【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】アレイアンテナユニット３０を保持して真空チャンバ１内を移動可能なアンテナ搬送体は、複数本の電極棒５１、５２を垂下させた状態でアレイアンテナユニット３０を保持する一対の支柱７５ａ、７５ｂと、これら一対の支柱７５ａ、７５ｂ間に懸架され、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に長手方向を沿わせて位置する調整部材７８と、を備える。調整部材７８は、アレイアンテナユニット３０の電極棒５１、５２の配列方向に延在する延在部７８ａ、および、延在部７８ａから当該延在部７８ａの長手方向に交差する方向に突出し、隣り合う電極棒５１、５２の対向面に臨む移動制限部７８ｂを有する。移動制限部７８ｂは、延在部７８ａの長手方向に交差する方向にスライドして、電極棒５１、５２の対向面から退避可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】単純な形状で必要最小限に抑えた耐摩耗性の良い材料を用い、成膜条件の安定化と低コスト化とを実現する回転支持構造を有する成膜装置を提供することである。
【解決手段】ガイド部材１３と、自転リング１４と、両部材間に配された転動体１６とを備え、高温環境下で重力方向を回転軸として回転する回転支持構造１５を有する成膜装置であって、回転軸と平行な方向において、転動体１６とガイド部材１３との間に第１レール１７を、転動体１６と自転リング１４との間に第２レール１８をそれぞれ配し、第１及び第２レール１７、１８の転動体１６との接面は回転軸に垂直である構成とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア、ＧａＡｓ、シリコンまたは炭化ケイ素といった異種基板上で第３族窒化物の半導体材料の層を１層以上成長させる上で遭遇する、少なくともいくつかの問題に対処する。
【解決手段】ラミネート基板システムは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（５）と支持基板材料（４）（または当該材料と一般化学組成が同一である材料）とが交互に積層された多数の層からなる変成遷移領域（２）を含む。転位密度が低い第３族窒化物半導体素子（２）がラミネート基板システム上に形成される。変成遷移領域（２）の多数の層（４、５）は、格子定数が支持基板（１）（支持基板付近）の格子定数から素子（３）（素子付近）の格子定数へと成長方向に沿って変化する超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物半導体を再現性良く形成することができる窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板とアルミニウムを含有するターゲットとを距離をあけて配置する工程と、サファイア基板とターゲットとの間にＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加して行なわれるＤＣマグネトロンスパッタ法によりサファイア基板の表面上にアルミニウム含有窒化物中間層を形成する工程と、を含み、アルミニウム含有窒化物中間層上に（００４）面を主面とする窒化物半導体を形成する工程とを含む窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐熱性、耐衝撃性、寸法安定性、及びガスバリア性に優れるロール状ガスバリア性積層体フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】籠型シルセスキオキサン構造を有する硬化性樹脂を含んだ硬化性樹脂組成物からなり、引張応力−ひずみ曲線における引張弾性率が２０００MPa以上１００００MPa以下、線膨張係数が８０ppm/K以下、及びガラス転移温度が３００℃以上である第一の層と、籠型シルセスキオキサン構造を有した硬化性樹脂を含んだ硬化性樹脂組成物からなり、引張応力−ひずみ曲線における引張弾性率が１００MPa以上であって、第一の層の引張弾性率の８０％以下であり、且つ塑性変形を示し、ガラス転移温度が３００℃以上である第二の層とが、厚み比率（第二の層の厚み÷第一の層の厚み）０．０１以上５．０以下で積層されてなり、かつ、その一方の面又は両方の面にガスバリア層を設けたガスバリア性積層体フィルム。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が大きい原料と、その原料を用いたガスバリア性能が大きい炭素含有酸化ケイ素からなる組成膜を提供する。
【解決手段】アルコキシアルキルがケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下式１、４を原料として用い、プラズマ励起化学気相成長法により炭素含有酸化ケイ素からなる膜を形成する。


（もっと読む）

【課題】大型の基板を真空中で処理するための真空容器において、軽量化、材料コストの低減を図り、比較的容易に製造し、運搬時の取り扱いを容易にすることができる真空容器、及び、そのような真空容器を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】金属板が折り曲げられて形成され互いに結合されて内部に閉空間を構成する２枚を一組とする板材と、一組の板材が形成する閉空間の内面に当接されて閉空間に配置される補強板と、一組の板材の結合部を結合する締結部材と、を備えることを特徴とする真空容器であり、それを備えた真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】ウェハやＦＰＤ用基板等の処理基板の処理装置を構成する真空容器に関するものであり、真空容器を構成する筐体に設けられた封止部材が接する部分を傷付けることなく、蓋板の開閉ができる真空容器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る真空容器は、開口部を有する筐体と、封止部材を備えた蓋体と、開閉可能な前記蓋体によって前記筐体の開口部を封止する真空容器において、前記蓋体の封止部材取付部より外側に傾斜部を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光効率が低下しない表示装置を提供する。
【解決手段】発光部１５が位置する凹部１３が充填膜２７で充填されてから無機膜２８が形成されるので、無機膜２８に亀裂が生じない。無機膜２８はダイヤモンドライクカーボンやＡｌＮのように、気密性と熱伝導性が高い材料で構成されているので、発光部１５に水や酸素が進入し難いだけでなく、発光部１５の熱は無機膜２８に伝達され、発光部１５が高温にならない。更に、第一パネル１０、第二のパネル２０の間の隙間は樹脂膜２９で充填されているので、外部から大気が進入しない。発光部１５は水や酸素や熱によってダメージを受けないので、表示装置１は寿命が長い。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能を有するとともに、折り曲げ耐性、平滑性に優れたガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルム、そのガスバリアフィルムを用いた電子機器を実現する。
【解決手段】樹脂フィルムなどの基材１上に、プラズマＣＶＤ法などの蒸着法によって形成された金属酸化物を含有する蒸着層２と、ポリシラザンを含む液体を塗布し乾燥した後に真空紫外光を照射して形成されたポリシラザン改質層３とを積層した構成のガスバリアフィルム１０において、蒸着層２に真空紫外光を照射するエキシマ処理と、ポリシラザン改質層３にプラズマを照射するプラズマ処理の、少なくとも一方を施すこととした。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生装置を用いた成膜装置で基板に成膜を行う場合に、プラズマ発生開始時またはプラズマ発生停止時に発生するパーティクルの基板への付着を低減する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１内において基板９に薄膜を成膜するプラズマを用いた成膜装置であって、真空容器内にプラズマを用いて基板に成膜を行う成膜領域と成膜を行わない待機領域とを持ち、真空容器内に、基板を戴置した基板トレイ１０が成膜領域と待機領域との間で移動可能とする基板トレイ移動手段１１と、プラズマの発生開始後に、基板トレイの待機領域から成膜領域への移動を可能とし、基板トレイの成膜領域から待機領域への移動後にプラズマの生成停止を可能とするインターロック手段とを更に備える。 （もっと読む）

