【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を３０〜９０度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物の提供。
【解決手段】 ふっ素化合物の濃度（ただし、ふっ化水素酸を除く）が０．０１〜５質量％、特定の酸化剤の濃度が０．１〜５０質量％であるエッチング液組成物。 （もっと読む）

本発明は、半導体技術において適切に銅からなるメタライジング層をさらにはＣｕ／Ｎｉ層をエッチングすることができる新規の貯蔵安定な溶液に関する。この新規エッチング溶液を用いて、純粋な銅メタライジング、銅ニッケル合金からなる層並びに互いに積層された銅及びニッケル層をエッチングしかつ構造化することができる。前記溶液は、硝酸、過酸化水素、クエン酸及び水を含有する。 （もっと読む）

【課題】透明導電性酸化膜用エッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜の種類によって適用の制限が少ないエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜のエッチング性能を向上するエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜の下部に位置した膜に対する損傷が少ないエッチング液を提供すること。透明導電性酸化膜用エッチング液を用いた液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、透明導電性酸化膜のパターニングに用いられるエッチング液及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供される。透明導電性酸化膜用エッチング液は、硫酸２ないし１５重量％、アルカリ金属硫酸水素塩０．０２ないし１０重量％及び超純水を含む。 （もっと読む）

【課題】モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素１０ないし２０重量％、有機酸１ないし５重量％、トリアゾール系化合物０．１ないし１重量％、ふっ素化合物０．０１ないし０．５重量％及び残量の超純水を含む。 （もっと読む）

相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタの製造の間、急速な熱アニールによって金属ケイ化物の形成後、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、およびそれらの合金などの金属を除去するために有用な水性金属エッチング組成物。また、水性金属エッチング組成物は、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および／または金属窒化物を選択的に除去するために有用である。１つの調合において、水性金属エッチング組成物は、シュウ酸と、塩化物含有化合物とを含有し、他の調合において、組成物は、過酸化水素などの酸化剤と、フッ化物供給源、例えば、フルオロホウ酸とを含有する。別の特定の調合において組成物は、誘電体および基板を攻撃せずにニッケル、コバルト、チタン、タングステン、金属合金、金属ケイ化物および金属窒化物を有効にエッチングするためにフルオロホウ酸およびホウ酸を含有する。
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【課題】 アルミニウム又はアルミニウム合金にダメージを与えることなく、金属チタンを選択的にエッチングできるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】 炭酸及び／又は炭酸塩、並びに過酸化水素及び水を含んでなる金属チタンエッチング用組成物を用いる。炭酸塩は炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、カルバミン酸アンモニウムから成る群よりより選ばれる少なくとも一種を用いることが好ましい。炭酸及び／又は炭酸塩の含量が０．０１〜４０重量％、過酸化水素の含量が１０ｐｐｍ〜３５重量％、水の含量が２５〜９９．９重量％が好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上の導電層を取り除く従来の方法は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）を含むが、ＣＭＰは半導体構造に対して有害な作用を与える可能性がある。これに対し電気研磨および／または電気めっきプロセスを使用して金属層を取り除きまたは溶着する装置および方法を提供する。
【解決手段】１つの例示的な装置が、ウェーハの斜面部分すなわち縁部部分上の金属残留物を取り除くための縁部クリーニングアセンブリを有するクリーニングモジュールを含む。この縁部クリーニング装置は、ウェーハの主表面に液体と気体を供給するように構成されているノズルヘッドを含み、および、ウェーハ上に形成されている金属薄膜に対して液体が半径方向内方に流れる可能性を低減させるように、液体が供給される位置の半径方向内方に気体を供給する。 （もっと読む）

