【課題】本発明は、スパッタ装置の処理能力を損なうことなく、スパッタに異常がないときは金属薄膜の反射率を面内で均一にすることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置の製造方法は、シリコン基板にスパッタ成長により金属膜を形成する第１スパッタ工程と、該第１スパッタ工程の後に該第１スパッタ工程よりも高いＤＣパワーでさらに金属膜をスパッタ成長させる第２スパッタ工程と、該第１スパッタ工程と該第２スパッタ工程の後に、該第１スパッタ工程および該第２スパッタ工程で形成された金属膜の反射率の均一性を測定する検査工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、ソース電極またはドレイン電極は、第１の導電層と、第１の導電層の端面よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第２の導電層と、を含み、第２の導電層の伸長した領域の上に、前記伸長した領域のチャネル長方向の長さより小さいチャネル長方向の長さの底面を有するサイドウォール絶縁層を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、ソース電極及びドレイン電極は、第１の導電層と、第１の導電層の端部よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第２の導電層と、を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高電圧を印加しても壊れにくい電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタは、略同一の第１、第２トランジスタ部１１,１２を備える。第１のトランジスタ部１１は、ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造、III族窒化物半導体層構造上に間隔をおいて配置されたソース電極５およびドレイン電極７、フィールドプレート９１を有するゲート電極６、ドレイン電極７を被覆するように配置された絶縁体層８を有する。フィールドプレート９１は、ドレイン電極７を覆うようにひさし状に延在する。第２のトランジスタ部１２は、第１のトランジスタ部１１と略面対称に配置されている。第１のトランジスタ部１１のIII族窒化物半導体層構造、絶縁体層８およびドレイン電極７は、第２のトランジスタ部１２において対応する構造または層と一体化されている。 （もっと読む）

【目的】活性部の端部に形成されたトレンチの電界強度を緩和しながら、少数キャリアを注入させることなく、耐圧の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ＴＭＢＳダイオードの活性部２１と耐圧構造部２２において、活性部トレンチ１２を取り囲むように端部トレンチ７が設けられ、アノード電極３の外周側の端部である活性端部１９は、端部トレンチ７の内部に設けられた導電性のポリシリコン１３と接している。端部トレンチ７と離間して端部トレンチ７を取り囲むようにガードトレンチ８が形成されている。またアノード電極３の外周部にアノード電極３とは離間してフィールドプレート９が設けられている。フィールドプレート９は、端部トレンチ７とガードトレンチ８の間のメサ領域１８におけるｎ型ドリフト層２の表面の一部と、ガードトレンチ８の内部に形成されている導電性ポリシリコン１３の両方と接している。 （もっと読む）

【課題】チャネル長Ｌが短く微細化が可能な、酸化物半導体を用いたトップゲート型の半導体素子を提供することを課題とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にゲート電極層とを有し、ソース電極層及びドレイン電極層は側壁を有し、側壁は前記酸化物半導体層の上面と接する半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】一面側に金属電極が形成された半導体基板のアロイ化を良好に行うことを可能にする製造方法および装置を提供する。
【解決手段】一面側に金属電極が形成され、所望により他面側に金属薄膜や化合物半導体層が形成された半導体基板に対し、パルス発振レーザを出射するパルス発振レーザ光源または連続発振レーザを出射する連続発振レーザ光源から出力された波長５００〜５５０ｎｍかつ半値幅３００ｎｓ以上としたパルス発振レーザまたは波長５００〜５５０ｎｍで同一箇所に半値幅３００ｎｓ以上で照射される連続発振レーザを金属電極側から半導体基板に照射しつつ相対的に走査して前記基板に対するアロイ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を備えた、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、ソース電極およびドレイン電極は、その側面が酸化された酸化領域を有する半導体装置である。なお、ソース電極およびドレイン電極の酸化領域は、３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の高周波電力、および、酸素とアルゴンの混合ガスを用いたプラズマ処理により形成されたものであることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有する薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ≦χ＜φｍｄの関係になるように構成する。また、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極を電気的に接続することで、さらに整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 （もっと読む）

