【課題】下地層と導電層との密着性を向上させた金属配線形成方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｓ上に形成されたマンガン層２５上に、金属微粒子を分散させた配線形成用インクＸ２を塗布する第２液滴吐出工程と、配線形成用インクＸ２を加熱して前記金属微粒子を粒成長させて銀層２６を形成する第２焼成工程とを有し、前記第２焼成工程で、焼成温度までの平均昇温速度が、２０℃／分以上２００℃／分以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体のトランジスタ構造の操作時に「ホットキャリア効果」の程度を低減し、該トランジスタを具えたOLED駆動ICの使用寿命を延長可能な低ホットキャリア効果を具えた半導体構造の提供。
【解決手段】基板、金属層、絶縁層、第一半導体層、第二半導体層を含む。該第一半導体層は第一電気抵抗値を具え、少なくとも該絶縁層の部分表面を覆い、該第二半導体層は第二電気抵抗値を具え、少なくとも該絶縁層の部分表面を覆蓋する。該第二半導体層の第二電気抵抗値は該第一半導体層の第一電気抵抗値より大きい。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を埋め込み形成する際の埋め込み特性を改善する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にゲート絶縁膜２を介して、第１ゲート電極層３ａと第２ゲート電極層３ｂとをこの順に積層してなるゲート電極３を形成する半導体装置の製造方法であって、まず、半導体基板１上に、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３の仕事関数を規定する金属含有材料からなる第１ゲート電極層３ａとをこの順に積層する工程を行う。次に、第１ゲート電極層３ａ上に、第１ゲート電極層３ａに達する凹部８を有する絶縁層７を形成する工程を行う。次いで、凹部８に、第１ゲート電極層３ａよりも抵抗値の低い金属含有材料からなる第２ゲート電極層３ｂを埋め込む工程を行う。その後、第２ゲート電極層３ｂをマスクとして、第１ゲート電極層３ａをパターンニングする工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法と半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】銅シード層を設けた半導体ウェハーの、トレンチ・ビアの入り口付近に過剰に付着した銅シード層を溶解し、その後電気銅めっき、無電解銅めっきによるネッキングを防止し、トレンチ・ビア内部の完全な埋め込みが可能となる前処理剤を提供することを目的とする。
【解決手段】アンモニウムイオン濃度が０．１ｇ／Ｌ以上で、ｐＨが１１以上であることを特徴とするシード層を有する半導体ウェハーの前処理剤。該前処理剤は、金属イオンを含有しないことが好ましく、更に界面活性剤を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】前面発光型窒化物系発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に順次積層されたｎ型クラッド層３０、活性層４０、ｐ型クラッド層５０及び透明導電性薄膜層６０を備え、ここで、透明導電性薄膜層６０は、内部で発生した光の外部発光効率を高めるために別途のエッチングマスクなしに湿式エッチング方式とポスト熱処理によるナノメートルスケールでパターニングされた表面を有する窒化物系発光素子である。これにより、湿式エッチングとポスト熱処理法により形成されたパターニングされた表面を有する透明導電性薄膜層を介して素子の外部発光効率を極大化させることができ、高輝度発光ダイオードの具現を可能にする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により上部電極を成膜する際の下地層へのダメージを防止する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上の層間絶縁膜１６に設けられた凹部１７の内壁を覆う状態で、層間絶縁膜１６上にゲート絶縁膜１８を形成する工程と、ゲート絶縁膜１８上に、仕事関数を制御する第１ゲート電極層１９ａを形成する第１工程と、第１ゲート電極層１９ａ上に、下地層へのバリア性を有する第２ゲート電極層１９ｂを形成する第２工程と、第２ゲート電極層１９ｂが設けられた凹部１７を埋め込む状態で、第２ゲート電極層１９ｂ上に、化学的気相成長法により、第１ゲート電極層１９ａよりも抵抗の低い第３ゲート電極層１９ｃを形成する第３工程とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法と半導体装置である。 （もっと読む）