【課題】 高い耐食性と絶縁信頼性を有する銅皮膜層を形成したフレキシブル基板および配線部パターン形成時の優れたエッチング方法を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板の絶縁体フィルム上に、乾式めっき法により膜厚３〜４０ｎｍに形成され、かつクロムの割合が２３〜７０重量％のニッケル−クロム合金を主として含有する下地金属層と、該下地金属層上に形成した膜厚１０ｎｍ〜３５μｍの銅皮膜層とを有するフレキシブル基板を用いて、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウム、硫酸と過酸化水素水から選択された１種を含むエッチング液で１段目のエッチングを行い、その後水洗を行い、塩酸と硫酸を含有するエッチング液で２段目のエッチングを行い、配線部パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 塩化第二銅、塩化水素および２−アミノベンゾチアゾール化合物(Ｉ)


を含むエッチング組成液中の上記２−アミノベンゾチアゾール化合物(Ｉ)を定量しうる方法を提供する。
【解決手段】 エッチング組成液の紫外線吸収スペクトルにおいて波長２８５ｎｍ近傍に吸収極大を示すピークの強度から、濃度を測定することを特徴とする。例えばエッチングしたのちのエッチング組成液に、過酸化水素水、塩化水素水および２−アミノベンゾチアゾール化合物(Ｉ)を添加して再生するにあたり、２−アミノベンゾチアゾール化合物(Ｉ)を定量し、得られた定量値に基づき、２−アミノベンゾチアゾール(Ｉ)の添加量を定める。再生されたエッチング組成液により、銅薄膜(4)をエッチングして銅プリント配線基板(1)を製造できる。 （もっと読む）

【課題】 銅材料をエッチングした後の塩化銅エッチング廃液について、有効な金属である銅以外の不純物金属を簡便な操作でかつ低コストで除去して精製すること。
【解決手段】 亜鉛、鉄、などの金属の陰イオン性錯体は、弱塩基性アニオン交換樹脂に接触させることで除去されることが知られている。一方塩化銅エッチング廃液中の有効金属である銅は陰イオン性錯体として存在するといわれているが、本発明者は、塩化銅エッチング廃液中の銅の陰イオン性錯体は、強または弱塩基性アニオン交換樹脂に接触させてもほぼ吸着されないことを見出した。従って塩化銅エッチング廃液をこれらアニオン交換樹脂に接触させることにより、鉄や亜鉛の陰イオン性錯体はこの樹脂に吸着されて除去されるが、銅はそのまま液中に残ることから、塩化銅エッチング廃液を精製することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、過酸化水素と、水酸化有機オニウムと、酸とを含むウェットエッチング組成物に関する。
【解決手段】本発明は、シリコン、酸化シリコン、ガラス、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＢＳＧ、酸窒化シリコン、窒化シリコン及び酸炭化シリコンの１つ又は複数、それらの組み合わせ及び混合物、並びに／又はフォトレジスト材料を含む周囲構造に対して選択的に金属窒化物をウェットエッチングする方法であって、過酸化水素と、水酸化有機オニウムと、有機酸とを含むウェットエッチング組成物を準備する工程と、周囲構造に対して選択的に金属窒化物をエッチングするのに効果的な時間及び温度で、ウェットエッチング組成物にエッチングされる金属窒化物を曝露させる工程とを含む、金属窒化物をウェットエッチングする方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】
化学式１、化学式２、または化学式３から選ばれる一つ以上のアンモニウム化合物と酸化剤を含む銀または銀合金用エッチング液組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】低融点金属を含む導電性ペーストを使用した積層回路基板において、銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイドが発生せず、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。
【解決手段】少なくとも片面の表面粗さが０．１μｍ〜５μｍの銅または銅合金元箔の前記表面をエッチングによる粗化処理で高さ０．３μｍ以上の突起物が略均一に分布し、表面粗さＲｚが０．５〜１０μｍとした粗化処理銅箔と、樹脂基板に穿設した貫通孔に低融点金属を含有する導電性ペーストを充填した基板とを積層した積層基板である。 該粗化処理銅箔と、樹脂基板に穿設した貫通孔に低融点金属を含有する導電性ペーストを充填した基板とを積層する積層基板の製造方法である。 （もっと読む）