【課題】フィルムを屈曲させた場合でもガスバリア性の低下を十分に抑制可能な積層フィルムが提供される。
【解決手段】この積層フィルムは、基材と、前記基材の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層は珪素、酸素及び炭素を含有する層であって、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、該層の珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線が、下記条件（i）〜（iii）を全て満たす層を含む：(i)前記炭素分布曲線が実質的に連続であること、(ii)前記炭素分布曲線において、炭素の原子比が、該層の膜厚の全領域において１ａｔ％以上であること、及び (iii) 前記炭素分布曲線は、炭素の原子比が増加の傾斜領域と炭素の原子比の減少の傾斜領域とを有すること。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】貫通穴内にリフトピンが設けられたサセプタが配置された基板処理室内を腐食性物質でクリーニングしても、リフトピンとリフトピン挿通用穴部との間の摺動抵抗が著しく増大するという事態が発生しない基板処理装置、該基板処理装置の基板処理室のクリーニング方法、および当該基板処理装置を用いた電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置４００および基板処理室４１０のクリーニング方法では、基板１０ｓが無い状態でリフトピン４４０を下降させ、リフトピン挿通用穴部４３３をリフトピン４４０の頭部４４３によって塞いだ状態で、基板処理室４１０の内部にフッ素ラジカルを発生させる。この状態で、リフトピン挿通用穴部４３３のピン受け部４３５と頭部４４３とが全周で接する。ピン受け部４３５は平坦面になっているのに対して、頭部４４３の下面４４４には凹部４４６（環状凹部４４６ａ）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物の面方向における温度を簡便な方法によって均一にすることができる加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置２００は、表面２Ｓ上に被加熱物が配置される板状部材２と、表面２Ｓに沿うように配設され被加熱物を加熱する４つの発熱素子３Ａ〜３Ｄと、４つの発熱素子３Ａ〜３Ｄに接続された電力供給手段と、４つのうちいずれかまたは複数同士の発熱素子３Ａ〜３Ｄの接続状態を直列接続および並列接続にそれぞれ変更する接続状態変更手段と、４つのうちいずれかまたは複数の発熱素子３Ａ〜３Ｄの温度を検出する温度検出手段８と、を備え、接続状態変更手段は、温度検出手段８が検出した発熱素子３Ａ〜３Ｄの温度に基づいて、被加熱物に対する加熱量が面方向において均一となるように、４つのうちいずれかまたは複数同士の発熱素子３Ａ〜３Ｄの接続状態を直列接続および並列接続にそれぞれ変更する。 （もっと読む）

【課題】十分なガスバリア性を有しており、しかもフィルムを屈曲させた場合においてもガスバリア性の低下を十分に抑制することが可能な積層フィルムを提供する。
【解決手段】本発明の積層フィルムは、基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、該薄膜層の膜厚方向における該薄膜層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する炭素原子の量の比率との関係を示す炭素分布曲線において、（ｉ) 前記炭素分布曲線が極大値と極小値を有すること、（ｉｉ) 前記炭素分布曲線の極大値が５ａｔ％以下であること、（ｉｉｉ) 前記炭素分布曲線において少なくとも１つの１ａｔ％以上の極大値があることを全て満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物の温度をより均一にすることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物２の温度を制御する温度制御機構３０が、アノード電極３１に設けられる。温度制御機構３０は、加熱器３３、冷却管３４、および低熱伝導物質３５を含む。冷却管３４は、端面３１Ｔからアノード電極３１の内部に入り込み、アノード電極３１の表面３１Ｓに沿うように加熱器３３と並んで延設される。冷却管３４には端面３１Ｔ側から冷却用媒体が通流される。低熱伝導物質３５は、端面３１Ｔから冷却管３４を取り囲みつつアノード電極３１の内部に入り込むように所定の長さＬ２で延在し、冷却管３４の長手方向における一部とアノード電極３１との間を埋める。低熱伝導物質３５は、冷却管３４の長手方向における残部とアノード電極３１とが直接接触している部分の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する。 （もっと読む）

【課題】フィルムを屈曲させた場合でもガスバリア性の低下を十分に抑制可能な積層フィルムを提供すること。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、炭素、及び非金属元素（但し、珪素、炭素、及び酸素を除く。）を少なくとも１種類以上含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、炭素原子、及び前記非金属元素の原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（i）〜（ii）：（i）前記炭素分布曲線が実質的に連続であること、（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）