【課題】サイドエッチングを抑制し、かつ銅配線の直線性を向上させた上、未エッチング箇所の残存を抑制できるエッチング液とその補給液、及び銅配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング液は、銅のエッチング液であって、酸と、第二銅イオンと、アゾール化合物と、脂環式アミン化合物とを含む水溶液であることを特徴とする。本発明の補給液は、前記本発明のエッチング液を連続又は繰り返し使用する際に、前記エッチング液に添加する補給液であって、酸と、アゾール化合物と、脂環式アミン化合物とを含む水溶液であることを特徴とする。本発明の銅配線(1)の形成方法は、銅層のエッチングレジスト(2)で被覆されていない部分をエッチングする銅配線(1)の形成方法であって、前記本発明のエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プリント回路板製造等の電子工業分野や、塗装等の一般工業分野に用いる、銅及びまたは銅合金の表面の光沢性を維持したまま銅及びまたは銅合金の表面とレジン類等とを強固に密着させる表面処理液を提供する。
【解決手段】本発明は、（１）過酸化水素、（２）燐酸または燐酸および硫酸の混合物、（３）ベンゾトリアゾール類、（４）アミノテトラゾールおよび（５）塩化物イオンを含有する銅及びまたは銅合金の表面処理液である。 （もっと読む）

【課題】 銀メッキ層が形成された金属母材の溶解を抑制して銀メッキ層のみを選択的に溶解し、人体や環境に対する安全性が高く、効率的にかつ高い精度で銀メッキ層に含有する元素の定量分析を行うことができる銀メッキ層溶解液及び銀メッキ層溶解方法、並びに銀メッキ層含有元素の定量方法を提供する。
【解決手段】 銀以外の金属母材の表面に銀メッキ層が形成された被処理物を、カルボン酸化合物と過酸化水素とを含有する溶解液に浸漬させる。好ましくは、カルボン酸の含有量を１０ｍｌ／ｌ以上１００ｍｌ／ｌ以下とし、過酸化水素の含有量を９００ｍｌ／ｌ以上９９０ｍｌ／ｌ以下とする。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する銅配線パターンを容易に形成できる銅配線パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】第二銅イオン源、酸、サイドエッチング抑制剤及び水を含むエッチング液を用いた銅配線パターン(4)の形成方法において、深さ方向のエッチング量(T₁)がエッチング開始時の銅厚み(T₀)の５０〜９０％になるまで前記エッチング液によりエッチングする第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程に引き続いてエッチング終了時まで前記エッチング液によりエッチングする第２エッチング工程とを有し、前記第１エッチング工程におけるエッチング速度をＲ１とし、前記第２エッチング工程におけるエッチング速度をＲ２としたときに、Ｒ２／Ｒ１の値が０．４０〜０．８５であることを特徴とする銅配線パターン(4)の形成方法とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用部材のリード線に、電解めっき層と置換めっき層とが同時に析出した後、置換めっき層のみ剥離する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置用部材１０のステム１２に装着された複数のリード線１８の各一端部を治具３０内に挿入して、前記一端部の端面が治具３０内に設けられた陰極としての第１電極２４に当接した後、陽極としての第２電極が浸漬された電解金めっき液に浸漬し、第１電極２４と第２電極との間に電流を印加して、第１電極１８ａの各露出面に電解金めっき層を形成する。その際リード線１８ａより短いリード線１８ｂの露出面には置換めっき層が析出する。次いで治具３０に装着された半導体装置用部材１０を、金めっきを剥離する剥離液に浸漬して、第１電極２４を陰極とし、陽極４２との間に直流電流を印加すると、置換めっき層のみが剥離する。 （もっと読む）

本発明は、
Ａ）約０．０２５重量％〜約０．８重量％の活性酸素を提供する高濃度モノ過硫酸カリウム；
Ｂ）組成物の約０．０１重量％〜約３０重量％のＢ１）有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、またはＢ２）ホスホニウム、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウムのハロゲンもしくは硝酸塩、またはＢ３）成分Ｂ１）とＢ２）との混合物；および
Ｃ）組成物の約０重量％〜約９７．４９重量％の水
を含んでなるエッチャント組成物；ならびに前記組成物を使用する基材のエッチング方法を提供する。
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【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図する低テーパー角を有する望ましい形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩、界面活性剤を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）

