【課題】液晶ディスプレイ用基板の製作方法の提供。
【解決手段】本発明は一種の液晶ディスプレイ用基板の製作方法に関するものであり、主には、従来のパネル設計における抵抗値のマッチングがしにくいという問題を改善するために、低インピーダンスの導線構造を形成するものである。本発明で製作する薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ用基板は、パネル内の導線抵抗値を有効に減少することができ、薄膜トランジスタの駆動信号の通信速度を向上させることができる。故に、本発明は製品の歩留まりを向上させて製造コストを下げるだけでなく、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの大型化、高画質化のニーズを満足させることもできる。 （もっと読む）

【課題】例えばＣｕＭｎ合金膜やＭｎ膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内で、銅を含む銅含有原料ガスと遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと還元ガスとにより被処理体の表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばＣｕＭｎ合金膜やＭｎ膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができる。 （もっと読む）

本発明は、乾式熱転写プロセスによって提供することが可能な、新規な誘電体層と、金属組成物を含む新規な電極とを含む薄膜トランジスタに関する。
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【課題】ＢＴＳ試験の影響のない半導体構造を有する高電圧ＭＯＳ素子を提供する。
【解決手段】高電圧ＭＯＳ素子は、基板上に横たわった第１高電圧ウェル（ＨＶＷ）領域２４と、基板上に横たわった第２ＨＶＷ領域２６と、基板上に横たわり、第１・第２ＨＶＷ領域の導電型とは反対の導電型となり、かつ、少なくとも一部が第１ＨＶＷ領域と第２ＨＶＷ領域との間に設けられる第３ＨＶＷ領域２８と、第１・第２・第３ＨＶＷ領域の中に設けられた絶縁領域３０と、第１ＨＶＷ領域から第２ＨＶＷ領域まで覆いかつ延伸するゲート誘電体と、ゲート誘電体上に設けられたゲート電極３８と、絶縁領域上に設けられ、前記ゲート電極から電気的に絶縁された遮蔽パターン４２と、を備える。ゲート電極と遮蔽パターンとの間隔は、好ましくは約０．４μｍ未満である。遮蔽パターンは、好ましくはゲート電極に印加されるストレス電圧よりも低い電圧に接続される。 （もっと読む）

【課題】焼成後の金属膜の表面に析出する析出物の発生を抑制することが可能な金属膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】水溶性ポリマー及び金属化合物を含有する金属膜形成用組成物において、金属化合物以外の金属物質の含有量を、５０ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材上に構築させる回路の微細化や製造工程の簡略化に対応するための樹脂基材のメタライズ（薄膜，多層化，めっき）に関する微細配線形成方法を提供する。
【解決手段】レーザーデトネーション法を用いた原子状ビームの照射による表面改質を利用して、ポリイミド樹脂表面の局所的な濡れ性を制御し、微細配線を形成する。すなわち、樹脂基材表面に原子状フッ素ビームを照射後（第１の改質工程）、マスキングを施し、その後で原子状酸素ビームを照射することにより（第２の改質工程）、無電解金属めっきにおいてマスク開口部のみに銅などの金属を析出させるマスクパターンの転写を可能とする。 （もっと読む）

【課題】マスク工程の増加なく、アクティブテール現象とウェーブノイズ不良を解決できる液晶表示素子の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示素子の製造方法は、第１基板、及び第２基板を準備する段階と、第１基板上にゲート電極を形成し、ゲート絶縁膜、半導体膜、導電膜、及びフォトレジスト膜を順次積層する段階と、ハーフトーンマスクを利用してフォトレジスト膜パターンを形成する段階と、フォトレジスト膜パターンを利用して導電膜及び半導体膜をパターニングする段階と、第１アッシング工程を行ってフォトレジスト膜パターンの一部を除去する段階と、一部が除去されたフォトレジスト膜パターンを利用して導電膜をパターニングすることによりソース／ドレイン電極を形成する段階と、第１基板上に保護膜及び画素電極を形成する段階と、第１基板と第２基板との間に液晶層を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）

