【課題】ポリマー溶液を利用した厚膜組成物作製方法の提供。
【解決手段】（ａ）エチレン性不飽和モノマーを提供するステップ、（ｂ）１６０℃から３００℃の範囲の沸点を有する高沸点溶媒を提供するステップ、および（ｃ）（ａ）のモノマーを（ｂ）の溶媒と合わせて重合を実施し、コポリマーを含むポリマー溶液を形成するステップを含み、ポリマー溶液が２５℃において４Ｓ^-1の剪断速度で５パスカル秒を超える粘度を有する、厚膜用途における使用のためのポリマー溶液の形成方法。 （もっと読む）

【課題】ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体およびこの半導体とオーミック接触を形成する新規な電極を有する、半導体素子を提供すること。
極を有する、半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体とオーミック接触する電極と、を有し、該電極が前記半導体と接するＴｉＷ合金層を有する。好適態様によれば、上記電極は接点用電極を兼ねることもできる。好適態様によれば、上記電極は耐熱性に優れる。さらに、上述の半導体素子の製造方法も提供される。 （もっと読む）

本発明は、一般的には、基板上に高品質誘電体ゲート層を形成するように適合されている方法及び装置を提供する。実施形態は、標準窒化プロセスの代わりに金属プラズマ処理プロセスを用いて、基板上に高誘電率層を形成する方法を企図するものである。実施形態は、更に、二酸化シリコンのようなゲート誘電体層に対するイオン衝撃損傷を減少させるとともに金属原子の下に横たわるシリコンへの混入を避けるために比較的低エネルギーの金属イオンを“注入”するように適合された装置を企図するものである。一般に、プロセスには、高ｋ誘電体を形成するステップと、次に、堆積された物質を処理して、ゲート電極と高ｋ誘電物質との間の良好な接合部を形成するステップとを含む。実施形態は、また、高ｋ誘電物質を形成し、高ｋ誘電物質の表面を終了させ、望ましい後処理ステップを行い、ゲート層を形成するように適合されているクラスタツールを提供するものである。 （もっと読む）

【課題】塗布電極パターンが親撥液性パターンに一致しないパターン不良が生じやすく、また塗布プロセスが煩雑で生産性が低いという課題があった。
【解決手段】基板と、その基板平面上に複数並べて形成され、複数の楕円が長軸方向に並べて形成された外縁を連続的に接続して形成されたパターン、または１つの楕円の外縁形状で形成されたパターンであるリング状平面パターンで構成されたゲート電極と、そのゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート電極の形状を投影したゲート絶縁膜上の平面領域を除いたゲート絶縁膜上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタ基板。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で特性が安定し動作効率の良い有機薄膜トランジスタの製造方法及びこの製造方法で製造された有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板の上に少なくともソース電極とゲート電極とドレイン電極と絶縁層と有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、基板の上にソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つとゲート電極とを同時に形成するための電極形成工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 密着性の高い膜を金属箔上に形成する。
【解決手段】 金属箔１０の表面１０ａ上に、その表面を部分的に露出させながら複数の島状構造１２を形成する。次に、これらの島状構造を覆うように膜２０を形成する。これらの島状構造は金属箔の表面上に凹凸を形成する。島状構造を覆うように膜２０を形成すると、島状構造からなる凹凸と膜とが噛み合う。この結果、金属箔に対する膜の密着性が高まる。 （もっと読む）

