【課題】有機不純物層の形成を抑え、且つ銅膜と下地となる金属との密着性のよい半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】チタン等の酸化傾向の高い金属からなるバリアメタル層１３（下地膜）が被覆された基板（ウエハＷ）を処理容器内に載置し、水蒸気の供給の開始と同時またはその後、銅の有機化合物（例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）からなる原料ガスを供給して、水蒸気により酸化物層１３ａが形成されたバリアメタル層１３の表面に銅膜を成膜する。次いで、このウエハＷに熱処理を施して、酸化物層１３ａを、バリアメタル層１３を構成する金属と銅との合金層１３ｂに変換する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗及び不良が減少したアレイ基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２０上にバリア層を形成する。その後、バリア層上に銅または銅合金を含むゲートライン１３１及びゲートラインに電気的に接続されるゲート電極１１８を形成する。その後、ゲートライン１３１及びゲート電極１１８の表面を窒化プラズマ処理する。続いて、絶縁基板１２０上にゲートライン１３１及びゲート電極１１８をカバーするゲート絶縁膜１２６を蒸着する。続いて、ゲート絶縁膜１２６上にデータライン１３３、データライン１３３に電気的に接続されるソース電極１１７、ソース電極１１７と離隔されて配置されるドレイン電極１１９、及びゲート電極１１８上でソース電極１１７とドレイン電極１１９との間に配置される半導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】コンタクトホールやヴィアホールの導通抵抗を低下させる。
【解決手段】ターゲット２０と成膜対象物１７の間の空間をアノード電極４で取り囲み、アノード電極４に印加する正電圧と、成膜対象物１７に印加する負電圧とを制御し浅穴の底面の堆積速度がエッチング速度よりも大きい状態を維持しながら、深穴の底面では、エッチング速度を堆積速度以上の大きさにする。深穴底面にバリア膜を形成せずに、浅穴底面、及び深穴と浅穴の側面にバリア膜を形成することができるので、銅配線膜が深穴底面下の導電性物質と直接接触でき、導通抵抗が低下する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたビアホールに、良好な埋設特性でメッキ法により導電材料を埋設して電子部品を製造する。
【解決手段】基板に形成された複数の貫通穴を塞ぐように設置される導電層を複数の領域に分割し、当該複数の領域の導電層に流れる電流を個別に制御して前記貫通穴に電解メッキ法により導電材料を埋設するメッキ工程と、前記導電材料に接続される導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機不純物層の形成や銅膜の異常成長が少なく、下地膜との密着性のよい銅膜の成膜方法等を提供する。
【解決手段】基板が載置された処理容器内に水蒸気が存在する状態で、銅の有機化合物（例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）からなる原料ガスを供給して基板上に銅の密着層を形成する。次いで、処理容器内の水蒸気と原料ガスとを排出して、その後、処理容器内に再び原料ガスを供給することにより密着層の表面に銅膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタの電極を確実に分離することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】各凹部１０ａの側面及び各凹部１０ａ周辺のシリコン基板１０上面には、シリコン酸化膜１１が形成してあり、さらに、シリコン酸化膜１１の上面には、シリコン窒化膜１３が形成されている。シリコン窒化膜１３の縁辺は、シリコン酸化膜１１の縁辺より突出させてオーバハング形状（庇状）にしてある。また、各凹部１０ａの開口部周りのシリコン酸化膜１１は、等方性エッチングによってオーバハング形状にしてある。すなわち、各凹部１０ａの開口部周りは、シリコン窒化膜１３によるオーバハングとシリコン酸化膜１１によるオーバハングが形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をトレンチ構造にしてエミッタ領域及びエミッタ電極を設け、デバイスサイズを小型化、高集積化することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０は、Ｎ型不純物（例えばアンチモンＳｂ）が含有され、コレクタ領域ＲＣを形成している。シリコン基板１０の表面には、複数の凹部１０ａ、１０ａ、…を形成している。各凹部１０ａの底面及び側面には、エミッタ領域ＲＥを形成してあり、エミッタ領域ＲＥの下側及び各凹部１０ａを除くシリコン基板１０の表面には、ベース領域ＲＢを形成してある。エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 （もっと読む）