本発明は、焼結により構造を形成するための焼結方法に関するものである。また、本発明は、焼結による製品に係り、電子モジュールおよび新用途に関するものである。本発明の方法では、カプセルに包んだ導体または半導体ナノ粒子を含む粉末材料を焼結し、該粉末材料に電圧を印加することによって、その電気伝導性を向上させる。本発明の方法では、通常、回路基板を使用し、該回路基板の一表面は、少なくとも一部にナノ粒子を包含した層を具える。本発明の方法は、電圧フィードおよびナノ粒子間の熱フィードバックに基づく。本発明の方法により、室温、大気圧下で導体および半導体の構造および要素の製造を行うことができる。
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【課題】半導体ナノワイヤを用い良好なトランジスタ特性を有する新規な電界効果トランジスタの構造を提供する。
【解決手段】本発明の一例である電界効果トランジスタは、基板４０、ゲート電極４１、ゲート絶縁膜４２がこの順に配置され、ゲート絶縁膜４２の上に半導体ナノワイヤ４５とソース電極４３・ドレイン電極４４が設けられている。半導体ナノワイヤ４５とソース電極４３・ドレイン電極４４とのコンタクト領域において、半導体ナノワイヤ４５の表面をソース電極４３・ドレイン電極４４の構成材料が覆っている。 （もっと読む）

本発明は、基板（１００）上にアクティブ層（１０１）を形成する段階および少なくとも基板（１００）が出現するまで、トレンチ（１０２）をアクティブ層（１０１）内に形成することでコンポーネントを個別化する段階を含む、電子コンポーネント（１１１）のマトリクスを製造する方法に関する。この方法は、アクティブ層（１０１）上に機能材料の層（１０２）を蒸着する段階と、前記トレンチ（１０２）を充填し、電子コンポーネント（１１１）の上側面に薄膜（１１５）を形成するように、材料の層（１０３）上に感光性樹脂（１０４）を蒸着する段階と、トレンチの樹脂の部分の露光を少なくしつつ樹脂（１０４）を放射線に少なくとも部分的に曝露する段階と、適切に露光された部分を除去するように樹脂（１０４）を現像する段階と、現像段階の後、外面に現われる機能材料の層（１０３）の部分を除去する段階と、樹脂の残り部分を除去する段階とを含む。
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【課題】導電層の平坦性を向上させる金属配線形成方法及び焼成炉を提供すること。
【解決手段】基板Ｓ上に形成されたマンガン層２５上に、金属微粒子を分散させた配線形成用インクＸ２を塗布する第２液滴吐出工程と、配線形成用インクＸ２を加熱して前記金属微粒子を粒成長させ、銀層２６を形成する第２焼成工程とを有し、前記第２焼成工程で、基板Ｓの上下に間隔をあけて基板Ｓのうち少なくとも配線形成用インクＸ２が塗布された領域に対して赤外線を均一に照射する一対の金属板１８を配置した状態で、基板Ｓを焼成温度まで昇温する。 （もっと読む）

【課題】下地層と導電層との密着性を向上させた金属配線形成方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｓ上に形成されたマンガン層２５上に、金属微粒子を分散させた配線形成用インクＸ２を塗布する第２液滴吐出工程と、配線形成用インクＸ２を加熱して前記金属微粒子を粒成長させて銀層２６を形成する第２焼成工程とを有し、前記第２焼成工程で、焼成温度までの平均昇温速度が、２０℃／分以上２００℃／分以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体のトランジスタ構造の操作時に「ホットキャリア効果」の程度を低減し、該トランジスタを具えたOLED駆動ICの使用寿命を延長可能な低ホットキャリア効果を具えた半導体構造の提供。
【解決手段】基板、金属層、絶縁層、第一半導体層、第二半導体層を含む。該第一半導体層は第一電気抵抗値を具え、少なくとも該絶縁層の部分表面を覆い、該第二半導体層は第二電気抵抗値を具え、少なくとも該絶縁層の部分表面を覆蓋する。該第二半導体層の第二電気抵抗値は該第一半導体層の第一電気抵抗値より大きい。 （もっと読む）

