【課題】オン抵抗の上昇を抑える共に、リーク電流を低減することが可能なショットキバリアダイオードの提供。
【解決手段】導電性III族窒化物基板１３は、第１の面１３ａおよび第２の面１３ｂを有する。また、導電性III族窒化物基板１３は、１×１０^６ｃｍ^−２以下の転位密度Ｄ_１３を有する。ｎ型窒化ガリウム系半導体ドリフト層１５は、基板１３の第１の面１３ａ上に設けられており、また１×１０^１７ｃｍ^−３以下のキャリア濃度Ｎ_１５を有する。第１のｎ型窒化ガリウム系半導体層１７は、ｎ型窒化ガリウム系半導体ドリフト層１５上に設けられており、また０．５×１０^１７ｃｍ^−３以下のキャリア濃度ｎ_１７を有する。ショットキ電極１９は、第１のｎ型窒化ガリウム系半導体層１７にショットキ接合を成す。オーミック電極２１は、基板１３の第２の面上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 仕事関数が調節され、ゲート抵抗が低いシリサイドゲート電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１に形成されたｐ型ウェル領域１３と、ｐ型ウェル領域１３上に形成された第１ゲート絶縁膜１７と、第１ゲート絶縁膜１７上に、ＮｉＳｉ_２を主成分とする第１シリサイド膜１８ａと、導電膜１８ｂと、ＮｉＳｉを主成分とする第２シリサイド膜１８ｃとがこの順に形成された第１ゲート電極１８と、第１ソース・ドレイン領域１９、２０とを備えたｎ−ＭＯＳトランジスタ１５と、ｐ型ウェル領域１３と離間して形成されたｎ型ウェル領域１４と、ｎ型ウェル領域１４上に形成された第２ゲート絶縁膜２１と、第２ゲート絶縁膜２１上に形成され、ＮｉＳｉを主成分とする第３シリサイド膜２２ａを有する第２ゲート電極２２と、第２ソース・ドレイン領域２３、２４とを備えたｐ−ＭＯＳトランジスタ１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】めっき処理を品質良く確実に行えるばかりでなく、装置全体のコンパクト化や、装置コストの低廉化が図れるめっき処理ユニットを提供する。
【解決手段】処理槽内部に吸着ヘッド７８９で保持した基板Ｗを挿入した状態で基板Ｗの処理面にめっき液による接液処理を行うめっき処理ユニットであって、吸着ヘッド７８９は、基部７９１の下面外周に基板Ｗの裏面をリング状に真空吸着すると共に基板Ｗの裏面の真空吸着した部分の内側へのめっき液の浸入を防止してシールするリング状の基板吸着部７９５を取り付けて構成され、基部７９１には、基板吸着部７９５に吸着した基板Ｗと基部７９１の間の空間を開放する開口部が設けられている。 （もっと読む）

基板（１０）上に位置するスタック（３０）。スタックは、誘電体層（１６）と金属層（２６）との間に層（２４）を有する。その層は、ハロゲン及び金属を含む。一実施形態において、ハロゲンはフッ素である。一実施形態において、スタックは、トランジスタ用の制御電極スタックである。一例において、制御電極スタックは、ＭＯＳＦＥＴ用のゲートスタックである。一例において、層はフッ化アルミニウムを含む。
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【課題】半導体基板にスルーホールを形成する工程や、半導体基板を裏面から研磨する工程は、非常に長い時間を要し生産性を低下させる要因となる。また、半導体基板を積層する構造であるため、積層して形成された半導体集積回路は厚くなり機械的な柔軟性に劣っている。
【解決手段】複数の基板上に剥離層を形成し、剥離層上に半導体素子、および貫通配線のための開口部を形成する。そして、半導体素子を有する層を基板から剥離し、重ね合わせて積層し、開口部に導電性を有する層を形成して貫通配線を形成することによって半導体集積回路を作製する。 （もっと読む）

