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Fターム[4K057WE25]の内容

Fターム[4K057WE25]に分類される特許

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【課題】Cu又はCu合金とMo又はMo合金を含んだ積層金属層のエッチングにおいて、従来技術では困難であったサイドエッチが入らずに好ましいテーパー角のエッチング断面形状を得ることが可能なエッチング組成物を提供する。
【解決手段】必須成分として、水溶液がアルカリ性のリン酸塩及び水溶液がアルカリ性のカルボン酸塩からなる群から選択された少なくとも一種の塩と過酸化水素と水を含有してなる、Cu又はCu合金の1層又は複数層とMo又はMo合金の1層又は複数層とからなる多層積層金属層のCu又はCu合金及びMo又はMo合金を一度にエッチングするためのエッチング組成物。 (もっと読む)


【課題】連続又は繰り返し使用してもパターンのトップ形状を維持しながらエッチングできる銅のエッチング液と、それを用いた導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング液は、第二銅イオン源、酸及び水を含む銅のエッチング液であって、環内にある異原子として窒素原子のみを有するアゾールと、フェノール類及び芳香族アミン類から選択される少なくとも一種の芳香族化合物とを含むことを特徴とする。また、本発明の導体パターンの形成方法は、電気絶縁材(1)上の銅層のエッチングレジスト(3)で被覆されていない部分を、上記本発明のエッチング液を用いてエッチングし、導体パターン(2)を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ダイレクトレーザー加工で多層積層板にビアを形成する場合に、ビア底に位置する内層の銅層や多層積層板表面側の銅層表面を過剰にエッチングすることなく銅の飛散り物を確実に除去できるプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】多層積層板の最外層の銅7または銅合金表面にレーザー光を照射してビアを形成するプリント配線板の製造方法において、レーザー光照射後に前記最外層の銅7または銅合金表面に、スプレー処理におけるエッチング速度/ディップ処理におけるエッチング速度の比が3〜5であるエッチング液であって、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液21をスプレー処理で接触させる。 (もっと読む)


【課題】CuとMoの積層金属膜のみならず従来技術では困難であったCuとMo合金の積層金属層を一度にエッチングするとともに、従来技術では困難であったサイドエッチが入らずに好ましいテーパー角のエッチング断面形状を得ることが可能なエッチング溶液を提供する。
【解決手段】必須成分として、(a)水溶液が中性又は酸性のリン酸塩及び水溶液が中性又は酸性のカルボン酸塩からなる群から選択された少なくとも一種と(b)過酸化水素と(c)水を含有してなる、銅又は銅合金の1層又は複数層とモリブデン又はモリブデン合金の1層又は複数層とからなる多層積層金属層の銅又は銅合金及びモリブデン又はモリブデン合金を一度にエッチングするためのエッチング溶液。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】本発明は、ネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法に関する。本発明に係るガラスまたは金属エッチング方法は、ネガティブフォトレジストと金属または金属酸化物との接着力が優れているので金属または金属酸化物エッチング液によってフォトレジスト層が腐食されないだけでなく、逆型のフォトマスクを製作する必要がないので製造工程が簡単であり、混合波長などの低分解能光源を用いることができて経済的である。 (もっと読む)


【課題】プリスパッタ時間の短縮されたAg基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、AlおよびSiよりなる群から選択される少なくとも1種を、合計で1〜15質量%含むAg基合金スパッタリングターゲットであって、
該スパッタリングターゲットのスパッタリング面の算術平均粗さ(Ra)が2μm以上であり、かつ最大高さ(Rz)が20μm以上であることを特徴とするAg基合金スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】クロメート処理等の防錆処理が施された内層導体回路においても、銅箔の根残りの発生を抑え、それにより導体回路間のショート不良が少なく、回路形成性に優れたプリント配線板を提供し得るエッチング液、およびこのエッチング液を用いたプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸銅を除く硫酸塩および/または硫酸水素塩と、硫酸と、過酸化水素とを含み、硫酸と硫酸銅を除く硫酸塩および/または硫酸水素塩のモル比が1以上であることを特徴とする銅のエッチング液であり、特に、前記硫酸塩または硫酸水素塩が、硫酸イオンと水素よりも卑な金属のイオンである銅のエッチング液である。 (もっと読む)


