【課題】優れた摺動特性と耐摩耗性の両立を図ることのできる摺動部材を提供する。
【解決手段】摺動面が、第１材料からなり複数の凹部が規則的に配列された基部１と、上記凹部を充填する第２材料からなる充填部２とを有し、前記第１材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種からなり、前記第２材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種以上からなり、前記第１材料と前記第２材料は、摩擦係数と硬度のうちの１以上が異なり、更には、前記基部１の表面と前記充填部２の表面が単一面を形成していることを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】環境負荷を低減し、かつ従来のプラズマストリッパーに比べて格段に高速、短時間で被皮処理ワイヤの表面処理を可能にした同軸マグネトロンプラズマストリッパーを提供する。
【解決手段】内部に動作ガスが導入される筒状の外側陽極電極１２と、外側陽極電極１２内に同軸的に配置された線状の中心陽極電極１３を備える。さらに、外側陽極電極１２内に中心陽極電極１３を囲うように配置されて軸方向に移送される陰極となる複数の被処理ワイヤ１４と、外側陽極電極１２内に軸心方向の磁界Ｂを発生させる磁界発生手段１５とを備える。被処理ワイヤ１４の周りで発生するマグネトロンプラズマ１０で被処理ワイヤ１４の表面処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属材料の表面積を大きく増加させることのできる金属材料表面へのワイヤ状突起物の形成方法、及び該ワイヤ状突起物を備える金属材料を提供する。
【解決手段】アルゴンガス等の不活性ガスをチャンバ内に導入しながら、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、チャンバ内に設置された金属材料の表面のスパッタエッチングを行う（ステップＳ３）。これにより、金属材料の表面に円錐状突起物が形成される。さらに、アルゴンガスに加えて、水或いは水素をチャンバ内に導入しながら、引き続き、高周波電力の出力によりチャンバ内にプラズマを発生して、金属材料の表面のスパッタエッチングを行う（ステップＳ４）。これにより、金属材料の表面にワイヤ状突起物が形成される。ワイヤ状突起物は、円錐状突起物の先端から成長している。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比べてマスク層及び下地絶縁層に対し広範囲の選択比をとることができ、これにより、加工時のマスク層の後退が殆どなく、下地絶縁層の堀り込みも小さい逆テーパ形状の磁気記録ヘッドの製造技術を提供する。
【解決手段】基板１１上に、絶縁層１２と、鉄−コバルト合金からなる記録用磁性層１３と、第１及び第２のマスク層１４、１５とがこの順で積層された処理対象物を用意する。真空中で塩素ガスとアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第２のマスク層１５ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって第１のマスク層１４及び記録用磁性層１３をエッチングする。その後、真空中で塩素ガスを用い、エッチングされた第１のマスク層１４ａをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層１３ａをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】密着性が充分な非晶質炭素被膜を被覆した非常に高い面圧下で使用される機械部品や、切削工具、金型を提供する。
【解決手段】非晶質炭素被覆部材の構造を、基材１上に周期律表第ＩＶａ 、Ｖａ、ＶＩａ 、ＩＩＩｂおよびＣ以外のＩＶｂ 族元素のなかから選ばれた少なくとも１つの元素、またはこれらのなかから選ばれた少なくとも１つの元素の炭化物からなる中間層２が形成され、この中間層２上に非晶質炭素膜３が形成された構造とし、中間層２の厚さを０．５ｎｍ 以上１０ｎｍ未満とする。 （もっと読む）

本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
（もっと読む）

【課題】アルミニウム材料及びその表面処理方法に関し、アルミニウム材料の表面に耐摩耗性及び耐衝撃性により優れた窒化アルミニウム（ＡｌＮ）域を生成するようにする。
【解決手段】シリコン（Ｓｉ）及びマグネシウム（Ｍｇ）を含有するアルミニウム材料を準備し、準備したアルミニウム材料をプラズマ窒化処理して、このアルミニウム材料の表面に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）域を生成して、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）域中に柱状組織と粒状組織とが交互に重合する組織構造を得る。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れた導電板と、非合金導電層または非合金導電層と導電層と、基材となる高分子板を複数層積層してなる導電層接合材の製造方法、およびディスプレイ用途などに適用できる導電層接合材を用いてなる部品の製造方法の提供。
【解決手段】高分子板２４と非合金導電層２５と導電板２６、または高分子板２４と非合金導電層２５と導電層２７と導電板２６を複数層積層してなる導電層接合材２２，２３であって、導電層接合材２２，２３の少なくとも１つの接合面が、接合されるそれぞれの面を活性化処理した後、活性化処理面同士が対向するように当接して重ね合わせて積層接合して導電層接合材２２，２３を製造する。またこの導電層接合材２２，２３を用いてディスプレイ用途などに適用される部品を製造する。 （もっと読む）