【課題】電極材料の液滴の滴下にてソース電極およびドレイン電極を形成する場合に、両電極間のチャネル部に液滴の飛沫が付着する事態を防止することができる薄膜トランジスタおよび液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ソース電極１０１は、ソース電極１０１の本線とつながる分岐電極部１０１ａの両側部分に向かって電極幅が漸次広くなっている。すなわち、台形形状の２つの底角部から台形形状の上辺部分に向かって電極幅が漸次狭くなり、台形形状の上辺部分は半導体層１６上に延び出している。上記２つの底角部のことを、ソース移行部と呼ぶとすれば、各ソース移行部（底角部）における電極幅は、ソース配線から半導体層１６の形成領域に向かって徐々に広がっている。 （もっと読む）

【課題】銅膜とその下地膜との密着性がよく、配線間の抵抗の小さな半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】大気中の水分を吸収した多孔質の絶縁層（ＳｉＯＣ膜１１）にトレンチ１００の形成された基板（ウエハＷ）を処理容器内に載置し、バルブメタルからなる第１の下地膜（Ｔｉ膜１３）を被覆する。絶縁層から放出された水分により、絶縁層と接する第１の下地膜の表面が酸化されてパッシベーション膜１３ａが形成される。一方、第１の下地膜の表面をバルブメタルの窒化物または炭化物からなる第２の下地膜に被覆し、その表面に銅の有機化合物を原料とするＣＶＤにより銅膜１５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】反りのあるワークに対しても正確なアライメントを行うことができるアライメント方法およびアライメント機構を提供すること、また、反りのあるワークに対しても正確に描画することが可能な描画方法および描画装置を提供すること。
【解決手段】テープ８０をステージ５０に載置するステップ（ａ）と、押さえ機構３４がテープ８０の両端部をステージ５０に向かって押圧するステップ（ｂ）と、ステージ５０がテープ８０を吸着するステップ（ｃ）と、によってテープ８０の反りを矯正した状態でステージ５０に吸着させ、ステージ５０をテープ８０とともに移動させてアライメントを行う。その後、液滴吐出ヘッドからテープ８０へ機能液を吐出するステップと、機能液を乾燥させてテープ８０上にパターンを形成するステップと、によってパターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】被覆段差性に優れ、なおかつ低コストで半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】ルテニウム液体原料を気化したガスと酸素含有ガスとを用い、基板上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を成膜する工程を有し、前記成膜する工程は、基板上にルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を成膜する初期成膜工程と、前記初期成膜工程において形成した膜を下地として前記初期成膜工程で形成した膜より厚い膜厚のルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を成膜する本成膜工程とを有し、前記本成膜工程よりも前記初期成膜工程の方が成膜速度が大きくなるようにして成膜を行うと共に、前記初期成膜工程と前記本成膜工程とを同一反応室内で連続して行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された濡れパターンの検査を、簡易にかつ確実に実行する。
【解決手段】パターン形成装置は、同一のゲート電極パターンが多数規則的に形成された透明な基板にパターンを形成する。液膜塗布手段は、基板１６に感光性撥液膜１８を塗布可能である。露光装置１０は、基板の裏面側に配置され基板上に塗布された撥液膜をゲート電極１３に応じたパターンに形成する。滴下装置５５は、露光手段が形成した撥液膜パターンを有する基板表面に検査液を滴下する。計測手段５８は、滴下装置が滴下した液滴を検出する。検出手段が検出した液滴に応じて露光装置の形成した撥液膜パターンの良否を判断手段が判断する。 （もっと読む）