【課題】多孔質の紙及びポリマー基材上又は半導体表面上に低い電気抵抗をもつ導電性のライン及び表面パターンを作製する技術を提供する。
【解決手段】基材上に導電体を作製する方法であって、金属粒子、金属前駆体及びそれらの混合物からなる群から選択された少なくとも１種の成分で構成された導体配合物を基材上に塗布する工程、該導体配合物を負に帯電したイオン性の還元性ガスに曝露しながら、焼結により該成分を金属に変えそして導電体を作製する工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】シリサイド・コンタクトとその上のメタライゼーションとの間の接触抵抗を低減する方法及び構造体を提供する。
【解決手段】上に配置される少なくとも１つの電界効果トランジスタを含み、前記少なくとも１つの電界効果トランジスタに隣接して配置されるシリサイド・コンタクト領域１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃを含む、半導体基板１２と、前記半導体基板上に配置され、前記少なくとも１つの電界効果トランジスタの上に延び、前記シリサイド・コンタクト領域を露出させるコンタクト開口部２０を有する絶縁中間層１８と、前記コンタクト開口部内の金属ゲルマニウム化物含有コンタクト材料２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】II-VI族半導体素子において、多層コンタクト層の最表面ＢｅＴｅ層の酸化を防止する。
【解決手段】II-VI族半導体素子は、半導体層１０のスタックを含む。オーミク接触３４が提供され、このスタックに電気的に結合する。このオーミック接触は、酸化性物質に暴露されるときに、ある酸化速度を有する。パッシベーションキャップ層４２は、オーミック接触の上に重なり、オーミック接触の酸化速度よりも小さい酸化速度を有する。 （もっと読む）

【課題】ビアホールを有する半導体装置及びその製造方法において、ビアホール内におけるバリア層の被覆不足防止とビア抵抗を制御することの両者を同時に達成することを目的とする。
【解決手段】その表面上にパッド電極３を有する半導体基板１を準備する。次に、半導体基板１の裏面から表面方向にエッチングし、パッド電極３を露出させるビアホール８を形成する。次に、スパッタリング法またはＰＶＤ法、及び逆スパッタリング（エッチング）によりビアホール８内に第１のバリア層１１を形成する。この逆スパッタリングによりビアホール８底部のバリア層が除去され、パッド電極３が露出される。次に、ビアホール内で露出したパッド電極３上に第２のバリア層１２を形成する。第２のバリア層１２の膜厚のみを調節することでビア抵抗を制御する。 （もっと読む）

【課題】積極的に被処理基板表面の電場状態を制御することで、目的とするめっき膜厚の面内分布が得られる電解処理装置及びその電場状態制御方法を提供すること。
【解決手段】陽極３８と被処理基板Ｗ間にめっき液１０を満たし、且つ陽極３８と被処理基板Ｗ間にめっき液１０の電気伝導率よりも低い電気伝導率の高抵抗構造体４を設置する。高抵抗構造体４の厚みの調整や、高抵抗構造体４の平面上での形状の調整等により、被処理基板Ｗ表面の電場を制御する。 （もっと読む）

本発明は、基板の規定された領域に、基板表面と結合でき且つナノワイヤと結合できる少なくとも１つの化合物（Ｃ１）を接触させて、基板表面上に結合サイトのパターンを提供し、および／または基板の規定された領域に、基板表面と結合し且つナノワイヤの結合を阻止する少なくとも１つの化合物（Ｃ２）を接触させて、基板表面上に非結合サイトのパターンを提供し、且つ、基板表面を液体媒体中のナノワイヤの懸濁液と接触させて適用したナノワイヤの少なくとも一部分を、（Ｃ１）で被覆されている、および／または（Ｃ２）で被覆されていない基板表面の少なくとも一部分と結合させる工程を含む、基板表面へのナノワイヤの堆積方法に関する。
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【課題】 金属／半導体／金属の積層構造の双方向ショットキーダイオードの形成方法を提供する。
【解決手段】 下部電極１０４と上部電極１１４との間に挟持されるシリコン半導体層１１０を堆積する工程と、閾値電圧、降伏電圧、及び、オン／オフ電流比を有する双方向ショットキーダイオードを形成する工程と、双方向ショットキーダイオードの閾値電圧、降伏電圧、オン／オフ電流比をシリコン半導体層の膜厚１１２の制御によって調整する工程と、を備える。閾値電圧と降伏電圧は何れもシリコン半導体層の膜厚の増加に従って増加する。オン／オフ電流比に対してシリコン半導体層の最適膜厚が存在する。化学気相成長法またはＤＣスパッタリング法を用いて非晶質シリコンまたは多結晶シリコンの半導体層を形成する。シリコン半導体層はＶ族のドナー材料でドーピングできる。当該ドーピングによって閾値電圧は減少し、降伏電圧は増加する。 （もっと読む）

【課題】酸化物形成から完全に鋼層を保護することができるクラスタ処理装置を提供する。
【解決手段】筐体２００と、少なくとも１つの処理チャンバ２１０と、ロボット２２０と、少なくとも１つのバルブ２３０，２４０と、を備える。筐体２００は、筐体内にガスを含むとともに、筐体の開口部に蓋をするように構成された少なくとも１つの扉２０３を備える。ガスは、少なくとも１つの還元ガスを含む。ロボット２２０は、筐体２００内に設けられるとともに、扉２０３と処理チャンバ２１０との間で基板２７０を搬送するように構成されている。バルブ２３０，２４０は筐体２００へ接続される。 （もっと読む）