【課題】 TABテープの幅方向における導体層の研磨量をより均一化させる。
【解決手段】 導体層を研磨する薬液を溜める噴出容器をTABテープの幅方向に複数備えており、複数の噴出容器は、噴出容器内に薬液を供給する薬液導入口と、噴出容器の上端部から薬液を噴出させて搬送中のTABテープの導体層に接触させる噴出口と、噴出容器内であって噴出口の下方に設けられ薬液の噴出速度を制御する整流板と、をそれぞれ備えている。 (もっと読む)


【課題】銅又は銅合金表面と樹脂との密着性に優れた表面粗化剤を提供すること、及び粗化後の銅表面の酸化を防止することができる表面粗化剤を提供すること。
【解決手段】銅又はその合金からなる表面を粗化するための表面粗化剤であって、硫酸、過酸化水素、5−アミノテトラゾール、5−アミノテトラゾール以外のテトラゾール化合物、及びホスホン酸系キレート剤を含有することを特徴とする表面粗化剤。 (もっと読む)


【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、フッ酸以外の無機酸を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 (もっと読む)


エッチングおよび回収の方法が記載される、ここでは、銅製の物品は、CuからCuに酸化するためのCu2+、塩素イオン、CuをCu2+に酸化する酸化剤、およびpHを調節する塩酸を含有するエッチング化学薬液の酸水溶液でエッチングされる。解決されるべき技術的問題は、プロセス間で閉回路が維持される様式において、使用済みエッチング溶液の回収の間、エッチングプロセスと回収プロセスとの間でエッチング溶液を循環することを可能にすることである。このことは、使用済みエッチング溶液よりも低い量のCu2+を含有する再生エッチング溶液が生成されること、および回収プロセスが、回収されたエッチング溶液が、Cu2+が有機抽出溶液中で抽出され得る銅錯体を形成する錯体形成化合物の有機抽出溶液と混合される、抽出工程を有することにおいて達成され、その後2つの混合された液体は、当該銅錯体を含有する有機抽出溶液と、再生エッチング溶液とを得るために再度分離される。方法は、1.5を上回るpHおよび高い銅含有量を有するエッチング溶液を用いて行われる。 (もっと読む)


【課題】プリント配線基板表面に金属の残留量が著しく少なくマイグレーションの発生を防止する。
【解決手段】複数のエッチング工程によりプリント配線基板を製造するに際して、導電性金属層を選択的にエッチングして除去すると共に、基材金属層を形成するNi金属を溶解する第1処理液と接触させて除去し、第1処理液とは異なる化学組成を有し、且つ導電性金属に対するよりも基材金属層形成金属であるCrに対して高い選択性で作用する第2処理液と接触させて基材金属層に含有されるCrを不働態化し、かつ絶縁フィルム上に残存するCrを不働態化するとともに、、該配線パターンが形成されていない絶縁フィルムの表層面に残存する基材金属層を形成したいた不働態化されたCrを絶縁フィルム表層面と共に除去し、該配線パターンが形成された絶縁フィルムを、さらに、還元性を有する有機酸等を含有する還元性水溶液と接触させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。前記研磨工程、前記洗浄工程及び前記リセスエッチング工程の少なくとも2工程で用いる薬液の主たる成分が同一である。 (もっと読む)


【課題】管状金属合金とFRPプリプレグを相互に接着させ、引っ張り応力、及び、圧縮応力に対応した軽量で強固な構造体を構成する。
【解決手段】管状金属部品60の外周面に化学エッチングによるミクロンオーダーの粗度があり、且つその表面は電子顕微鏡観察で、高さ又は深さ及び幅が10〜500nmで長さが10nm以上の仕切り状凸部、又は溝状凹部が10〜数百nm周期で全面に存在する超微細凹凸形状を形成し、その表面が金属酸化物又は金属リン酸化物の薄層21とする。これに管状の繊維強化プラスチック材61をエポキシ系樹脂剤62により接着させ、管状複合体を形成する。管状金属部品は、アルミニウム合金、マグネシウム合金、銅合金、チタン合金、ステンレス合金、鉄鋼材等である。 (もっと読む)