次に続く金属被覆のために可能な限り最も光沢のある仕上げを有する銅表面を作り出すための銅または銅合金をエッチングするための溶液を記述する。溶液はおよそ４以下のｐＨを有し、硫酸塩イオンなしである。溶液は、ａ）過酸化水素と過酸からなるグループから選ばれた少なくとも一種の酸化剤と、ｂ）芳香族スルホン酸と芳香族スルホン酸の塩からなるグループから選ばれた少なくとも一種の物質を備え、任意にｃ）少なくとも一種の含窒素複素環式化合物を備えて成る。さらに、銅または銅合金上に金属を蒸着する方法を記述する。当該方法は、以下の方法ステップを備えて成る。ａ）本発明に係る溶液と表面を接触させる、ｂ）少なくとも一種の金属で表面を被覆する。本溶液と本方法は、電気回路担体の製造に、より具体的には半導体製造に、とりわけ適している。 （もっと読む）

【課題】 エッチング液の均一エッチング性を保持したまま導体回路の粗面化処理を行えるようにし、配線幅の維持とコスト低減を可能にするプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁樹脂層の片面又は両面に給電層を有する基板材料を準備する工程、給電層上にめっきレジストパターンを形成する工程、パターン電気めっきにより回路を形成する工程、めっきレジストパターンを剥離する工程、回路が形成された部分以外の給電層をエッチング液により除去する工程、を有するプリント配線板の製造方法であって、前記エッチング液が（Ａ）硫酸、（Ｂ）過酸化水素、（Ｃ）腐食抑制剤を含むエッチング液であるプリント配線板の製造方法。 （もっと読む）

基板表面を予測されたとおりに処理するための改良法であって、予め選択したチキソトロピー腐食液を使用して、すぐれた、予め決められた基板表面を達成することを含む方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高膜厚で高占積率の平面コイルを低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板１とその表面に下地導体層２として銅で構成された短冊状のシートを被加工物として、その下地導体層２の表面をエッチングにて、表面粗化を行う下地導体層表面処理工程と、ドライフィルムレジスト５を用いて下地導体層２の表面にラミネートする工程と、フォトツールマスクとして、フィルムマスクを用いてレジストと真空密着させ、紫外線平行光を照射する露光工程及び、現像工程によりレジスト形成するコイル製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅層と樹脂絶縁層を一体化するに当り十分な密着力を確保できる銅層の表面処理法を提供する。
【解決手段】谷から山までの高さが５μｍを越える凹凸を含み生成するように銅層の表面にエッチング型化学粗化処理をし、さらに前記処理面に黒化還元処理をする。前記エッチング型化学粗化処理は、好ましくは谷から山までの高さが８μｍを越える凹凸、さらに好ましくは１２μｍを越える凹凸を含み生成するように行なう。また、黒化還元処理後に、カップリング剤処理を付加してもよい。前記処理法は、例えば、厚さ１００μｍ以上の圧延銅箔に適用し、その処理面をプリプレグ層に重ねて加熱加圧成形により一体化して積層板とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率の誘電膜を除去するためのエッチング溶液及びこれを利用した低誘電率の誘電膜エッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の低誘電率の誘電膜をエッチングするエッチング溶液は低誘電率の誘電膜を酸化させる酸化剤及び酸化物を除去するための酸化物エッチング剤を含み、このようなエッチング溶液を使用して低誘電率の誘電膜を一度の工程で簡単に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 エッチング液のエッチング速度をコントロールし、液あたりの悪い部分のエッチング性を向上させ、液あたりの差によるエッチング速度差の少ないエッチング液を提供する。
【解決手段】 ベースのエッチング液と抑制剤とを含む金属のエッチング液であり、エッチング速度がエッチング液の攪拌速度に非依存または逆依存することを特徴とした金属のエッチング液である。 （もっと読む）