【課題】マンガン膜をＣＶＤ法により形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面にマンガン膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成する成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器１４と、前記処理容器内に設けられて前記被処理体を載置するための載置台１６と、前記処理容器内へマンガンが含有された有機金属材料或いは金属錯体材料を含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段１８と、前記処理容器内へ還元ガスを供給する還元ガス供給手段２０とを備える。これにより、マンガン膜をＣＶＤ法により形成する。 （もっと読む）

半導体デバイスを形成する方法が、半導体基板上に半導体層を形成することによって提供される。マスクが、半導体層上に形成される。半導体層上に複数のイオン注入領域を形成するために、第１の伝導型を有するイオンがマスクによって半導体層中へ注入される。マスクによってイオン注入領域上に金属層が形成される。複数のイオン注入領域に注入されたイオンをそれぞれ活性化し、かつ複数のイオン注入領域上にオーミックコンタクトを設けるために、複数のイオン注入領域および金属層が単一工程でアニールされる。関連するデバイスも提供される。
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【課題】塗布による安価な有機トランジスタを作成しようとするとき、安価な電極材料では半導体との接触抵抗が大きく、接触抵抗の小さい電極材料は高価であるという問題がある。これを解決するために、材料費も製造コストも安価に済み、且つ半導体との接触抵抗が小さい高性能な有機トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電極本体は主に安価な第１の金属で作成し、その表面を高価だが高性能な第２の金属の薄膜で覆う構造を作成する。この構造を安価に安定に得るために、第１の金属と第２の金属の合金において第２の金属が表面偏析しやすいという性質を利用する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】無電解銅メッキ溶液を開示する。溶液は、水性銅塩成分と、水性コバルト塩成分と、トリアミンに基づく錯化剤と、無電解銅メッキ溶液を酸性にするのに十分な量の酸性ｐH修飾物質とを含む。無電解銅溶液を調製する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留りを向上する。
【解決手段】半導体ウエハ１にウエハ・プロセスを施した後に再配線を施してから、半田印刷用のマスク３２を用いて半導体ウエハ１の端子２３上に半田ペースト３１を印刷法で供給する。その後、半田リフロー処理により半田バンプを形成してから、半導体ウエハ１をダイシングして、半導体チップを製造する。半田印刷に用いるマスクは、半導体ウエハ１に接する側の主面３２ａの表面粗さを０．３μｍ以下とし、マスク３２のテンションを７００μｍ〜９００μｍとしている。 （もっと読む）

トランジスタゲートは、表面上に配置された一対のスペーサを有する基板と、スペーサ間で基板上にコンフォーマルに堆積された高ｋ誘電体と、高ｋ誘電体上とスペーサの側壁の一部に沿ってコンフォーマルに堆積されたリセスされた仕事関数金属と、リセスされた仕事関数金属上にコンフォーマルに堆積された第２の仕事関数金属と、第２の仕事関数金属上に堆積された電極金属とを含む。トランジスタゲートは、高ｋ誘電体を基板上のスペーサ間にあるトレンチ内にコンフォーマルに堆積し、高ｋ誘電体上に仕事関数金属をコンフォーマルに堆積し、仕事関数金属上に犠牲マスクを堆積し、仕事関数金属の一部を露出すべく犠牲マスクの一部をエッチングし、リセスされた仕事関数金属を形成すべく仕事関数金属の露出された一部をエッチングすることにより形成されうる。第２の仕事関数金属及び電極金属が、リセスされた仕事関数金属上に堆積されうる。 （もっと読む）

【課題】金属膜に設けられる下層の高誘電率材の薄膜をエッチングすることなく、金属膜を１層又は数層毎に少しずつエッチングする金属膜のエッチング方法及びこれをもちいる半導体装置の製造方法である。
【解決手段】半導体基板１０上のゲート１２を形成する工程が、前記金属膜２１にハロゲン原子のイオン又はラジカルに電気的バイアスを印加せずに金属膜２１に吸着させる第１工程と、酸素を含みイオン又はラジカルに電気的バイアスを印加してエッチングする第２工程とを有する金属膜のエッチング方法及び半導体装置１０の製造方法である。この半導体の製造方法は、第１工程と第２工程の双方を有することで、下地に高誘電率材のゲート用の絶縁層２２のエッチングを抑えることができる。 （もっと読む）