【課題】洗浄薬液の混合比を正確に求め、必要量の薬液補充を行うことにより薬液濃度を制御して、被エッチング膜に対するエッチング量を容易に制御する。
【解決手段】薬液交換時において、薬液槽1に供給される薬液21,22,23の供給流量を、それぞれの薬液流量計31,32,33により測定する。測定された流量にて演算部7において供給時間が計算され、供給流量と供給時間の積分値から各薬液の総投入量を算出する。各薬液の総投入量から混合比を求めて薬液濃度を算出する。このとき算出された濃度が設定濃度と異なる場合、所望する薬液濃度となるように各薬液の補充量を演算部7で算出し、補充量を供給時間を可変させることにより調整する。演算部7で算出された供給時間にわたり、補充する薬液のみミキシングバルブ4を開いて薬液槽1に薬液を供給し、薬液濃度を調整する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板上にチタン膜/銅膜またはチタン合金膜/銅膜が形成された2重積層膜や、チタン膜/銅膜/チタン膜またはチタン合金膜/銅膜/チタン合金膜が形成された3重積層膜などの多重積層膜をパターニングする際、エッチング処理される基板の枚数増加に伴うエッチング性能の低下を最少にして、積層膜のパターンプロファイルが均一で、収率を増大させ、製造費用が節減できるエッチング液、及びそのエッチング液を用いた薄膜トランジスタを含む電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、エッチング液及び薄膜トランジスタを含む電子素子の製造方法に関し、前記エッチング液は、フッ素イオン供給源、過酸化水素、硫酸塩、リン酸塩、アゾール系化合物、及び溶媒を含む。 (もっと読む)


【課題】基板に堆積した非結晶シリコンの膜を低温ポリSi(LTPS)アニーリングすることにより製造される、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から一般的には上向きに伸びている隆起または突起を、低減または本質的に排除すること。
【解決手段】pH12以上を有し、水、少なくとも1種の強塩基および少なくとも1種のエッチング速度制御剤を含む、水性の高い強塩基性の平坦化溶液を提供する。その使用方法は、概ね平面であるポリシリコン膜を有意にエッチングすることなく、概ね平面であるポリシリコン膜の表面を、該水性の高い強塩基性の溶液と、概ね平面であるポリシリコン膜の表面から隆起または突起を選択的にエッチングするのに十分な時間、接触させることを含む。 (もっと読む)


【課題】エッチングの対象となる金属表面への気泡の付着を防止する加速空胴のエッチング方法を提供する。
【解決手段】(I)容器内のエッチング液に加速空胴を浸漬する工程、及び、(II)前記容器内を加圧した状態で前記加速空胴をエッチングする工程を包含する。さらに、前記工程(II)において、前記容器内を1気圧より高く且つ200気圧以下に加圧した状態で前記加速空胴をエッチングする。さらに、前記工程(II)において、前記容器内を1気圧より高く且つ200気圧以下に加圧し且つ前記エッチング液の温度を50℃以下にした状態で、前記加速空胴をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】 高い安定性と工程マージンを保障し、銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができる優れたエッチング液を提供する。
【解決手段】 本発明は液晶表示装置の回路パターンに使用される銅配線をエッチングするエッチング液組成物に関するものである。本発明のエッチング液組成物は過硫酸アンモニウムとアゾール系化合物を含む。本発明のエッチング液組成物は過酸化水素を含有しないので安定性と工程上マージンを確保することができ、優れたテーパエッチングプロファイルを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】貴金属を含む合金を用いて金属シリサイドを形成する工程において、新たな製造設備の導入や運用コストの増加をもたらすことなく、貴金属の残渣を生じることなく、未反応のまま残存している合金を除去しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンが部分的に露出した領域を含む半導体基板上に、Ni等の金属と貴金属との合金よりなる金属合金膜を形成する工程と、熱処理により、前記露出した領域のシリコンと金属合金膜とを選択的に反応させ、Ni等の金属及び貴金属を含む金属シリサイド膜を前記露出した領域上に形成する工程と、未反応のまま残存している金属合金膜を、Ni等の金属よりもイオン化傾向の高い遷移金属を溶解した、過酸化水素を含有する溶液を用いて除去する工程とを有する。 (もっと読む)


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