【課題】 従来技術のＭＯＬメタラジを用いてその欠点を回避する新しいＭＯＬメタラジとその製造方法を提供すること。
【解決手段】 酸素ゲッター層と金属含有導電性材料との間に配置されたＣｏ含有ライナを含む半導体構造が提供される。Ｃｏ含有ライナ、酸素ゲッター層及び金属含有導電性材料は、Ｃｏ含有ライナが従来のＴｉＮライナと取って代わるＭＯＬメタラジを形成する。「Ｃｏ含有」とは、ライナが、元素状Ｃｏのみを含むか、又は元素状ＣｏとＰ又はＢの少なくとも１つを含むことを意味する。高アスペクト比のコンタクト開口部内により良好な段差被覆性の本発明のＣｏ含有ライナを提供するために、Ｃｏ含有ライナが、無電解蒸着プロセスによって形成される。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出法により基板上に多層配線の薄膜パターンを形成する場合において、導電膜パターンの密着性を確保しつつ、上下層間のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】多層配線を有する薄膜パターンの形成方法であって、基板を含み、かつ、前記基板上に導電性を有する第１のパターン領域を有する基体上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記絶縁膜上に、第１の幅広部と、前記コンタクトホールを含む領域に第２の幅広部を有する第２のパターン領域を形成するためのバンクを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に高誘電率膜を使用し、ゲート電極に金属を含む導体膜を使用するｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴにおいて、生産性向上を図ることができる技術を提供することにある。そして、金属を含む導体膜の仕事関数値が酸化シリコン膜に接するとした場合にシリコンの価電子帯近傍の値から離れたものであっても、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を下げることができる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成されたｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱ_１は、酸化ハフニウム膜よりなるゲート絶縁膜１０を有し、このゲート絶縁膜１０上に、酸化アルミニウム膜よりなる金属酸化物膜１１を有する。そして、金属酸化物膜１１上に窒化タンタル膜よりなるゲート電極１２を有している。ここで、金属酸化物膜１１は、ゲート電極１２の仕事関数値をシフトする機能を有している。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の清掃に先立ちこのチャンバ内を迅速且つ容易に無害化することができる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】内周面にハロゲン乃至金属ハロゲン化物が吸着乃至付着し得るチャンバ１と、前記チャンバ１の内部空間にキャリアガスとともに低濃度の水蒸気を供給する水蒸気供給手段３１と、前記チャンバ１内への水蒸気の供給に伴うこの水蒸気の作用により発生したハロゲン化水素ガスをチャンバ１の外部に排出するための排気手段５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】自己整合的に半導体層に不純物元素をドーピングしてＬＤＤ領域を形成することが可能な半導体装置の構成を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に形成された半導体層と、半導体層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含む半導体装置であって、ゲート電極は、テーパー形状を有し、半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域よりも不純物濃度の低い第２の不純物領域とを有し、半導体層の端部は、ゲート電極と半導体層との間に設けられた絶縁膜に覆われており、記絶縁膜のうちゲート電極近傍は、テーパー形状を有することにより、自己整合的に半導体層に不純物元素をドーピングしてＬＤＤ領域を形成することが可能な構成を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板処理中の熱による被エッチング部材の熱変形や位置の変動、及び被エッチング部材同士の接触等を防止し、均一な基板処理が可能な基板処理装置の提供。
【解決手段】 円環部材１２や桁部材１３などの被エッチング部材の熱変位を抑制可能な被エッチング部材支持体１４により被エッチング部材１１を支持して基板処理を行う。これにより基板処理中の被エッチング部材１１の熱変位が抑制され、基板処理をより均一にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】第１ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と第２ＭＩＳＦＥＴのゲート電極とを別工程で形成する半導体装置の製造技術において、第１ＭＩＳＦＥＴと第２ＭＩＳＦＥＴの信頼性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板２０上にゲート絶縁膜２６、電荷蓄積膜２７、絶縁膜２８、ポリシリコン膜２９、酸化シリコン膜３０、窒化シリコン膜３１およびキャップ絶縁膜３２からなる積層膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して、低耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域および高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている積層膜を除去する。その後、半導体基板２０上にゲート絶縁膜３４、３６、ポリシリコン膜３７およびキャップ絶縁膜３８を形成する。そして、低耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域および高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域にゲート電極を形成した後、メモリセル形成領域にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ１の内壁やチャンバ１内の構造物の表面への付着物の状況を定量的に把握することができる基板処理装置とする。
【解決手段】 チャンバ１に透明な筒部２１を設け、筒部２１を介してレーザ発信手段２２からのレーザ光を受光手段２３で受光し、チャンバ１を貫通するレーザ光の透過率によりチャンバ１の内壁への付着物の付着量を付着確認手段２４で判断し、チャンバ１の内壁やチャンバ１内の構造物の表面への付着物の状況を定量的に把握する。 （もっと読む）

