の表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ電極２０を電極本体２１と電極板２２とに分割する。電極本体２１の周端面２１ｅと電極板２２の周端面２２ｅとは互いに面一になっている。ステージ電極２０の外周に沿って複数の枠部材３０を設ける。これら枠部材３０を進退機構５によって退避位置と進出位置との間で進退させる。枠部材３０を進出位置に位置させると、枠部材３０の位置決め面３３が上記周端面２１ｅ，２２ｅに当接し、電極板２２が位置決めされる。また、枠部材３０の段差３１によって被処理物９が位置決めされる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のステージの表面が損傷したとき、上記表面部分だけを容易に交換できるようにする。
【解決手段】ステージ２０を、ステージ本体２１とその上側の表面板２２とに分割する。ステージ２０を挟んで両側には、処理ヘッド１０の移動に用いる一対のレール６１が設けられている。このレール６１上にステージ保守用クレーン３０を設置する。クレーン３０のフレーム３１の一対の支え部３２の下端部にスライダ３４をそれぞれ設け、これをレール６１にスライド可能に嵌合する。フレーム３１の天井部３３に吊具５１を昇降可能に垂下し、これに連結部５２を設ける。好ましくは、連結部５２をボルト５５にて表面板２２の端面に連結する。 （もっと読む）

【課題】熱伸びせず、耐久性に優れた通電加熱線、通電加熱線の製造方法及びこの通電加熱線を用いた真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る通電加熱線（ＴａＢＮ線２０）は、窒化タンタル線からなる第１の層２１と、第１の層２１の表面を被覆し、例えばホウ化物からなる第２の層２２を有する。すなわち、強度が高く変形が少ない窒化タンタル線の表面を、第２の層が被覆することによって、高温環境下での窒化タンタル線からの脱窒素を抑制でき、耐久性が非常に高い通電加熱線として利用できる。また、このようなＴａＢＮ線２０を用いた真空処理装置は、コストの低減・生産性の向上を図れると同時に、基板成膜時の膜質安定化も期待できる。 （もっと読む）

【課題】矩形基板に正対した状態のプラズマを生成することができるアンテナユニットおよびそれを用いて矩形基板に均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】輪郭が矩形状をなす平面型のアンテナ（１３ａ）を有するアンテナユニットにおいて、アンテナ（１３ａ）は、複数のアンテナ線（６１，６２，６３，６４）を、同一平面内において、辺の中央部の巻数よりも角部の巻数が多くなるように巻回して全体が渦巻状になるように構成され、アンテナ線の配置領域が額縁状をなし、アンテナ（１３ａ）の外郭線（６５）および内郭線（６６）で囲まれた額縁領域（６７）が、アンテナ（１３ａ）の対向する２辺を貫く中心線について線対称となるように、各アンテナ線に屈曲部（６８）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、小型で簡潔な構成のプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。蓋６の下面にマニホールド８、１０やガス供給穴９、１１となる溝が形成されており、２つの部材の表面に沿って染み出してくる構成である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板を用いた化合物半導体基板において、化合物半導体基板の機械強度低下と熱伝導率低下を、Ｓｉ単結晶基板のドーパント濃度制御で低減する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板上に中間層とデバイス活性層を備えた化合物半導体基板で、Ｓｉ単結晶基板は、中間層側の一主面の表面から厚さ方向に向かってドーパント濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域１と、ドーパント濃度が連続的に減少する遷移領域１と、ドーパント濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域２と、ドーパント濃度が連続的に増加する遷移領域２と、ドーパント濃度が１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域３とからなる。 （もっと読む）

【課題】高い寸法精度で製造することができ、かつパーティクル・ダストの排出を抑制することができるガスノズルを提供する。
【解決手段】ガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２，１４を備えた本体１３を有する。本体１３は、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面に複数の環状の段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有し、ガスが流れる方向における各段差部１６ａ，１６ｂ，１６ｃの上流よりも下流において、貫通孔１２，１４のそれぞれの内周面が、より中心側に位置している。 （もっと読む）