【課題】めっきシード層の抵抗が比較的高い場合であっても均一な膜厚にめっきを施すことができ、製品の形成精度を向上させ、製品の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板１０上にめっきを形成する方法において、抵抗体からなる基板１０上に、該基板１０への導通部１６ａを有する絶縁層６０を形成し、該絶縁層６０上に、前記導通部１６ａを介して前記基板１０と電気的に導通するめっきシード層１２を形成し、該めっきシード層１２を給電層として該めっきシード層１２上にめっき膜１３を形成することを特徴とするめっき方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体の使用量を少なくして軽量化および低コスト化を達成したうえで、結晶半導体粒子に十分に集光することができる光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１上に、表層に第２導電型の半導体部３が形成されるとともに半導体部３上部の反射防止膜１１を覆う第１の透光性導電層５が形成された球状の第１導電型の結晶半導体粒子２の多数個が互いに間隔をあけて接合されており、結晶半導体粒子２間の導電性基板１上に絶縁層４が形成され、絶縁層４上に第１の透光性導電層５に導通する集電層が形成されており、集電層は、導電性電極層１０と、第１の透光性導電層５に導通する第２の透光性導電層５’とが順次積層されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の縦型有機トランジスタを用いた、インバータ特性を示す半導体デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】第一の電極２１と、第一の電極上２１の第一の半導体層２２、２４と、第一の半導体層２２、２４上の第三の電極２５と、第一の半導体層２２、２４の導電型と導電型が同一である第三の電極２５上の第二の半導体層２６、２８と、第二の半導体層２６、２８に挿入された第五の電極２９と、第一の半導体層２２、２４に挿入された第二の電極２３と、第二の半導体層２６、２８中に挿入された第四の電極２７とを有することを特徴とする半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】下地層と導電層との密着性を向上させた金属配線形成方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｓ上に形成されたマンガン層２５上に、金属微粒子を分散させた配線形成用インクＸ２を塗布する第２液滴吐出工程と、配線形成用インクＸ２を加熱して前記金属微粒子を粒成長させて銀層２６を形成する第２焼成工程とを有し、前記第２焼成工程で、焼成温度に達した後の基板Ｓ表面の温度低下が５℃以下である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ拡散防止機能のバリア性を維持しつつ、より低抵抗の半導体集積回路の配線構造及び配線形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の層間絶縁膜１２下層にコンタクト領域である拡散層１３が形成されている。この拡散層１３が露出する開孔１４及び配線溝１５が形成されており、主にＣｕ配線部材１６により配線材料が埋め込まれた構成となっている。図において、少なくとも層間絶縁膜１２下層のコンタクト領域である拡散層１３に接触するバリアメタル層ＢＭＴＬが形成されている。バリアメタル層ＢＭＴＬはＴｉ／ＴｉＮ積層や、ＴａＮ、ＷＮその他様々考えられる。さらに、上記Ｃｕ配線部材１６とバリアメタル層ＢＭＴＬの間にＡｌを含む薄膜１６１が介在している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板や電子基板等に好適な、銅の純度が高くかつ微細な銅層を安全かつ安価に製造するための基板の製造方法及びこれに用いる蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基材と、前記基材上に形成された銅層とを含む基板の製造方法であって、前記銅層の構成材料を含む銅層形成用材料と前記基材とを、前記銅層形成用材料の鉛直方向上側において前記基材が前記銅層形成用材料に対向するようにそれぞれ配置する工程と、前記銅層形成用材料を９０〜２００℃の温度範囲に加熱し、かつ前記基材を１２０〜４５０℃の温度範囲に加熱することにより、前記基材上に銅を蒸着させて前記銅層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）