【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品６に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品６が配設される基板５上に接着剤４を介して接合される接合面３を備えた放熱装置１において、接合面３は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が０．５〜１．０μｍのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】充放電サイクルを繰り返しても容量保持率の低下が起こらず高寿命で、負極集電体が変形しないリチウムイオン二次電池を作成可能なリチウムイオン二次電池負極用電解銅箔を供給することを目的とする。
【解決手段】本発明のリチウムイオン二次電池の負極集電体を構成する電解銅箔であって、該電解銅箔は２００〜４００℃で加熱処理後の０．２％耐力が２５０Ｎ／ｍｍ²以上、伸びが２．５％以上であり、該電解銅箔の活物質層を設ける表面は防錆処理が施され、或いは粗化処理され防錆処理が施されている。また本発明は前記電解銅箔を集電体とするリチウムイオン二次電池用電極、該電極を負極としたリチウムイオン二次電池である。 （もっと読む）

【課題】硬度のばらつきが少なく、金属光沢を備えた時計部品４０の製造方法を提供する。
【解決手段】時計部品４０を熱処理して、チタン等の複数の結晶４１，４２，４３を粗大化する熱処理工程と、時計部品４０の形状を加工する形状加工工程と、チタン等をエッチングして各結晶４１，４２，４３の表面４１ｓ，４２ｓ，４３ｓを鏡面化し、各結晶４１，４２，４３の表面４１ｓ，４２ｓ，４３ｓの法線方向４１ｖ，４２ｖ，４３ｖを相互に異ならせるエッチング工程と、時計部品４０の表面４０ｓを陽極酸化処理する陽極酸化工程と、を有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】封止材等との接着性が良好であり、電気特性及び放熱性の低下を抑制することができ、低温処理可能であって、生産性に優れ、キズやコスレなどの痕が付きにくい、半導体実装用導電基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】半導体実装用導電基材に、腐食抑制剤、硫酸及び過酸化水素を含有する化学粗化液を接触させて表面に粗化形状を形成する粗化工程を有し、前記腐食抑制剤は、１，２，３−ベンゾトリアゾール及び５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールを含有し、前記粗化工程の後に、前記粗化工程で表面に形成される有機皮膜を、アミンを含有するアルカリ性溶液に接触させて除去する皮膜除去工程を有する半導体実装用導電基材の表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】屈曲性及び密着性を向上させることを可能とした銅箔、及び銅箔の製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔１は、銅箔材１０の少なくとも一方の表面上に形成された粗化処理層２０と、粗化処理層２０上に形成された１層以上の防錆処理層３０とを有している。粗化処理層２０は、下地めっき層を施さずに化学研磨した後の銅箔材１０の表面上に形成されている。化学研磨した後の銅箔材１０の表面に形成された凹部１１の深さの平均値は、０．０５μｍ以上０．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】生産性および工業的な製造適性に優れ、その表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性およびその経時安定性に優れた金属パターン材料の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の官能基を有するユニットを含む共重合体を含有する樹脂層１２ａを基板１０上に形成する樹脂層形成工程と、該樹脂層１２ａにめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、前記めっき触媒またはその前駆体に対してめっきを行うめっき工程と、前記めっき工程後に、ｐＨが６．５以下であるエッチング液を使用してパターン状の金属膜を形成するパターン形成工程を含む、表面にパターン状の金属膜を備える金属パターン材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ニッケルプラチナ合金を有する電子基板から電子基板上にエッチング液に不溶であるプラチナ微粒子を残留させずにニッケルプラチナ合金をエッチングするエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 ニッケルプラチナ合金を有する電子基板から電子基板にプラチナ微粒子を残留させずにニッケルプラチナをエッチングする工程用のエッチング液であって、無機酸（Ａ）、オキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｂ）および水を必須成分とするニッケルプラチナ合金用エッチング液。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）、過酸化水素（Ｂ）、およびオキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）を必須成分とする銅または銅合金用エッチング液。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にフッ酸を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１と、第１の工程Ｓ１１の後に、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第２の処理液を供給し、供給した第２の処理液により基板の裏面を処理する第２の工程Ｓ１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】剥離液の量が少なくても、表面に錫または錫合金めっき層が形成された銅または銅合金材から錫または錫合金めっき層を簡単且つ安価に剥離することができる、銅または銅合金材の表面の錫または錫合金層の剥離方法を提供する。
【解決手段】表面に錫または錫合金層を有する銅または銅合金材１０に、錫または錫合金層を剥離する剥離液のシャワーをかけることにより、銅または銅合金材の表面の錫または錫合金層を剥離液に溶解させて、銅または銅合金材の表面から錫または錫合金層を剥離する。 （もっと読む）