【課題】チャンバの外部から被エッチング部材の状態を確認することができる基板処理装置とする。
【解決手段】光導入窓３１を通して光照射手段３３からの赤外線を被エッチング部材１１に照射し、光導出窓３２を通して被エッチング部材１１で反射した赤外線を受光手段３４に導き、受光手段３４で受光した赤外線の分析を行って被エッチング部材１１への付着物の付着状況や付着物の確認を行い、チャンバ１の外部から被エッチング部材１１の状態を確認する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理に伴うくもりをなくした透明な天井板を通してチャンバ内の状態を確認することができる基板処理装置とする。
【解決手段】チャンバ１の内部を観察するために透明な天井板７を設け、温度の不均一を抑制する冷却風を加温するヒータ２４を設け、加温された冷却風を天井板７に供給して天井板７を暖め、プラズマ処理に伴うくもりをなくして赤外線センサーによりチャンバ１の内部の温度分布を観察する。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 上面を開放されためっき槽を備えためっき装置において、撹拌棒による撹拌とは異なる方法により、めっき液をリフレッシュすることができるようにする。
【解決手段】 めっき槽１内において、アノード電極７と半導体ウエハ９との間にはめっき液流入兼整流構成体１０が垂直に配置されている。めっき液流入兼整流構成体１０は、貫通孔１６およびめっき液流入孔１７を有するめっき液流入板１２の両面に多数の微小孔を有する第１、第２の整流板１３、１４が設けられ、第１の整流板１３の外面に貫通孔２３を有する電場遮蔽板１５が設けられた構造となっている。そして、めっき液流入板１２の貫通孔１６内に流入されためっき液２２の大部分は、第１の整流板１３の微小孔を介して第１の整流板１３に対して垂直な横方向に流出され、半導体ウエハ９の表面に当接される。なお、めっき槽１を密閉構造とし、水平にして複数積層するようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】ヒステリシス特性が小さく（略０ボルト）、ソース電極あるいはドレイン電極から電流信号が時間的に略一定となる電界効果トランジスタを実現する。
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタの製造方法は、ソース電極５及びドレイン電極６の設置位置にそれぞれ触媒層４ａ・４ｂを形成し、触媒層４ａ・４ｂからカーボンナノチューブ７を成長させる成長工程と、触媒層４ａ・４ｂ及びカーボンナノチューブ７上に、ソース電極５及びドレイン電極６の金属材料からなる電極金属１２を堆積する第１の堆積工程と、電極金属１２上におけるソース電極５及びドレイン電極６の形成位置をマスクするように第２の層１４を堆積する第２の堆積工程と、電極金属１２に対して選択的なエッチングを行い、下に配されたカーボンナノチューブ７を露出させるエッチング工程とを含むので、カーボンナノチューブ７周辺にフォトレジスト残渣が付着するということが起こらなくなる。 （もっと読む）

【課題】 周囲の温度や成膜履歴などの影響を最小限に抑制して膜厚の均一性を保つことができる薄膜作製装置とする。
【解決手段】 レーザー光によるＣｕ原子、ＣｕＣｌ分子の発光分布状況に基づいて、チャンバ１内の圧力、Ｃｌ₂ガス１７の流量、ＲＦパワー等の作製条件を適宜変更し、基板３の上部のＣｕ原子、ＣｕＣｌ分子が均一になる発光状況にすることで、基板３毎にＣｕ原子、ＣｕＣｌ分子の密度を均一な状態にして膜圧の均一性を保つ。 （もっと読む）