本明細書では無電解銅めっき溶液を開示する。この溶液は、水性銅塩成分と、水性コバルト塩成分と、ポリアミン系錯化剤と、化学光沢剤成分と、ハロゲン化物成分と、この無電解銅めっき溶液を酸性にするのに十分な量のｐＨ調整物質とを含む。また、無電解銅溶液を調製する方法も提供する。水性銅塩成分は、硫酸銅（ＩＩ）、硝酸銅（ＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）、テトラフルオロホウ酸銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、エチレンジアミン硫酸銅（ＩＩ）、ビス（エチレンジアミン）硫酸銅（ＩＩ）、およびジエチレンアミン硝酸銅（ＩＩ）からなる群から選択され得る。
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【課題】本発明は、液晶表示装置用アレイ基板に係り、より詳しくは、有機半導体物質を半導体層とする液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、基板上に金属物質で構成されて、相互に離隔して形成された第１ソース電極及び第１ドレイン電極と；透明導電性物質で構成されて、前記第１ソース電極及び前記第１ドレイン電極の上部面を覆う第２ソース電極及び第２ドレイン電極と；前記第２ドレイン電極と接触する画素電極と；前記基板上に形成された有機半導体層と；前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と；前記基板上に形成されたゲート電極とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、基板の表面にシード膜等の薄膜を均一に成膜できるようにする。
【解決手段】金属またはその化合物とカルボン酸とをカルボン酸蒸気を含む雰囲気下で加熱反応させ、金属またはその化合物とカルボン酸との反応生成物を飛散させて、金属またはその化合物からなる薄膜を基板の表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を小型化することができる技術を提供する。
【解決手段】主面１００ａ（第１主面）と、主面１００ｂの反対側に位置する主面１００ｂ（第２主面）とを有し、主面１００ｂ側に一部が露出するように形成された導電層１（第１導電層）および導電層２（第２導電層）と、導電層１の主面１ａに電気的に接続されるＬＥＤチップ４（発光半導体チップ）と、ＬＥＤチップ４と導電層２を電気的に接続するワイヤ５（導電性部材）と、導電層１、導電層２、ワイヤ５およびＬＥＤチップ４を封止する透光性の封止体３とを備え、主面１００ａ上には集光レンズを形成せず、導電層１、導電層２、ワイヤ５およびＬＥＤチップ４は封止体３のみにより封止されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給するとともに原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】カルボン酸と酸素含有金属化合物とを反応させてカルボン酸塩ガスを生成する工程と、基板１上にカルボン酸塩ガスを供給してカルボン酸塩膜２を堆積させる工程と、カルボン酸塩膜２が堆積された基板１にエネルギーを与えてカルボン酸塩膜２を分解して金属膜３を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】電極として用いることが可能な金属を含む導電薄膜を、表面の凹凸が少ない状態で形成できるようにする。
【解決手段】導電薄膜１０３は、例えば単結晶シリコンからなる基板１０１の上に、例えば、アモルファス状態のシリコン酸化膜よりなる下部絶縁膜１０２を介して形成されたものである。導電薄膜１０３は、ルテニウムと窒素から構成されたものである。導電薄膜１０３は、ルテニウムよりなるターゲットを、アルゴンガス（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）ガス、窒素ガスからなるＥＣＲプラズマを用いてスパッタリングして形成すればよい。 （もっと読む）

導電性の、構造化された、又はほぼ平坦な表面を支持体上に製造する方法であって、第１工程で、マトリックス材料中に導電性の粒子を含む分散物を使用して、構造化された又はほぼ平坦な基礎層を支持体上に施し、第２工程で、マトリックスを少なくとも部分的に硬化及び／又は乾燥させ、第３工程で、マトリックスを少なくとも部分的にブレークすることによって導電性の粒子を露出させ、そして第４工程で、無電解及び／又は電解被覆によって、構造化された又はほぼ平坦な基礎層上に金属層を形成することを特徴とする方法。 （もっと読む）

銅相互接続層を、例えばＴＦＴ−ＬＣＤフラットパネル相互接続システムにおいて使用されるガラス基板などの基板上に堆積させる方法。本発明に従う方法は、ａ）任意に、基板を清浄化する工程と、ｂ）任意に、この基板をミクロエッチングする工程と、ｃ）触媒化層を基板上に堆積させて、触媒化基板を得る工程と、ｄ）触媒化基板を、調整溶液を用いて調整して、調整触媒化基板を得る工程と、ｅ）前記基板又はまたはその少なくとも一部をＮｉ及びＰの前駆体を含んだウェッツバス混合物と接触させることによって、前記触媒化基板に無電解ＮｉＰ層を鍍金して、ＮｉＰ鍍金調整触媒化基板を得る工程と、ｆ）銅用触媒層をＮｉＰ鍍金層上に堆積させる工程と、ｇ）Ｃｕ層を前記銅用触媒層上に堆積させる工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。