本発明は、真空室２内で金属帯４を真空エッチングするマグネトロンスパッタリング方法に関し、前記帯は、対極５に対向する支持体ローラ３上で搬送される。本発明の方法は、金属帯４に近い気体中に、前記帯４に作用するラジカルおよび／またはイオンを発生するようにプラズマを生成することと、様々な固定幅を有する一連の少なくとも２つの閉じた磁気回路７から、金属帯４のそれと基本的に等しい幅を有する少なくとも１つの閉じた磁気回路７を選択することと、その後に、選択された磁気回路７を磁気帯４に対向して配置するために、それを搬送することと、移動する金属帯４をエッチングすることとに存する。本発明は、前記方法を実現するエッチング装置１にも関する。
（もっと読む）

本発明は、真空室１内で少なくとも１つの導電性対極３、３’上を通過する金属帯２を真空エッチングするマグネトロンスパッタリング方法に関する。本発明は、前記帯２に作用するラジカルおよび／またはイオンを発生するように、金属帯２に近いガス中にプラズマを生成することに存し、磁気封じ込め回路４が帯２上に配置される。本発明は、対極３、３’が、金属帯２に対して回転および／または並進運動で移動できる可動表面を有し、前記表面がエッチングプロセス中に移動し、再び前記プラズマに曝露する前に、プラズマから隠れているクリーニング装置５、５’によって連続的にクリーニングされることを特徴とする。本発明は、前記方法を実現するエッチング装置にも関する。
（もっと読む）

【課題】表面処理温度が低い場合であっても、基材との密着性の高い被覆層を形成することができる、チタンまたはチタン合金からなる基材の被覆方法を提供する。
【解決手段】チタンまたはチタン合金からなる基材の表面を活性化する活性化処理工程と、活性化された前記基材の表面に被覆層を形成する基材被覆工程と、からなり、前記基材の活性化および前記被覆層の形成を該基材の温度が３００℃を超えない条件下で行う。
前記基材は、少なくともＶａ族元素を含む合金元素群と主な残部であるチタン（Ｔｉ）とからなるＶａ族元素含有チタン合金からなるのが好ましく、特に、前記合金元素群が、ジルコニウム（Ｚｒ）とタンタル（Ｔａ）とニオブ（Ｎｂ）とからなるチタン合金に効果的である。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板へのスパッタ処理の際のバイアス電圧の印加や、スパッタ法によるエッチング処理の際の給電を良好に行える表面処理装置を提供する。
【解決手段】
本発明の表面処理装置は、表面処理が施される被処理基板を基板ホルダにより一体的に保持した後に表面処理を行う表面処理装置において、上記基板ホルダに給電可能な突出部が設けられていることを特徴とする。かかる構成とすることによって、基板ホルダを介して被処理基板から外方に離間した位置で給電することが可能となる。それにより、プラズマ生成領域の外で給電出来る。また、被処理基板に給電痕を残さずに該基板の両面をプラズマ処理することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法で微小突起物を形成することが可能な時効性金属材料表面への微小突起物の製造方法、その製造方法によって得られる微小突起物、その微小突起物を備える触媒用担体および接触搬送装置を提供する。
【解決手段】時効性金属材料を固溶化熱処理し、析出成分を素地中に溶解させる工程と、素地中に析出成分を含む化合物が析出しないように該金属材料を冷却しながら該金属材料の表面をスパッタエッチングし、該金属材料の該スパッタエッチング面上に析出成分を含む化合物の微小突起物を形成する工程とを含み、該スパッタエッチングはスパッタエッチングする該金属材料の表面近傍の温度が析出成分を含む化合物の析出温度域となるようにエッチングするとともに、該スパッタエッチング速度が該金属材料の析出成分を含む化合物の深さ方法の成長速度を超えない範囲でエッチングする。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気内から反応生成物を確実に除去することが可能な、白金およびマンガンを含む金属膜のエッチング方法およびこれを用いた磁気記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電流磁界による磁化反転を利用して情報を記憶するもので、磁化固定層１４ａと磁化自由層１４ｃとでトンネル絶縁層１４ｂを挟持してなるＴＭＲ素子１４と、磁化固定層１４ａの磁化の方向を固定する反強磁性体層１３と、磁化自由層１４ｃに接続された配線層とを備えた磁気記憶装置の反強磁性体層１３をドライエッチングによりパターンニングする金属膜のエッチング方法および磁気記憶装置の製造方法であって、反強磁性体層１３は、白金およびマンガンを含む金属膜からなり、反強磁性体層１３のドライエッチングに用いるエッチングガスは、ハロゲンと水素と窒素とを含むことを特徴とする金属膜のエッチング方法および磁気記憶装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 接続孔７底部に露出する、下層導電層４表面に不所望に形成された自然酸化膜等５を、希ガスの放電プラズマ処理や逆スパッタリングにより清浄化するに際し、プラズマ生成電力を漸次増加させ、所定値に達した段階で基板バイアスを印加する。 （もっと読む）