【課題】気化可能な金属原料および金属原料の気化装置の使用を必要とせずに成膜が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器３１，３２と、ハロゲン原子を含むガス（例えばＨＣｌ）を供給するガス供給手段６０と、プラズマ発生手段４２，４４と、半導体基板Ｗが載置される基板載置台３３と、プラズマで処理されて半導体基板Ｗ上に形成すべき膜の前駆体を放出する金属部材１１と、金属部材１１に第１高周波電力を供給する第１配線１９と、基板載置台３３に第２高周波電力を供給する第２配線３９と、を備えた、プラズマ処理装置１とする。この装置は、気化装置を不要とし、１つの装置でエッチングとＣＶＤとを行うに適した構成を有する。 （もっと読む）

【課題】埋込み銅配線の露出表面に、保護膜を選択性良く安定して形成することによって銅配線を保護することができるようにする。
【解決手段】内部に埋込み銅配線を形成した基板を用意し、基板の表面に触媒付与液を接触させて銅配線の表面に触媒を付与し、触媒付与後の基板の表面を洗浄し、洗浄後の基板の表面に還元液を接触させて基板の表面を還元処理し、還元処理後の基板の表面を洗浄し、しかる後、無電解めっき液に基板の表面を接触させて銅配線の表面に保護膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、表面のヒロックの発生や下地層を構成するＮｉの表面拡散を抑制するようにした、ＡｕＳｎ共晶接合のためのＬＥＤ用共晶基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｓｉ基板１１と、この基板上に形成された複数の下地層１３〜１５と、この下地層の最上層のＮｉ層１５の上に形成されたＡｇ薄膜１６と、このＡｇ薄膜上のＬＥＤチップ実装部及びボンディング部の領域に形成されたＡｇ合金膜１７及びＬＥＤチップ実装部及びボンディング部を除いた表面領域に形成された透光性導電膜１８と、を含んでおり、上記Ａｇ薄膜及びＡｇ合金膜の膜厚が４００ｎｍ以上であるように、ＬＥＤ用共晶基板１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、転写法により生産性の高い酸化物半導体電極の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】長尺の耐熱基板上に多孔質層形成用層を形成する多孔質層形成用層形成工程と、上記多孔質層形成用層を連続的に焼成することにより、上記多孔質層形成用層を多孔質体からなる多孔質層とする焼成工程と、上記多孔質層が加熱された状態で、上記多孔質層上に金属化合物を含む電極層形成用塗工液を連続的に付与することにより、上記多孔質層上に電極層を形成する電極層形成工程と、上記電極層上に、樹脂材料からなる接着層と、基材とがこの順で積層されるように、上記電極層上に上記接着層と上記基材とを連続的に貼り合わせる、貼り合わせ工程と、上記耐熱基板を連続的に剥離する、耐熱基板剥離工程とを有する酸化物半導体電極の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高堆積レートで膜の均一性の良好な堆積システムを提供する。
【解決手段】供給ガスとして金属カルボニル先駆体（５２）及びＣＯを利用する堆積プロセスの初期化方法及びシステムについて説明する。プロセスチャンバ（１０）内での堆積プロセス前、気化系（５０）を介して先駆体を排気系へ輸送する、ＣＯを有する供給ガスの流れが確立される一方でプロセスチャンバ（１０）を通過する。ＣＯガス及び蒸気先駆体が排気系へ流れる間、たとえば不活性ガス、ＣＯ又はこれらを混合させたガスのようなパージガスが、プロセスチャンバ（１０）に導入されて良い。一旦安定したＣＯガス及び先駆体蒸気の流れが確立されると、ＣＯガス及び先駆体蒸気は、プロセスチャンバ（１０）に導入され、安定した基板上への金属層の堆積が実現する。 （もっと読む）

【課題】高圧処理装置の耐圧容器を開放せずに、また耐圧容器内を低い温度でクリーニングすること
【解決手段】耐圧容器内へ酸化剤を供給して耐圧容器内の壁面等に堆積したＣｕを銅酸化物に酸化させ、次いで耐圧容器内へエッチング剤を供給してこの銅酸化物を超臨界状態の二酸化炭素に溶解可能な銅化合物に変化させ、その後超臨界状態の二酸化炭素を耐圧容器内へ供給してこの銅化合物を溶解して、耐圧容器内から排出することによって、耐圧容器内に堆積したＣｕを除去することができる。 （もっと読む）