【課題】セミアディティブ法において無電解銅めっき層を除去する際に、配線パターンの寸法精度の低下を防止できるエッチング剤を提供する。
【解決手段】本発明の第１のエッチング剤は、硫酸、過酸化水素及び水を含む銅のエッチング剤であって、カルボキシル基及びヒドロキシル基の少なくとも一方を分子中に２以上有するベンゾトリアゾール誘導体を含むことを特徴とする。また、本発明の第２のエッチング剤は、硫酸、過酸化水素及び水を含む銅のエッチング剤であって、環内にある異原子として窒素原子のみを有するアゾール類と、カルボシキル基を２以上有する多塩基酸又はその塩とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】銀又は銀合金のエッチング方法において、銅イオン、硝酸、燐酸、カルボン酸、アンモニア及び／又はアミンを含を含み、カルボン酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ヘキサン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フタル酸、マレイン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、サリチル酸、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、エチレンジアミン四酢酸、及びニトリロ三酢酸からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物である、銀又は銀合金のエッチング用組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】連続又は繰り返し使用してもパターンのトップ形状を維持しながらエッチングできる銅のエッチング液と、それを用いた導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング液は、第二銅イオン源、酸及び水を含む銅のエッチング液であって、環内にある異原子として窒素原子のみを有するアゾールと、フェノール類及び芳香族アミン類から選択される少なくとも一種の芳香族化合物とを含むことを特徴とする。また、本発明の導体パターンの形成方法は、電気絶縁材(1)上の銅層のエッチングレジスト(3)で被覆されていない部分を、上記本発明のエッチング液を用いてエッチングし、導体パターン(2)を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図するテーパー形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、前記有機酸塩の濃度を、０．１〜２０重量％の範囲とする。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗値のアルミニウム系導電性薄膜、あるいは該アルミニウム系導電性薄膜やモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を、効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状の側面が形成されるようにする。
【解決手段】アルミニウム系導電性薄膜１２と、モリブデン系導電性薄膜１１，１３を備えた積層導電性薄膜１５を、(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有するエッチング液、またはさらに硝酸を含有するエッチング液と接触させる。
硝酸塩としては、硝酸のアンモニウム塩、アミン塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ金属塩などを用いる。
また、有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、トリメリット酸、ヒドロキシ酢酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などを用いる。 （もっと読む）

本発明は、クリーニングの間に腐食有益な効果を有する水溶性マグネシウム塩、水溶性カルシウム塩、およびグルコン酸塩を含む組成物に関する。本組成物は、ガラス、アルミニウム、またはスチールの腐食を減少させることができる。本発明はまた、これらの組成物を用いる方法に関する。
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【課題】粗化組成物中にポリ（エチレンアミノプロピオニトリル）ポリマーを添加剤として使用することで、金属表面に対する高分子材料の接着性を向上し、且つ熱安定性に対する剥離強度が向上する粗化組成物で金属表面を処理する方法の提供。
【解決手段】本発明のポリマーは、例えば、塩化第二銅及び塩酸を含む組成物に加えてもよく、また、酸化剤／酸／アゾール混合物を含む組成物にも使用できる。アジポニトリル等の他の添加剤もまた、本発明の組成物に効果的に加えてもよい。 （もっと読む）

【課題】簡便に大面積の加工ができ、且つ高精度な反射防止用部材を製造できる反射防止機能を有する部材の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面が金属層をなす基板の表面にエッチング液を吹き付けて該基板の表面にエッチング層を形成する工程と、該基板上に形成された該エッチング層の微細凹凸構造を樹脂材料の表面に転写する工程とを含む反射防止機能を有する部材の製造方法である。 （もっと読む）

相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタの製造の間、急速な熱アニールによって金属ケイ化物の形成後、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、およびそれらの合金などの金属を除去するために有用な水性金属エッチング組成物。また、水性金属エッチング組成物は、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および／または金属窒化物を選択的に除去するために有用である。１つの調合において、水性金属エッチング組成物は、シュウ酸と、塩化物含有化合物とを含有し、他の調合において、組成物は、過酸化水素などの酸化剤と、フッ化物供給源、例えば、フルオロホウ酸とを含有する。別の特定の調合において組成物は、誘電体および基板を攻撃せずにニッケル、コバルト、チタン、タングステン、金属合金、金属ケイ化物および金属窒化物を有効にエッチングするためにフルオロホウ酸およびホウ酸を含有する。
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【課題】 基板上の電子部材や各種積層膜等を腐食させることなく、タングステン膜に対するエッチレートを安定化させ、かつ選択的にエッチングできる微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、タングステン膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する微細加工処理剤であって、（１）フッ化水素と、（２）硝酸と、（３）ケトン、エーテル、エポキシド、アルデヒド、アミド、アミン、ニトリル、スルホキシド、ヘテロ環化合物、有機酸、フェノール、チオール、及びスルフィドからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含み、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが５〜５０００ｎｍ／分の範囲内であり、且つ、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが、前記シリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。

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【課題】 銅又は銅合金表面の置換めっき前処理用のソフトエッチング液であって、置換めっき後の外観及び半田付け性に優れるソフトエッチング液、及び、当該ソフトエッチング液を用いためっき方法を提供する。
【解決手段】 銅又は銅合金表面の置換めっき前処理用ソフトエッチング液であって、過酸化水素又は過硫酸塩と、無機酸と、カルボキシル基を２個以上有する有機酸と、を含むことを特徴とするソフトエッチング液、及び当該ソフトエッチング液にて銅又は銅合金表面をソフトエッチングした後、直接に置換めっき皮膜を形成することを特徴とするめっき方法。 （もっと読む）