【課題】ワークおよびワークに形成された配線に損傷を与えにくいアライメント方法およびアライメント機構を提供すること、また、ワークおよびワークに形成された配線にほとんど損傷を与えない描画方法および描画装置を提供すること。
【解決手段】（ａ）巻出しリール８４から巻取りリール８５に至る搬送経路に掛け渡されたテープ８０を、スプロケット７１，７２，７６により搬送し、ステージ５０に載置する。（ｂ）テープ８０を、クランプ７７，７８によって保持する。（ｃ）クランプ７７，７８を、互いの距離を縮める方向に移動させて、テープ８０に弛みを生じさせる。この状態で、可動ステージ１８を移動させて、テープ８０のアライメントを行う。（ｄ）液滴吐出ヘッド９０から機能液９をテープ８０に吐出し、乾燥させることにより、パターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】高価なスラリーを消費するＣＭＰを用いることなく、不所望な電極材及びバリアメタル層の部分を除去することによって、低コストで半導体装置における電極を形成する。
【解決手段】異なる工程において、ウェットエッチングを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層２１ｂをそれぞれ個別に残らず除去する。従って、電極２５を形成するために、外側電極材層及び外側バリアメタル層を同時に除去する工程が存在しない。そのため、ＣＭＰを用いる必要がなく、ウェットエッチングのみを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】被めっき面への気泡の滞留を確実に防止することができる電解めっき装置および電解めっき方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００を支持する保持体１０４とめっき液１０２とを水平方向に相対的に移動させる。これにより、半導体基板１００の表面に、半導体基板１００の表面に沿った力を作用させることができる。このため、半導体基板１００の被めっき面に存在する気泡を排出することができ、均一なめっき膜を安定して形成することができる。なお、保持体１０４とめっき液１０２との相対的な移動は、例えば、保持体１０４を水平方向に移動させる、あるいは、半導体基板１００の中心以外に位置する軸心周りに保持体１０４を回転させることにより行うことができる。 （もっと読む）

原子層堆積（ALD）のための改良された装置及び方法について記載する。特に溶液ALD前駆体を気化及び供給するための改良された方法及び装置を提供する。本発明は、特に、低揮発性金属、金属酸化物、金属窒化物及び他の薄層前駆体の処理に有用である。本発明は、溶液前駆体の利用効率を高めつつ、真のALD蒸気パルスを発生させるために完全気化チャンバと室温弁システムを使用する。 （もっと読む）

【課題】例えばＣｕＭｎ合金膜やＭｎ膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内で、銅を含む銅含有原料ガスと遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと還元ガスとにより被処理体の表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばＣｕＭｎ合金膜やＭｎ膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができる。 （もっと読む）

本発明は、乾式熱転写プロセスによって提供することが可能な、新規な誘電体層と、金属組成物を含む新規な電極とを含む薄膜トランジスタに関する。
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【課題】ＢＴＳ試験の影響のない半導体構造を有する高電圧ＭＯＳ素子を提供する。
【解決手段】高電圧ＭＯＳ素子は、基板上に横たわった第１高電圧ウェル（ＨＶＷ）領域２４と、基板上に横たわった第２ＨＶＷ領域２６と、基板上に横たわり、第１・第２ＨＶＷ領域の導電型とは反対の導電型となり、かつ、少なくとも一部が第１ＨＶＷ領域と第２ＨＶＷ領域との間に設けられる第３ＨＶＷ領域２８と、第１・第２・第３ＨＶＷ領域の中に設けられた絶縁領域３０と、第１ＨＶＷ領域から第２ＨＶＷ領域まで覆いかつ延伸するゲート誘電体と、ゲート誘電体上に設けられたゲート電極３８と、絶縁領域上に設けられ、前記ゲート電極から電気的に絶縁された遮蔽パターン４２と、を備える。ゲート電極と遮蔽パターンとの間隔は、好ましくは約０．４μｍ未満である。遮蔽パターンは、好ましくはゲート電極に印加されるストレス電圧よりも低い電圧に接続される。 （もっと読む）

【課題】焼成後の金属膜の表面に析出する析出物の発生を抑制することが可能な金属膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】水溶性ポリマー及び金属化合物を含有する金属膜形成用組成物において、金属化合物以外の金属物質の含有量を、５０ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）