トレンチゲート電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は以下のように形成される。複数のアクティブゲートトレンチ及び少なくとも１つのゲートランナートレンチは、１つのマスクを用いて、（ｉ）少なくとも１つのゲートランナートレンチの幅が複数のアクティブゲートトレンチのそれぞれの幅よりも広く、（ｉｉ）複数のアクティブゲートトレンチが少なくとも１つのゲートランナートレンチに隣接するように、シリコン領域に画定されて同時に形成される。
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【課題】
本発明は、解像度の高い反転印刷法用いて基材上へインキからなる画像パターンを形成するにあたり、基材の特定の箇所へ精度良くインキパターンを形成することを目的とする。
【解決手段】
基材上にインキパターンを形成する印刷方法であって、ブランケット上にインキ層を設ける工程と、凸部パターンを有する凸版をブランケットに接触させることにより、該ブランケット上のインキ層のうち凸部パターンと接触した部分のインキを除去し、該ブランケット上にインキパターンを形成する工程と、ブランケット上のインキパターンを、非インキパターン部に撥インキパターンを備えた基材と接触させ転写し、基材上に前記インキパターンから前記撥インキパターンを差し引いたパターンを形成する工程を備えることを特徴とする印刷方法とする。 （もっと読む）

【課題】 高い配置精度を有する導電性パターンを、簡便な工程で得ることのできる手段を提供すること。
【解決手段】 基板１表面上にあらかじめ導電性パターンに応じて形成した凹部２に、機能液を注入し、機能液を導電膜６に変換することにより導電性パターンを形成させる。これにより、高精度に配置された導電性パターンを、大掛かりな設備を必要とせずに形成させることができる。しかも、材料を無駄に廃棄することがないので、材料使用率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜の膜厚が増加することを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に絶縁膜２０を形成するステップと、絶縁膜上に第１の金属膜３０を形成するステップと、第１の金属膜の上方に、酸素分子１モルあたりの金属酸化物を生成する際の生成エネルギーが負であって、かつ生成エネルギーの絶対値が第１の金属膜より大きい第２の金属膜５０を形成するステップと、第１及び第２の金属膜にパターニングを行うステップと、所定の熱処理を行うステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】銅めっきの陽電極用銅ボールの表面に形成されるブラックフィルムの剥離を抑制し、それにより、均一電着性等のめっき特性の改善を図る。
【解決手段】銅めっきの陽電極として用いられる陽電極用銅ボールであって、陽電極用銅ボールはリン元素を含有する銅の結晶粒から構成され、陽電極用銅ボールを構成する結晶粒の総数のうち７０％以上の数の結晶粒の短径が１０μｍ以上で、かつ、陽電極用銅ボールを構成する結晶粒の総数のうち６０％以上の数の結晶粒の長径が３０μｍ以上である。 （もっと読む）