【課題】送達装置から固体前駆体化合物が枯渇するまでのプロセス全体にわたって均一で高濃度の前駆体蒸気を送達することができる送達装置を提供する。
【解決手段】送達装置１００は入口１０４および出口１０８を含む。この送達装置は入口チャンバー１１４および出口チャンバー１２０を含み、出口チャンバーは入口チャンバーに対して反対側にあり、かつ円錐セクション１１６を介して入口チャンバーと流体連通している。出口チャンバーは迷路１１０を含み、この迷路は送達装置に収容される固体前駆体化合物の固体粒子が送達装置から出るのを妨げ、一方で同時に固体前駆体化合物の蒸気が出口を通って送達装置から出るのを可能にするように機能する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦアンテナに１対１で対応するプラズマをパワーに応じて生成することができ、処理室内のプラズマ分布を任意に制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｇにプラズマ処理を施す真空排気可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内で、基板Ｇを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２と処理空間Ｓを隔てて対向配置された誘電体窓３０と、誘電体窓３０を介して処理空間Ｓと隣接する空間内に設けられた複数又は多重のＲＦアンテナ３１ａ、３１ｂと、処理空間Ｓに処理ガスを供給するガス供給部３７、３６と、複数又は多重のＲＦアンテナ３１ａ、３１ｂに高周波ＲＦ_Ｈを印加して誘導結合によって処理空間Ｓ内にプラズマを発生させる高周波電源とを有し、誘導磁場合成防止手段として複数又は多重のＲＦアンテナ相互間に対応する誘電体窓の下面に誘電体からなる突出部３４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高信頼性、良好な表面状態を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型クラッド層６、及びｐ型ｐ型電流分散層７を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハ１であって、ｐ型ｐ型電流分散層７中の水素濃度の平均値を１．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下にしたものである。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬデバイスを作製する際、大型の成膜対象物の表面に分布が均一な成膜を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】真空槽２内に設けられたプラズマＣＶＤ装置３と蒸着重合装置４とを備える。プラズマＣＶＤ装置３のプラズマ放出器１０は、原料ガス供給源３Ｂから原料ガスがそれぞれ供給され互いの雰囲気が隔離されたガス分岐ユニット６１〜６４と、ガス分岐ユニット６１〜６４において拡散された原料ガスのプラズマを形成するプラズマ形成室５１とを有する。蒸着重合装置４の蒸気放出器１１０は、原料モノマー供給源４Ｂから原料モノマーの蒸気がそれぞれ供給され互いの雰囲気が隔離された複数の蒸気分岐ユニット１０１Ａ、１０１Ｂと、蒸気分岐ユニット１０１Ａ、１０１Ｂにおいて拡散された複数の原料モノマーの蒸気を混合する蒸気混合室１５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】均一な密度のプラズマを発生させることができるプラズマ発生用電極及びプラズマ発生装置の提供。
【解決手段】基板との間にプラズマを発生させる平面部材１１０と、平面部材１１０と電気的に連結される地点である複数の給電点を通じて平面部材１１０に高周波信号を提供し、高周波信号が供給される供給地点からそれぞれの給電点に至る経路上で、給電点に近いほどアドミタンスを低減させる線形部材１２０と、を備え、線形部材１２０は、直線上で互いに隣接して配される４つの給電点のうち、２つの給電点を互いに連結するが、給電点が配された直線を備えて平面部材１１０と一定の角度をなす平面から離脱して配される第１部材と、４つの給電点のうち、第１部材が連結された給電点を除外した２つの給電点を互いに連結するが、給電点が配された直線を備える平面に対して第１部材と相互対称となる形状に配される第２部材を備える接続ユニットと、を備える。 （もっと読む）

【課題】大面積基板上に均一なプラズマを励起することが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、内部に基板Ｇを載置する載置台１１５と載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器１００と、真空容器１００の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する第１の同軸管２２５と、第１の同軸管２２５に接続され、プラズマ空間に向けてスリット状に開口する導波路２０５と、導波路２０５を前記スリット状の開口の長手方向に伝搬する高周波の波長を調整する調整手段とを有する。前記調整手段により導波路２０５を伝搬する高周波の波長を十分に長くすることにより、前記スリット状の開口に長手方向に沿って均一な高周波電界を印加することができる。 （もっと読む）

【課題】電極に形成された導波路を伝搬する高周波を制御可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部に、基板Ｇを載置する載置台１１５と該載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器１００と、第１の電極部２００ａと第２の電極部２００ｂとの２つの電極部に分離され、真空容器の内部に間隔を開けて配列された複数の電極対２００と、２つの電極部を横断するように設けられ、真空容器の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する複数の同軸管２２５とを備え、複数の同軸管の内部導体は２つの電極部の一方、外部導体は他方に接続され、複数の同軸管から供給された高周波が２つの電極部間に形成された導波路２０５を伝搬した後、導波路に設けられた誘電体板２１０のプラズマ露出面から真空容器に放出してプラズマを励起するプラズマ処理装置１０が提供される。 （もっと読む）

【課題】水分が侵入することによって発光等の機能が欠損される表示装置において、水分の混入を低減させ発光等の機能が欠損されるのを抑制することができる表示装置の提供を目的とする。
【解決手段】複数の発光素子を備える表示装置であって、前記複数の発光素子を覆うように形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の少なくとも一部と化学的に結合され、前記パッシベーション膜に含まれる孔を閉塞する水蒸気バリア性を有する水蒸気バリア膜と、を備えることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、成膜の生成効率を向上できる光ＣＶＤ法を用いた基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前真空室である処理室に処理用ガスを導入し、前記処理用ガスに第１の光を、前記第１の光を透過する第１の透過窓を介して第１の照射をし、前記第１の照射によって発生した第１の成膜ガスを前記処理室内の基板に堆積させて成膜する際に、前記処理室に前記処理用ガスを導入する前に、前記処理用ガスを所定の温度まで加熱し、前記加熱された処理用ガスに第２の光を、前記第２の光を透過する第２の透過窓を介して第２の照射をし、前記第２の照射によって第２の成膜ガスを発生させ、前記第２の成膜ガスと第２の照射によって未反応である前記処理用ガスとを前記処理室に導入し、前記第１の成膜ガスと第２の成膜ガスとを前記基板に堆積させて成膜することを特徴とする。 （もっと読む）