【課題】電解めっきにて成膜した銅膜４をエッチングして銅パターン４’を形成するに際し、生産性を大きく低下させることなく、順テーパ形状の断面形状を有する銅パターン４’を容易に形成できるようにする。
【解決手段】それぞれめっき液を収容した第一のめっき浴と第二のめっき浴を用い、銅膜４を第一の銅膜４ａと第二の銅膜４ｂに分けて成膜すると共に、以下のＡ、Ｂ、Ｃのいずれか一又は二以上の調整を行う。
Ａ：第一の銅膜４ａの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度を、第二の銅膜４ｂの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の光沢剤濃度より高くする。
Ｂ：第一の銅膜４ａの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度を、第二の銅膜４ｂの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の平滑剤濃度より低くする。
Ｃ：第一の銅膜４ａの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度を、第二の銅膜４ｂの成膜に用いるめっき浴中のめっき液の温度より高くする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銅含有材料の良好な外観、特に金属光沢を維持し、レジスト等の被覆材料との充分な密着性を有する化学処理を行うことができる銅含有材料粗面化剤及び銅含有材料の粗面化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の銅含有材料粗面化剤は、（Ａ）硫酸２５〜２００ｇ／リットル、（Ｂ）過酸化水素１０〜１００ｇ／リットル、（Ｃ）亜リン酸または亜リン酸塩から選ばれる少なくとも１種の亜リン酸成分０．０５〜２０ｇ／リットル、（Ｄ）１，２，３−ベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾールから選ばれる少なくとも１種又は２種のアゾール成分０．０５〜１０ｇ／リットル、（Ｅ）塩化ナトリウムまたは塩化ベンザルコニウムから選ばれる１種類又は２種類の塩素化合物成分０．００５〜０．５ｇ／リットルを含む水溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低い過酸化水素含有量で銅膜と他の金属膜とからなる多重膜の一括エッチングが可能で、工程に適したエッチング速度、適当なエッチング量、及び適切なテーパ傾斜角を有するエッチング液組成物により、既存の過水系エッチング液よりも高い安定性を有し、処理枚数能力を向上させる。
【解決手段】
本発明による金属配線エッチング液は、過酸化水素、酸化剤、フッ素化合物、キレート剤、硝酸系化合物、ホウ素系化合物、添加剤、及び残量の水を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 （もっと読む）

【課題】より低い抵抗値を実現できる負極集電体用の金属箔を提供する。
【解決手段】箔表面から裏面に至る貫通孔を複数有し、当該貫通孔の密度が１０００個／ｃｍ^２以上である領域を有し、貫通孔の平均内径が１００μｍ以下で、開口率が３０％以下であり、２．０＞［箔厚み（μｍ）／開口率（％）］＞０．２５である負極集電体用金属箔に係る。又貫通孔の密度が１０００個／ｃｍ^２未満である領域をさらに含み、貫通孔の密度が１０００個／ｃｍ^２以上である領域の面積が１００ｍｍ２以上である負極集電体用金属箔に係る。 （もっと読む）

【課題】基板上面の周縁部における処理幅を精密に制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷはスピンチャックにより水平姿勢で保持されている。スピンチャックに保持されたウエハＷの下面の中央部には、下ノズル６からの処理液が供給される。下下ノズル６は、ウエハＷの下面から間隔Ｇ１を隔てて対向する上面５２を有している。上面５２には、処理液吐出口６ａが形成されている。ウエハＷを回転させつつ、処理液吐出口６ａから処理液を吐出すると、その吐出された処理液によって、ウエハＷの下面と下ノズル６の上面５２との間の空間５３が液密状態にされる。ウエハＷの下面に接液する処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて回転半径外方側へと広がり、ウエハＷの周端面１０２から上面に回り込む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の製造工程におけるシード層の除去性を高めると同時に、このようなシード層を除去する際にアンダーカットが生じにくいエッチング液、およびこれらのエッチング液を使用した基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】硫酸および過酸化水素を含む銅のエッチング液において、ニトロ置換基を有するベンゾトリアゾール化合物および有機アミン化合物を含むことを特徴とする銅のエッチング液およびこれらのエッチング液を使用した基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ成分を含むセラミック基材上に設けられたＡｇ電極の表面全体に、無電解めっきにより確実にめっき膜を形成することが可能であるとともに、セラミック基材の上記Ａｇ電極外の領域には、無用のめっき膜を析出させることのないめっき方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ成分を含むセラミック基材上に形成されたＡｇ電極に無電解めっきを行うにあたって、Ａｇ電極上およびセラミック基材上のＡｇ電極が形成されていない領域に存在するＣｕ成分を除去するためのエッチングを行うＣｕエッチング工程と、セラミック基板上の、Ａｇ電極が形成されていない領域に存在するＡｇ成分を除去するためのエッチングを行うＡｇエッチング工程とを実施した後に、Ａｇ電極に無電解めっきを行う。
Ｃｕエッチング工程とＡｇエッチング工程とを、別工程として実施する。
Ｃｕエッチング工程は、Ａｇを溶解しないエッチング液を用いて実施する。 （もっと読む）