本出願は、基板上への金属、金属酸化物および／または半導体材料のパターンの形成方法と、上記方法により作成されるパターンと、上記パターンの用法とに関する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、且つ、工程数を減らし、従来よりも歩留まりよく良好な電気特性を有する薄膜トランジスタ及びこれを搭載した表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する基板上にマスクを形成し、基板及びマスク上に光触媒膜を有する第１の領域を形成し、基板に光を通過させて光触媒膜に照射し、第１の領域の一部を改質して第２の領域を形成し、第２の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出してパターンを形成する。マスクは光を通過させないものを用いる。改質後には光触媒膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造で寸法ずれの影響を低減し、かつ、工程の簡単な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 ゲート電極、キャパシタ電極を有し、それらの上に形成されたゲート絶縁膜の上に、ドレイン電極と、それと接続されたドレイン配線、ソース電極と、それと接続された画素電極が配置されており、少なくともソース電極とドレイン電極の間隙を含むように半導体層が配置されている薄膜トランジスタで、ゲート電極およびキャパシタ電極が等幅のストライプ状であり、平面的に見て、チャネル部およびそれに接するドレイン電極・ソース電極がすべてゲート電極に包含され、画素電極がキャパシタ電極に包含されている。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された配線用の溝等の微細窪みに銅又は銅合金等の金属を隙間（空洞）なく均一にめっきすることができる基板のめっき方法及び装置を提供すること。
【解決手段】基板上の微細窪みに金属を充填する基板のめっき方法である。めっき促進剤を添加しためっき液中で第一のめっき処理（第一のめっき槽３にて）を行った後、被めっき表面に付着しためっき促進剤を除去又は低減させる除去剤を被めっき表面に接触させるめっき促進剤除去処理（めっき促進剤除去部４にて）を行ない、さらに第二のめっき処理（第二のめっき槽５にて）を定電位で行う。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層に対し、良好なオーミック接触を得ることができる半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層１０３と、ｐ型半導体層１０３上に形成されたｐ側電極１０５とを備える。ｐ型半導体層１０３とｐ側電極１０５との界面（中間層１０４）には、主要な構成元素として５Ｂ族元素が含まれる。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、従来のスクリーン印刷やめっき方法とは異なる方法によって、電子部品のバンプ等の導電部を簡易かつ効率的に形成可能とする技術を提供する。
【解決手段】 本願発明は、開口部を有するレジストで被覆された基材を、粒子を分散させた懸濁液に浸漬し、懸濁液中の粒子を開口部に堆積させる方法であって、懸濁液は、分散させた粒子が沈降して開口部に堆積するような粘性を有し、基材を該懸濁液に浸漬して、粒子を開口部に堆積させることを特徴とする粒子堆積方法に関する。よって、本願発明では、基板の開口部に比較的短時間で均一に粒子を堆積させることが可能となる。また、レジスト上に残留した余剰な粒子についても簡易的に取り除くことができるため、電子部品において所望の形状を備えたバンプ等の導電部を形成することが可能となる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板上に形成されたデバイスに高品質コンタクトレベル接続部を形成するプロセスを提供する。一実施形態において、基板上に物質を堆積させるための方法であって、基板を酸化物エッチング緩衝液にさらして、前処理プロセスで水素化シリコン層を形成するステップと、基板上に金属シリサイド層を堆積させるステップと、金属シリサイド層上に第一金属層（例えば、タングステン）を堆積させるステップと、を含む前記方法が提供される。酸化物エッチング緩衝液は、フッ化水素とアルカノールアミン化合物、例えば、エタノールアミン、ジエタノールアミン、又はトリエタノールを含有することができる。金属シリサイド層は、コバルド、ニッケル、又はタングステンを含有することができ、無電解堆積プロセスによって堆積させることができる。一例において、基板は、溶媒と金属錯体化合物を含有する無電解堆積溶液にさらされる。 （もっと読む）

【課題】 自己整合的に基板のコンタクト部をユニバーサルコンタクトホール内に形成することができる半導体装置の製造方法及びこの製造方法により形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜９にソース領域３が露出されたユニバーサルコンタクトホール７を開口し、ユニバーサルコンタクトホール７から半導体基板１００に第１導電型（Ｐ型）不純物を注入してユニバーサルコンタクトホール７の底面中央に露出するソース領域３を基板領域と同じ導電型の第１導電型領域５にする。ユニバーサルコンタクト１３はユニバーサルコンタクトホール７底面周縁部に露出するソース領域３に電気的に接続されている。基板領域とソース領域のコンタクトの位置関係が一定となりソース領域における電流の不均衡が解消される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ合金が埋め込まれた半導体配線を製造するに当たり、凹部にＣｕ合金を埋め込むことができ、しかも配線の電気抵抗率を上げることなく絶縁膜とＣｕ配線の界面にバリア層を形成することができる配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた、最小幅が０．１５μｍ以下で、該最小幅に対する深さの比［深さ／最小幅比］が１以上である凹部の表面に、Ｔｉを０．５〜３原子％とＮを０．４〜２．０原子％含有するＣｕ合金を形成した後、２００℃以上、５０ＭＰａ以上に加熱加圧して前記凹部内に前記Ｃｕ合金を埋め込むことによって半導体配線を形成すればよい。 （もっと読む）