本発明は、基板上のドープされたシリコン層の製造方法であって、次の工程（ａ）液体シラン配合物および基板の準備、（ｂ）該基板に該液体シラン配合物を塗布、（ｃ）電磁エネルギーおよび／または熱エネルギーの導入、（ｄ）少なくとも１種の、アルミニウムを含有する金属錯体化合物を有する液体調製物の準備、（ｅ）前記工程（ｃ）によって得られたシリコン層に該調製物を塗布、そして引き続き（ｆ）電磁エネルギーおよび／または熱エネルギーの導入によって、前記工程（ｅ）によって得られた被覆の加熱、そして引き続き（ｇ）前記工程（ｆ）によって得られた被覆の冷却、を含むドープされたシリコン層の製造方法、該法によって得られるドープされたシリコン層ならびに感光性素子および電子素子を製造するための該シリコン層の使用に関する。
（もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴとセットでＦＷダイオードとして使用される単体のショットキ・バリア・ダイオードにおいては、半田層を介して、表面のアノード電極をメタル・クリップに接続するケースが多い。この場合、アルミニウム系アノード電極上のポリイミド系ファイナル・パッシベーション膜の開口上にＵＢＭ層を設けるが、ＵＢＭ層およびポリイミド系膜がともに、引っ張り応力を有するため、下地のアルミニウム系膜に両引っ張り応力によるクラックが発生する。
【解決手段】本願発明は、半導体基板の主面に設けられたＳＢＤの活性領域および、その端部から外側の周辺部に設けられたＰＳＧ膜被覆領域を有するＳＢＤ素子において、アノード電極を構成するアルミニウム系メタル膜上に相補的に設けられた有機系ファイナル・パッシベーション膜とＵＢＭ層の境界部分をＰＳＧ膜被覆領域に設けたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、歩留まりを向上できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体素子の製造方法は、半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の一部をエッチングして複数段の段部を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に前記段部を覆うように導電層を形成する工程と、前記導電層の前記段部を覆う部分をエッチングする工程と、を備えることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に縦型パワートランジスタが形成され、該半導体基板の主面側と裏面側にそれぞれ電極が形成されてなる半導体装置であって、半導体基板の主面側と裏面側とで残留応力が低くバランスされており、半田接合に際して剥がれや亀裂等の不具合が生じ難い電極構造を有してなる半導体装置を提供する。
【解決手段】主面側の半導体基板１上に保護膜５が形成され、第１下地電極層１４に接続する第１金属電極３０ａが保護膜５に設けられた開口部５ｋを介して外部に露出すると共に、裏面側の半導体基板１上の全面に第２下地電極層１４ｂに接続する第２金属電極３０ｂが形成され、第１金属電極３０ａと第２金属電極３０ｂが、半導体基板１側から外部側に向かって、スパッタにより形成された同じ層数で対応する各層が同じ材料からなる積層構造を有してなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

ここで開示されているのは、銅、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、鉛、アルミニウム、スズおよびこれらの金属の１つを主成分として含む合金からなる群から選択される導電性構成成分を含む導電層と、酸化ホウ素を含む酸化保護層とを含む電極であって、前記酸化保護層が導電層の上面を被覆するかまたは導電層の上面および側面の両方を被覆するかまたは導電層が形成されている全ての場所を被覆する電極であって；導電層および酸化保護層を同時に空気焼成することによって形成される電極である。 （もっと読む）

【課題】素子の特性の変動を抑えること。
【解決手段】面方位が（１００）面のシリコン基板１の表面に、１ｎｍ以下の酸化膜１０を形成する。そして、この酸化膜１０の表面に、スパッタリングによってアルミニウムを積層することで、全面が（１１１）面のアルミニウム膜２を形成する。そして、アルミニウム膜２の表面に、無電解めっき処理によりニッケルめっき層を形成する。また、アルミニウム膜２を形成した後、シリコン基板１とアルミニウム膜２とをシンタリングする際に、酸素濃度に合わせて、熱処理温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】高電圧を印加しても壊れにくい電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタは、基板１、チャネル層３及びバリア層４と、バリア層４上にこの順で離間して設けられたソース電極６、ゲート電極７およびドレイン電極８とを備え、ソース電極６の直下に第１のｎ型不純物拡散領域１２が設けられ、ドレイン電極８の直下に第２のｎ型不純物拡散領域１３が設けられ、第２のｎ型不純物拡散領域の下側の前記チャネル層３および第２のｎ型不純物拡散領域の前記ゲート電極側の前記チャネル層３および前記バリア層４に第３のｎ型不純物拡散領域１５が設けられる。第３のｎ型不純物拡散領域１５は第２のｎ型不純物拡散領域１３よりも低いｎ型不純物濃度を有し、ゲート電極とドレイン電極との間に電圧が印加されたときバリア層４およびチャネル層３においてその絶縁破壊強度を超える電界集中が生じることを抑制する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑え、微小電流が流れる領域で電圧降下を低くすることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ｎ型半導体層の一方の表面近傍に、微小電流が流れる領域で電圧降下が生じるように濃度設定されたｐ型半導体層を形成してｐｎ接合を形成し、ｐ型半導体層の表面に、アルミニウムの膜を形成し、アルミニウムとｐ型半導体層のシリコンを、焼結処理により反応させてアルミニウム・シリサイド膜を生成し、アルミニウム・シリサイド膜の上部に存在するアルミニウムであって、シリコンとは未反応のアルミニウムを、エッチングにより除去して表面を粗面化し、粗面化されたアルミニウム・シリサイド膜の上に、ニッケル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有するＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大するという問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、画素部に酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを用い、さらに駆動回路の少なくとも一部の回路も酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成する。同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するように、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるように第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面側で、Ａｌ電極膜表面にボイドが形成され難くすることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の一方の主面側に半導体機能領域と所要のコンタクトホール８を含む層間絶縁膜７パターンを形成した後、該半導体基板１の前記一方の主面側の全面に、厚膜のアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜を成膜して前記コンタクトホール８の底面を含む半導体基板１表面に導電接触させて所要の電極膜９を形成する際に、前記アルミニウムの成膜工程を膜厚に関して複数回に分け、複数回の前記アルミニウム成膜工程の間に、直前のアルミニウム膜表面の凹凸を等方性エッチングにより平坦化する工程を設ける半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）