【解決手段】Ｂ：５〜２０００ｗｔｐｐｍを含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する液晶表示装置の配線および電極用銅合金薄膜およびその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】使用するアクティブマトリクス方式の表示器に使用される有機半導体装置においてゲート駆動信号を伝搬するゲート線（ゲート信号線）の抵抗値を下げることを可能とした半導体装置、電気光学置及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板上(101)に形成された有機半導体トランジスタと、有機半導体トランジスタのソース又はドレイン電極(105)と接続されるデータ線(107)と、データ線と交差するように配置されて有機半導体トランジスタのゲート電極(110)に接続されるゲート線と、を備え、ゲート線は、ゲート電極(110a)、ゲート電極に信号を伝搬する第１のゲート線(102)、及びデータ線と層間絶縁層(109)を介して交差する第２のゲート線(110b)を含み、上記ゲート電極、上記第１及び第２のゲート線は互いに直列に接続され、第１のゲート線(102)の導電率がゲート電極(110a)及び第２のゲート線(110b)の導電率よりも高い、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、様々なトランジスタタイプの金属ゲート電極の実効仕事関数及び閾値電圧を、簡便で、再生可能でまた効率的な方法で制御することができるＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＭＯＳＦＥＴ、ＦｉｎＦＥＴ、若しくはメモリーデバイスにおけるゲートを作製するにあたり、半導体基板上に、(予め)決定された移動度、リーク、及び／又はＥＯＴ(酸化膜換算膜厚)の仕様を満たす誘電体材料からなる少なくとも一層を成長させ、
上記ゲート電極を形成する前に、上記少なくとも一層の誘電体層とゲート電極との間の界面に、ランタンハフニウム酸化物材料を含む若しくはこれからなる、好ましくはＬａ_２Ｈｆ_２Ｏ_７からなる界面層を成長させ、上記界面層に接触する誘電体材料からなる少なくとも一層を、上記界面層材料と相違させることを特徴とする。
金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。その製造方法、及びその応用も提供する。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極のコンタクト抵抗が小さく且つ電極の形成が容易な電界効果トランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】電界効果トランジスタは、基板１０の上に形成され、一般式がＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）で表されるキャップ層２５を含む窒化物半導体積層体２０と、キャップ層２５の上に互いに間隔をおいて形成されたノンアロイのソース電極３１及びノンアロイのドレイン電極３２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、順方向バイアス印加時におけるオン抵抗の増加を抑制しながら、逆方向バイアス時におけるリーク電流を抑制して耐圧の低下を抑制することができる半導体整流素子を提供する。
【解決手段】ショットキー電極５０は、隣り合う電界緩和層４０の間に位置し、かつドリフト層３０の表面上に接触するようにして形成された第１の領域５０Ｂと、ショットキー電極のうち第１の領域を除く第２の領域５０Ａとを有し、第１の領域は、第２の領域よりバリアハイトが高い導電性材料によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、様々なトランジスタタイプの金属ゲート電極の実効仕事関数及び閾値電圧を、簡便で、再生可能でまた効率的な方法で制御することができるＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＭＯＳＦＥＴ、ＦｉｎＦＥＴ、若しくはメモリーデバイスにおけるゲートを作製するにあたり、半導体基板上に、(予め)決定された移動度、リーク、及び／又はＥＯＴ(酸化膜換算膜厚)の仕様を満たす誘電体材料からなる少なくとも一層を成長させ、
上記ゲート電極を形成する前に、上記少なくとも一層の誘電体層とゲート電極との間の界面に、ランタンハフニウム酸化物材料を含む若しくはこれからなる、好ましくはＬａ_２Ｈｆ_２Ｏ_７からなる界面層を成長させ、上記界面層に接触する誘電体材料からなる少なくとも一層を、上記界面層材料と相違させることを特徴とする。
金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。その製造方法、及びその応用も提供する。 （もっと読む）